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    • 4. 发明专利
    • 用於半導體加工之加熱單元
    • 用于半导体加工之加热单元
    • TW496098B
    • 2002-07-21
    • TW089116789
    • 2000-08-18
    • 日本發條股份有限公司
    • 二口谷淳真崎貴宮地真也石渡秀典
    • H05B
    • H01L21/67103H05B3/48
    • 一上金屬基底被設置在下金屬基底上,而電阻加熱構件插置在上、下基底之間,以便對至少一個相對表面產生塑性變形直到對應的表面符合加熱構件的外部輪廓,並且下與上基底之相對表面與電阻加熱構件藉由以硬焊、焊接或擴散接合組成之金屬結合被大致完全地互相接合。因外金屬接合提供有利的熱傳導,因而可以改善熱效率並避免局部加熱,可能得到迅速的溫度上升與均勻加熱。因為基底由兩部分組成,因此供基底用之材料可以選自包括那些能夠承受高溫與腐蝕材料之具有廣大範圍的材料。
    • 一上金属基底被设置在下金属基底上,而电阻加热构件插置在上、下基底之间,以便对至少一个相对表面产生塑性变形直到对应的表面符合加热构件的外部轮廓,并且下与上基底之相对表面与电阻加热构件借由以硬焊、焊接或扩散接合组成之金属结合被大致完全地互相接合。因外金属接合提供有利的热传导,因而可以改善热效率并避免局部加热,可能得到迅速的温度上升与均匀加热。因为基底由两部分组成,因此供基底用之材料可以选自包括那些能够承受高温与腐蚀材料之具有广大范围的材料。