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1. 发明专利

JP2015145944A レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻膜的组合物和使用组合物形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2015145944A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2014018355
申请日：2014-02-03
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：西田登喜雄 , 藤谷徳昌 , 大西竜慈 , 坂本力丸
IPC分类号： H01L21/027 , C08G59/12 , G03F7/11
摘要：【課題】薄い膜厚のレジスト下層膜を形成する場合であっても基板への塗布性に優れた、レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】式(1)で表される構造単位及び式(2)で表される構造単位を主鎖に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。 (式中、Xはフェニレン基、ナフチレン基、又は2つのフェニレン基が単結合若しくは炭素原子数1乃至3のアルキレン基を介して連結した有機基を表し、前記フェニレン基は炭素原子数1乃至4の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を置換基として少なくとも1つ有してもよい。) 【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀剂底层膜的组合物，即使在形成薄抗蚀剂底膜时也能在基材上具有优异的涂布性。提供了一种用于形成用于光刻的抗蚀底膜的组合物其包括：具有由式（1）表示的结构单元的聚合物和在主链中由式（2）表示的结构单元; 交联剂; 加速交联反应的化合物; 和有机溶剂。在式（2）中，X表示亚苯基，亚萘基或具有与单键或碳原子数1〜3的亚烷基连接的亚苯基的有机基，其中亚苯基可以包含直链状或具有1〜4个碳原子的支链烷基作为取代基。

2. 发明专利

JP5737526B2 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用组合物和形成的方法，使用相同的抗蚀剂图案
公开(公告)号：JP5737526B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2012527652
申请日：2011-07-13
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：坂本力丸 , 遠藤貴文 , 大西竜慈 , 何邦慶
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/18 , C08F220/30

3. 发明专利

JP2015172606A リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用它的光刻和半导体器件制造工艺的耐蚀层状膜组合物
公开(公告)号：JP2015172606A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2012165086
申请日：2012-07-25
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 藤谷徳昌 , 木村茂雄 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/38 , C08G59/16 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G59/3236 , G03F7/091
摘要：【課題】レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程においてリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】シアヌレート誘導体と、ナフタレン環又はアントラセン環を含有する化合物を反応させた誘導体と、アルコール系溶剤を含むレジスト上層膜形成組成物を提供する。【化1】【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在半导体器件的制造过程中用于光刻工艺的抗蚀剂上层成膜组合物，其不与抗蚀剂混合，并且特别是在EUV曝光期间阻挡不期望的曝光光，例如 UV和DUV，并且仅选择性地透射EUV，并且可以在曝光后用显影剂显影。解决方案：提供一种抗蚀剂上层成膜组合物，其包含通过使氰尿酸酯衍生物与含有萘或蒽环和醇溶剂。

4. 发明专利

JP2015108644A リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成电阻膜覆盖膜的组合物
公开(公告)号：JP2015108644A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2012065865
申请日：2012-03-22
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 臼井友輝 , 坂本力丸 , 何邦慶
IPC分类号： C08G73/10 , C08G73/22 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： C08G73/14 , C08L79/08 , G03F7/11
摘要：【課題】レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程においてリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 (a)テトラカルボン酸二無水物化合物、(b)酸ジハライド化合物及び(c)ジカルボン酸無水物基と酸ハライド基両方を有する化合物の中から選ばれる1つ以上の化合物と、(d)ジアミン化合物とを反応させて製造される、アミド結合及びイミド結合のうち少なくとも一方を含む樹脂と、アルコール系溶剤を含むレジスト上層膜形成組成物を提供する。樹脂末端は芳香環又は炭素数1乃至5個のアルキル基を含む有機基にて封止されていてもよい。【化1】【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀剂覆盖膜的组合物，用于制造半导体器件的光刻工艺中，其阻止不期望的曝光光，特别是用于EUV曝光，例如UV和DUV光线，而不与抗蚀剂混合，并且仅选择性地透射EUV射线，并且在曝光后可用显影剂显影。解决方案：用于形成抗蚀剂覆盖膜的组合物包括：包含酰胺键和酰亚胺键中的至少一种的树脂，其通过允许选自（a）四羧酸二酐化合物，（b）二酰卤化合物和（c）具有二羧酸酐基和酰卤基的化合物中的至少一种化合物与（d）二胺反应的化合物复合; 和醇基溶剂。树脂的末端可以被包括芳环或具有1-5个碳原子的烷基的有机基团封闭。

5. 发明专利

JP6341380B2 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6341380B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2014534330
申请日：2013-08-30
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 坂本力丸 , 何邦慶
IPC分类号： C08G8/04 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C08G14/06 , C09D161/12 , C09D161/34 , G03F7/091 , G03F7/168 , H01L21/0271 , H01L21/0274

6. 发明专利

JP6319582B2 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6319582B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2014558631
申请日：2014-01-24
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 坂本力丸 , 藤谷徳昌
IPC分类号： G03F7/38 , C08G8/08 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/14 , C08G16/025 , C08G16/0268 , G03F7/0046 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/325 , H01L21/0274

7. 发明专利

JP6137483B2 縮合系ポリマーを有するEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物有权
公开(公告)号：JP6137483B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013526933
申请日：2012-07-31
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：坂本力丸 , 藤谷徳昌 , 遠藤貴文 , 大西竜慈 , 何邦慶
IPC分类号： C08G73/06 , C08G61/12 , C08G63/685 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086

8. 发明专利

JP6083537B2 EUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译： EUV抗蚀剂下层膜的形成光刻用组合物
公开(公告)号：JP6083537B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2014506123
申请日：2013-03-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：遠藤貴文 , 坂本力丸 , 藤谷徳昌 , 大西竜慈 , 何邦慶
IPC分类号： H01L21/027 , C08G59/14 , G03F7/11
CPC分类号： C08G59/186 , G03F7/091

9. 发明专利

JP5888523B2 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用组合物和形成的方法，使用相同的抗蚀剂图案
公开(公告)号：JP5888523B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2013504690
申请日：2012-03-08
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 遠藤貴文 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/09 , C08G59/1455 , C08G59/4223 , G03F7/11 , G03F7/38

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