专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI410535B 矽單晶拉引用石英玻璃坩堝有权
简体标题：硅单晶拉引用石英玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI410535B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099109029
申请日：2010-03-25
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 神田稔 , KANDA, MINORU
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002

2. 发明专利

TW201337209A 氧化矽玻璃坩堝的評價方法、單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201337209A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140627
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO
IPC分类号： G01B11/24 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58
摘要：本發明提供能非破壞性地測量坩堝的內表面的三維形狀的氧化矽玻璃坩堝的評價方法。本發明提供的氧化矽玻璃坩堝的評價方法包括以下製程：通過使內部測距部非接觸地沿著氧化矽玻璃坩堝的內表面移動，在移動路徑上的多個測量點，從內部測距部對所述坩堝的內表面斜方向照射鐳射，並檢測來自所述內表面的內表面反射光，來測量內部測距部與所述內表面之間的內表面距離，通過將各測量點的三維座標與所述內表面距離建立關聯，來求出所述坩堝的內表面三維形狀。
简体摘要：本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下制程：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光，并检测来自所述内表面的内表面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离，通过将各测量点的三维座标与所述内表面距离创建关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状。

3. 发明专利

TWI418669B 單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法有权
简体标题：单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TWI418669B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099130206
申请日：2010-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO , 神田稔 , KANDA, MINORU , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00 , C30B29/06
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

4. 发明专利

TWI480505B 氧化矽玻璃坩堝的評價方法、單晶矽的製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TWI480505B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101140627
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO
IPC分类号： G01B11/24 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58

5. 发明专利

TW201037106A 矽單晶拉引用石英玻璃坩堝 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL 审中-公开
简体标题：硅单晶拉引用石英玻璃坩埚 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TW201037106A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW099109029
申请日：2010-03-25
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：小玉真喜子 , 岸弘史 , 神田稔
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002
摘要：本發明提供一種可於短時間內熔融矽原料、且可藉由不透明石英玻璃層隨時間經過之狀態變化而提高矽單晶之製造良率的石英玻璃坩堝。本發明之石英玻璃坩堝包括：具有包含大量氣泡之不透明石英玻璃層11之外層、及具有實質上不含氣泡之透明石英玻璃層12之內層。不透明石英玻璃層11中所含氣泡之直徑分布為：具有10~30μm之直徑之氣泡為10％以上且未滿30％，具有40~90μm之直徑之氣泡為40％以上且未滿80％，具有90μm以上之直徑之氣泡為10％以上且未滿30％。不透明石英玻璃層11中所含之相對較小之氣泡自拉引步驟之初期階段起即有助於坩堝之傳熱性，不透明石英玻璃層11中所含之相對較大之氣泡藉由經過長時間之拉引步驟而膨脹，於拉引步驟之後半期非常有助於坩堝之保溫性。
简体摘要：本发明提供一种可于短时间内熔融硅原料、且可借由不透明石英玻璃层随时间经过之状态变化而提高硅单晶之制造良率的石英玻璃坩埚。本发明之石英玻璃坩埚包括：具有包含大量气泡之不透明石英玻璃层11之外层、及具有实质上不含气泡之透明石英玻璃层12之内层。不透明石英玻璃层11中所含气泡之直径分布为：具有10~30μm之直径之气泡为10％以上且未满30％，具有40~90μm之直径之气泡为40％以上且未满80％，具有90μm以上之直径之气泡为10％以上且未满30％。不透明石英玻璃层11中所含之相对较小之气泡自拉引步骤之初期阶段起即有助于坩埚之传热性，不透明石英玻璃层11中所含之相对较大之气泡借由经过长时间之拉引步骤而膨胀，于拉引步骤之后半期非常有助于坩埚之保温性。

6. 发明专利

TW201131026A 單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURE METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201131026A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099130206
申请日：2010-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：小玉真喜子 , 神田稔 , 岸弘史
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：一種單晶矽拉晶的高溫下抑制沉入現象的氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。氧化矽玻璃坩堝具有：坩堝外表面側含有多個氣泡的不透明氧化矽玻璃層，以及坩堝內表面側的透明氧化矽玻璃層，。不透明氧化矽玻璃層包括坩堝上部的第一不透明氧化矽玻璃部分和坩堝下部的第二不透明氧化矽玻璃部分。第二不透明氧化矽玻璃部分比重是1.7~2.1，第一不透明氧化矽玻璃部分比重是1.4~1.8，第一不透明氧化矽玻璃部分比重小於第二不透明氧化矽玻璃部分比重。第一不透明氧化矽玻璃部分相較於第二不透明氧化矽玻璃部分，原料氧化矽粉的粒度分佈廣，且含有更多微粉。
简体摘要：一种单晶硅拉晶的高温下抑制沉入现象的氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。氧化硅玻璃坩埚具有：坩埚外表面侧含有多个气泡的不透明氧化硅玻璃层，以及坩埚内表面侧的透明氧化硅玻璃层，。不透明氧化硅玻璃层包括坩埚上部的第一不透明氧化硅玻璃部分和坩埚下部的第二不透明氧化硅玻璃部分。第二不透明氧化硅玻璃部分比重是1.7~2.1，第一不透明氧化硅玻璃部分比重是1.4~1.8，第一不透明氧化硅玻璃部分比重小于第二不透明氧化硅玻璃部分比重。第一不透明氧化硅玻璃部分相较于第二不透明氧化硅玻璃部分，原料氧化硅粉的粒度分布广，且含有更多微粉。

7. 发明专利

TWI369422B 氧化矽玻璃坩堝 VITREOUS SILICA CRUCIBLE 有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚 VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TWI369422B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW099143495
申请日：2010-12-13
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 岸弘史 , 小玉真喜子
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B35/002 , C03C19/00 , C03C23/0025 , C30B15/10 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供一種氧化矽玻璃坩堝，在該氧化矽玻璃坩堝上設置單晶矽拉晶時，用於抑制液面振動的特殊區域的同時，在該氧化矽玻璃坩堝上形成該特殊區域通過時，能夠正確掌握藉液面變動位置之標記部。在氧化矽玻璃坩堝的直筒部的內壁面上設置有防止熔融矽波動的特殊區域，至少在該特殊區域的上端及下端具有標記部。
简体摘要：本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，在该氧化硅玻璃坩埚上设置单晶硅拉晶时，用于抑制液面振动的特殊区域的同时，在该氧化硅玻璃坩埚上形成该特殊区域通过时，能够正确掌握藉液面变动位置之标记部。在氧化硅玻璃坩埚的直筒部的内壁面上设置有防止熔融硅波动的特殊区域，至少在该特殊区域的上端及下端具有标记部。

8. 发明专利

TWI379926B 具有多層結構之石英玻璃坩堝 SILICA GLASS CRUCIBLE HAVING MULTILAYERED STRUCTURE 有权
简体标题：具有多层结构之石英玻璃坩埚 SILICA GLASS CRUCIBLE HAVING MULTILAYERED STRUCTURE
公开(公告)号：TWI379926B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW098101931
申请日：2009-01-19
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：小玉真喜子 , 森川正樹
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供一種即便於大型化之矽單晶之製造(拉晶)時亦可抑制熔融矽之局部溫度不均，從而能夠製造(拉晶)出均質之矽單晶的石英玻璃坩堝。本發明之石英玻璃坩堝，其特徵在於，其係矽單晶拉晶用石英玻璃坩堝，自坩堝內表面側朝向外表面側至少具有透明層、半透明層及不透明層，透明層之氣泡含有率小於0.3%，半透明層之氣泡含有率為0.3%~0.6%之範圍，且不透明層之氣泡含有率大於0.6%。
简体摘要：本发明提供一种即便于大型化之硅单晶之制造(拉晶)时亦可抑制熔融硅之局部温度不均，从而能够制造(拉晶)出均质之硅单晶的石英玻璃坩埚。本发明之石英玻璃坩埚，其特征在于，其系硅单晶拉晶用石英玻璃坩埚，自坩埚内表面侧朝向外表面侧至少具有透明层、半透明层及不透明层，透明层之气泡含有率小于0.3%，半透明层之气泡含有率为0.3%~0.6%之范围，且不透明层之气泡含有率大于0.6%。

9. 发明专利

TW201131027A 氧化矽玻璃坩堝 VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚 VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201131027A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143495
申请日：2010-12-13
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 岸弘史 , 小玉真喜子
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B35/002 , C03C19/00 , C03C23/0025 , C30B15/10 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供一種氧化矽玻璃坩堝，在該氧化矽玻璃坩堝上設置單晶矽拉晶時，用於抑制液面振動的特殊區域的同時，在該氧化矽玻璃坩堝上形成該特殊區域通過時，能夠正確掌握藉液面變動位置之標記部。在氧化矽玻璃坩堝的直筒部的內壁面上設置有防止熔融矽波動的特殊區域，至少在該特殊區域的上端及下端具有標記部。
简体摘要：本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，在该氧化硅玻璃坩埚上设置单晶硅拉晶时，用于抑制液面振动的特殊区域的同时，在该氧化硅玻璃坩埚上形成该特殊区域通过时，能够正确掌握藉液面变动位置之标记部。在氧化硅玻璃坩埚的直筒部的内壁面上设置有防止熔融硅波动的特殊区域，至少在该特殊区域的上端及下端具有标记部。

10. 发明专利

TW201016901A 具有多層結構之石英玻璃坩堝 SILICA GLASS CRUCIBLE HAVING MULTILAYERED STRUCTURE 审中-公开
简体标题：具有多层结构之石英玻璃坩埚 SILICA GLASS CRUCIBLE HAVING MULTILAYERED STRUCTURE
公开(公告)号：TW201016901A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098101931
申请日：2009-01-19
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：小玉真喜子 , 森川正樹
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供一種即便於大型化之矽單晶之製造(拉晶)時亦可抑制熔融矽之局部溫度不均，從而能夠製造(拉晶)出均質之矽單晶的石英玻璃坩堝。本發明之石英玻璃坩堝，其特徵在於，其係矽單晶拉晶用石英玻璃坩堝，自坩堝內表面側朝向外表面側至少具有透明層、半透明層及不透明層，透明層之氣泡含有率小於0.3％，半透明層之氣泡含有率為0.3％~0.6％之範圍，且不透明層之氣泡含有率大於0.6％。
简体摘要：本发明提供一种即便于大型化之硅单晶之制造(拉晶)时亦可抑制熔融硅之局部温度不均，从而能够制造(拉晶)出均质之硅单晶的石英玻璃坩埚。本发明之石英玻璃坩埚，其特征在于，其系硅单晶拉晶用石英玻璃坩埚，自坩埚内表面侧朝向外表面侧至少具有透明层、半透明层及不透明层，透明层之气泡含有率小于0.3％，半透明层之气泡含有率为0.3％~0.6％之范围，且不透明层之气泡含有率大于0.6％。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式