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1. 发明专利

TW201840835A 表面處理組合物、其製造方法以及使用此組合物的表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理组合物、其制造方法以及使用此组合物的表面处理方法
公开(公告)号：TW201840835A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103446
申请日：2018-01-31
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 坂部晃一 , SAKABE, KOICHI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 古本健一 , KOMOTO, KENICHI
IPC分类号： C11D1/04 , C11D1/12 , C11D1/34 , C11D3/04 , C11D3/22 , C11D3/26 , C11D3/34 , C11D11/00 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種在將利用含氧化鈰的研磨用組合物進行研磨後所得到的研磨完畢研磨對象物中，能夠良好地減低氧化鈰殘渣之同時，亦能夠充分地抑制有機物殘渣之手段。本發明係有關於一種表面處理組合物，其係用以將利用含氧化鈰的研磨用組合物研磨後所得到的研磨完畢研磨對象物進行表面處理之表面處理組合物，含有：具備源自具有羧基或其鹽的基的單體之結構單元之含羧基的(共)聚合物；具有SOx或NOy(其中x及y為各自獨立且為1~5的實數)表示之部分構造之含SOx或NOy部分構造的化合物；及分散介質；而且pH為1以上且8以下。
简体摘要：本发明系提供一种在将利用含氧化铈的研磨用组合物进行研磨后所得到的研磨完毕研磨对象物中，能够良好地减低氧化铈残渣之同时，亦能够充分地抑制有机物残渣之手段。本发明系有关于一种表面处理组合物，其系用以将利用含氧化铈的研磨用组合物研磨后所得到的研磨完毕研磨对象物进行表面处理之表面处理组合物，含有：具备源自具有羧基或其盐的基的单体之结构单元之含羧基的(共)聚合物；具有SOx或NOy(其中x及y为各自独立且为1~5的实数)表示之部分构造之含SOx或NOy部分构造的化合物；及分散介质；而且pH为1以上且8以下。

2. 发明专利

TW201839087A 研磨用組成物、其製造方法以及使用此組成物之研磨方法及基板之製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物、其制造方法以及使用此组成物之研磨方法及基板之制造方法
公开(公告)号：TW201839087A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107103981
申请日：2018-02-05
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉﨑幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 坂部晃一 , SAKABE, KOICHI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 古本健一 , KOMOTO, KENICHI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可減低於異種材料間無意間所產生之段差，或於圖型的粗密部分之間無意間所產生之段差的研磨用組成物。本發明係關於一種研磨用組成物，其係包含平均一次粒徑為5～50nm之研磨粒、與由具有特定構造之芳香環及直接與此鍵結之磺基或其鹽之基的化合物所構成之段差改良劑、與分散媒，且pH未滿7。
简体摘要：本发明系提供一种可减低于异种材料间无意间所产生之段差，或于图型的粗密部分之间无意间所产生之段差的研磨用组成物。本发明系关于一种研磨用组成物，其系包含平均一次粒径为5～50nm之研磨粒、与由具有特定构造之芳香环及直接与此键结之磺基或其盐之基的化合物所构成之段差改良剂、与分散媒，且pH未满7。

3. 发明专利

TW202018054A 中間原料以及使用此的研磨用組成物及表面處理組成物审中-公开
简体标题：中间原料以及使用此的研磨用组成物及表面处理组成物
公开(公告)号：TW202018054A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108132002
申请日：2019-09-05
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉野努 , YOSHINO, TSUTOMU , 山崎彩乃 , YAMAZAKI, AYANO , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 大西正悟 , ONISHI, SHOGO , 石田康登 , ISHIDA, YASUTO
IPC分类号： C09K3/14
摘要：本發明之課題係提供可任意調整研磨對象物或研磨後之研磨對象物的ζ電位之手段。解決手段係一種中間原料，其包含臨界填充參數為0.6以上之電荷調整劑及分散介質，且pH未達7。
简体摘要：本发明之课题系提供可任意调整研磨对象物或研磨后之研磨对象物的ζ电位之手段。解决手段系一种中间原料，其包含临界填充参数为0.6以上之电荷调整剂及分散介质，且pH未达7。

4. 发明专利

TW201831642A 研磨用組合物审中-公开
简体标题：研磨用组合物
公开(公告)号：TW201831642A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106144386
申请日：2017-12-18
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：鎗田哲 , YARITA, SATORU , 吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要：一種研磨用組合物，其係用於將研磨對象物進行研磨，且含有研磨粒、分散介質、及添加劑之研磨用組合物，該研磨用組合物之pH為5.0以下，前述研磨粒係經表面改性，且前述添加劑以下述式1表示：上述式1中，X1為O或NR4，X2為單鍵或NR5，R1~R5係各自獨立且為氫原子；羥基；硝基；亞硝基；亦可被羧基、胺基或羥基取代之碳數1~4的烷基；或CONH2；其中，R2亦可與R5形成環；X2為單鍵時，R3不為氫原子、或R1~R3不為甲基；X2為NR5時且R1~R3及R5之中3個為氫原子的情況下，另1個不為氫原子或甲基。根據本發明，提供一種研磨用組合物，其不僅能夠以高速研磨多結晶矽且亦能夠以高速研磨矽氮化膜，而且能夠抑制氧化矽膜的研磨速度。
简体摘要：一种研磨用组合物，其系用于将研磨对象物进行研磨，且含有研磨粒、分散介质、及添加剂之研磨用组合物，该研磨用组合物之pH为5.0以下，前述研磨粒系经表面改性，且前述添加剂以下述式1表示：上述式1中，X1为O或NR4，X2为单键或NR5，R1~R5系各自独立且为氢原子；羟基；硝基；亚硝基；亦可被羧基、胺基或羟基取代之碳数1~4的烷基；或CONH2；其中，R2亦可与R5形成环；X2为单键时，R3不为氢原子、或R1~R3不为甲基；X2为NR5时且R1~R3及R5之中3个为氢原子的情况下，另1个不为氢原子或甲基。根据本发明，提供一种研磨用组合物，其不仅能够以高速研磨多结晶硅且亦能够以高速研磨硅氮化膜，而且能够抑制氧化硅膜的研磨速度。

5. 发明专利

TWI604025B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI604025B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW101143739
申请日：2012-11-22
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：橫田周吾 , YOKOTA, SHUUGO , 大和泰之 , YAMATO, YASUYUKI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 赤塚朝彥 , AKATSUKA, TOMOHIKO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L29/20

6. 发明专利

TW201335347A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201335347A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101143733
申请日：2012-11-22
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：橫田周吾 , YOKOTA, SHUUGO , 大和泰之 , YAMATO, YASUYUKI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 赤塚朝彥 , AKATSUKA, TOMOHIKO , 玉田修一 , TAMADA, SHUICHI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/8258
摘要：以研磨具有含有高移動度材料之部分與含有矽材料之部分之研磨對象物為用途所使用之本發明之研磨用組成物，係含有異形之研磨粒與標準電極為0.3V以上之氧化劑，較佳係再含有銨鹽等之鹽。研磨用組成物之pH為1以上6以下或8以上14以下。研磨粒的平均二次粒徑之數值除以研磨粒之平均一次粒徑之值所得到之研磨粒之平均結合度較佳係1.6以上。
简体摘要：以研磨具有含有高移动度材料之部分与含有硅材料之部分之研磨对象物为用途所使用之本发明之研磨用组成物，系含有异形之研磨粒与标准电极为0.3V以上之氧化剂，较佳系再含有铵盐等之盐。研磨用组成物之pH为1以上6以下或8以上14以下。研磨粒的平均二次粒径之数值除以研磨粒之平均一次粒径之值所得到之研磨粒之平均结合度较佳系1.6以上。

7. 发明专利

TW201833316A 表面處理組合物审中-公开
简体标题：表面处理组合物
公开(公告)号：TW201833316A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106122355
申请日：2017-07-04
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 坂部晃一 , SAKABE, KOICHI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 古本健一 , KOMOTO, KENICHI
IPC分类号： C11D1/12 , C11D1/34 , C11D3/22 , C11D3/37 , H01L21/304
摘要：本發明係有關於一種表面處理組合物，其係含有選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水：A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物。依照本發明，能夠提供一種表面處理組合物，其能夠有效率地除去殘留在研磨完畢的研磨對象物表面的微粒及有機物殘渣之異物。
简体摘要：本发明系有关于一种表面处理组合物，其系含有选自下述A群之至少一种水溶性高分子、选自下述B群之至少一种阴离子性界面活性剂、及水：A群：水溶性多糖类、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)B群：具有磺酸(盐)基的化合物、具有硫酸酯(盐)基的化合物、具有膦酸(盐)基的化合物、具有磷酸(盐)基的化合物、及具有次膦酸(盐)基的化合物。依照本发明，能够提供一种表面处理组合物，其能够有效率地除去残留在研磨完毕的研磨对象物表面的微粒及有机物残渣之异物。

8. 发明专利

TWI567181B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI567181B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101143733
申请日：2012-11-22
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：橫田周吾 , YOKOTA, SHUUGO , 大和泰之 , YAMATO, YASUYUKI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 赤塚朝彥 , AKATSUKA, TOMOHIKO , 玉田修一 , TAMADA, SHUICHI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/8258

9. 发明专利

TWI550078B 硏磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI550078B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW102109302
申请日：2013-03-15
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉田修一 , TAMADA, SHUICHI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C23F1/30 , C23F1/40 , C23F3/02 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/3212

10. 发明专利

TW201718794A 研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201718794A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105131718
申请日：2016-09-30
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 大西正悟 , ONISHI, SHOGO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B29/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明係提供可充分進行使含有2種以上之材料之研磨對象物表面之平坦化的手段。本發明之研磨方法，其係使用研磨用組成物，研磨含有2種以上之材料之研磨對象物的研磨方法，且包含使前述研磨對象物之表面Zeta電位均一化者。
简体摘要：本发明系提供可充分进行使含有2种以上之材料之研磨对象物表面之平坦化的手段。本发明之研磨方法，其系使用研磨用组成物，研磨含有2种以上之材料之研磨对象物的研磨方法，且包含使前述研磨对象物之表面Zeta电位均一化者。

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