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    • 2. 发明申请
    • 導電性保護膜及びその製造方法
    • 导电保护膜及其制造方法
    • WO2008133156A1
    • 2008-11-06
    • PCT/JP2008/057466
    • 2008-04-17
    • ナノテック株式会社中森 秀樹平塚 傑工
    • 中森 秀樹平塚 傑工
    • C23C14/06
    • C23C16/26
    •  本発明は、特定の成膜方法を用いて高い硬度と耐摩耗性を兼ね備えた導電性ダイヤモンドライクカーボン保護膜及びその製造方法を提供する。基板を保護する導電性保護膜の製造方法であって、炭化水素系原料ガスとボロンドーピングガスとを所定割合で導入した混合ガスを用いて所定量のボロンを含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜を前記基板上に形成するようにした。前記ボロンドーピングガスとして、ホウ酸トリメチル、トリメチルボロン及びトリエチルホウ素からなる群から選ばれる一種又は二種以上を用いることが好ましい。
    • 公开了通过特定的成膜方法制造的具有高硬度和高耐磨性的导电类金刚石碳保护膜。 还公开了一种制造这种导电类金刚石碳保护膜的方法。 具体公开了一种用于制造用于保护基板的导电保护膜的方法,其中通过使用含有烃原料气体和硼的混合气体在基板上形成含有预定量的硼的导电类金刚石碳保护膜 以预定比例掺杂气体。 优选使用选自硼酸三甲酯,三甲基硼和三乙基硼的一种以上的物质作为硼掺杂气体。