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1. 发明专利

TW202004898A 電漿處理裝置及電源控制方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及电源控制方法
公开(公告)号：TW202004898A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108113919
申请日：2019-04-22
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：永海幸一 , NAGAMI, KOICHI , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24
摘要：本發明旨在抑制載置台與被處理體之間產生放電。本發明之電漿處理裝置具備：載置台，載置作為電漿處理對象之被處理體，且作為下部電極而發揮功能；直流電源，交互地產生施加至載置台之正的直流電壓及負的直流電壓；測定部，測定載置台所載置之被處理體的電壓；計算部，基於測定之被處理體的電壓，而計算負的直流電壓施加至載置台之期間中之載置台與被處理體之間的電位差；以及電源控制部，控制直流電源，俾將施加至載置台之負的直流電壓的值以係使所計算出之電位差減少之偏移量進行偏移。
简体摘要：本发明旨在抑制载置台与被处理体之间产生放电。本发明之等离子处理设备具备：载置台，载置作为等离子处理对象之被处理体，且作为下部电极而发挥功能；直流电源，交互地产生施加至载置台之正的直流电压及负的直流电压；测定部，测定载置台所载置之被处理体的电压；计算部，基于测定之被处理体的电压，而计算负的直流电压施加至载置台之期间中之载置台与被处理体之间的电位差；以及电源控制部，控制直流电源，俾将施加至载置台之负的直流电压的值以系使所计算出之电位差减少之偏移量进行偏移。

2. 发明专利

TW201921486A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201921486A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128537
申请日：2018-08-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：永海幸一 , NAGAMI, KOICHI , 藤原一延 , FUJIWARA, KAZUNOBU , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO , 道菅隆 , DOKAN, TAKASHI , 丸山幸兒 , MARUYAMA, KOJI , 永關一也 , NAGASEKI, KAZUYA , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本發明之目的在抑制基板的蝕刻率降下，且使處理室本體的內壁被照射之離子的能量降下。依本發明一實施形態的電漿處理裝置，具備有直流電源，以產生施加給工件台的下部電極之負極性的直流電壓。使用該電漿處理裝置之電漿處理中，為了要使處理室內的氣體激發以產生電漿而供應高頻波。另外，為了要將來自電漿的離子吸引到工件台上的基板，來自直流電源之負極性的直流電壓週期性施加給下部電極。各個週期內直流電壓施加給下部電極的期間占的比率被設定在40%以下。
简体摘要：本发明之目的在抑制基板的蚀刻率降下，且使处理室本体的内壁被照射之离子的能量降下。依本发明一实施形态的等离子处理设备，具备有直流电源，以产生施加给工件台的下部电极之负极性的直流电压。使用该等离子处理设备之等离子处理中，为了要使处理室内的气体激发以产生等离子而供应高频波。另外，为了要将来自等离子的离子吸引到工件台上的基板，来自直流电源之负极性的直流电压周期性施加给下部电极。各个周期内直流电压施加给下部电极的期间占的比率被设置在40%以下。

3. 发明专利

TW201802934A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201802934A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106113199
申请日：2017-04-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：永關一也 , NAGASEKI, KAZUYA , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO , 永海幸一 , NAGAMI, KOICHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本發明用以降低射至腔室本體的離子能量。其解決手段在於，使一實施形態的電漿處理裝置具備腔室本體、載置台、及射頻電源部。腔室本體用以提供腔室。腔室本體接地。載置台具有下部電極，設置於腔室內。射頻電源部與下部電極電性連接。射頻電源部用以產生供應至下部電極的偏壓用輸出波。射頻電源部係構成為可產生已降低基頻的射頻波的電壓波形的正電壓成分的輸出波。
简体摘要：本发明用以降低射至腔室本体的离子能量。其解决手段在于，使一实施形态的等离子处理设备具备腔室本体、载置台、及射频电源部。腔室本体用以提供腔室。腔室本体接地。载置台具有下部电极，设置于腔室内。射频电源部与下部电极电性连接。射频电源部用以产生供应至下部电极的偏压用输出波。射频电源部系构成为可产生已降低基频的射频波的电压波形的正电压成分的输出波。

4. 发明专利

TW201724255A 電漿蝕刻方法审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW201724255A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131838
申请日：2016-10-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橫田聰裕 , YOKOTA, AKIHIRO , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO , 草野周 , KUSANO, SHU , 伊藤悅治 , ITO, ETSUJI , 永關一也 , NAGASEKI, KAZUYA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要：本發明旨在提高在徑向之膜的蝕刻率分布的控制性。於一實施形態的電漿蝕刻方法中，為了對電容耦合型電漿處理裝置的載置台上所載置的被處理體的單一膜進行電漿蝕刻，而產生處理氣體的電漿。於產生該電漿的期間中，於電漿處理裝置的上部電極之上，控制供給至複數個電磁鐵的線圈的電流，以使相對於中心軸線在徑向中的單一膜的蝕刻率分布改變。
简体摘要：本发明旨在提高在径向之膜的蚀刻率分布的控制性。于一实施形态的等离子蚀刻方法中，为了对电容耦合型等离子处理设备的载置台上所载置的被处理体的单一膜进行等离子蚀刻，而产生处理气体的等离子。于产生该等离子的期间中，于等离子处理设备的上部电极之上，控制供给至复数个电磁铁的线圈的电流，以使相对于中心轴线在径向中的单一膜的蚀刻率分布改变。

5. 发明专利

TWI427181B 氣化裝置、成膜裝置及成膜方法失效
简体标题：气化设备、成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI427181B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW097135558
申请日：2008-09-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：澤田郁夫 , SAWADA, IKUO , 瀨川澄江 , SEGAWA, SUMIE , 池田恭子 , IKEDA, KYOKO , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/4486 , H01L21/02181 , H01L21/31612 , H01L21/31645 , H01L21/3185

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