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1. 发明专利

TW201819324A 高頻裝置用玻璃基板與高頻裝置用電路基板审中-公开
简体标题：高频设备用玻璃基板与高频设备用电路基板
公开(公告)号：TW201819324A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106129932
申请日：2017-09-01
申请人：日商旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 木寺信隆 , KIDERA, NOBUTAKA , 竹下暢彥 , TAKESHITA, NOBUHIKO
IPC分类号： C03C3/06 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C3/091 , H05K1/03
摘要：本發明之玻璃基板2按氧化物基準之莫耳百分率計，於0.001～5%之範圍內含有鹼金屬氧化物並且鹼金屬氧化物中Na2O/(Na2O＋K2O)所表示之莫耳比為0.01～0.99之範圍，且於合計含量1～40%之範圍內含有Al2O3及B2O3並且Al2O3/(Al2O3＋B2O3)所表示之莫耳比為0～0.45之範圍，且以SiO2為主成分。玻璃基板2之至少一個主表面之表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra之值計為1.5 nm以下，且35 GHz下之介電損耗正切為0.007以下。
简体摘要：本发明之玻璃基板2按氧化物基准之莫耳百分率计，于0.001～5%之范围内含有碱金属氧化物并且碱金属氧化物中Na2O/(Na2O＋K2O)所表示之莫耳比为0.01～0.99之范围，且于合计含量1～40%之范围内含有Al2O3及B2O3并且Al2O3/(Al2O3＋B2O3)所表示之莫耳比为0～0.45之范围，且以SiO2为主成分。玻璃基板2之至少一个主表面之表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra之值计为1.5 nm以下，且35 GHz下之介电损耗正切为0.007以下。

2. 发明专利

TW201639800A 選擇透光型玻璃及積層基板审中-公开
简体标题：选择透光型玻璃及积层基板
公开(公告)号：TW201639800A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104171
申请日：2016-02-05
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 大井好晴 , OOI, YOSHIHARU , 保高弘樹 , HOTAKA, HIROKI
IPC分类号： C03C4/00 , C03C4/10 , C03C3/085 , B32B17/10 , G02B5/20 , G02B5/28 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： C03C4/085 , B32B7/12 , B32B9/041 , B32B17/064 , B32B2307/306 , B32B2383/00 , C03B17/067 , C03B25/02 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C4/082 , C03C17/25 , C03C27/00 , G02B5/208 , G02B5/223 , G02B5/226 , Y02P40/57
摘要：本發明實現一種光學濾光片，其可實現相機模組之小型化、低高度化，與半導體基板積層時之應變較小，光學特性之均勻性優異，且生產性較高。本發明之選擇透光型玻璃10包括玻璃基板12與位於玻璃基板12之至少一主面之選擇透光層11，玻璃基板12於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，且鹼金屬氧化物之含量為0%~0.1%。
简体摘要：本发明实现一种光学滤光片，其可实现相机模块之小型化、低高度化，与半导体基板积层时之应变较小，光学特性之均匀性优异，且生产性较高。本发明之选择透光型玻璃10包括玻璃基板12与位于玻璃基板12之至少一主面之选择透光层11，玻璃基板12于50℃~100℃下之平均热膨胀系数α50/100为2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，于200℃~300℃下之平均热膨胀系数α200/300为3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均热膨胀系数α200/300除以50℃~100℃下之平均热膨胀系数α50/100所得之值α200/300/α50/100为1.20~1.30，且碱金属氧化物之含量为0%~0.1%。

3. 发明专利

TW201609591A 無鹼玻璃审中-公开
简体标题：无碱玻璃
公开(公告)号：TW201609591A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123304
申请日：2015-07-17
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：德永博文 , TOKUNAGA, HIROFUMI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 野村周平 , NOMURA, SHUHEI
IPC分类号： C03C3/091 , C03B18/02 , G09F9/00 , G03F1/60
CPC分类号： Y02P40/57
摘要：本發明之課題在於提供一種雖然熱膨脹係數較小、應變點較高，但低黏性、尤其玻璃黏度成為102dPa‧s之溫度T2較低之無鹼玻璃。本發明之無鹼玻璃之應變點為695℃以上，50~350℃下之平均熱膨脹係數為43×10-7/℃以下，玻璃黏度成為102dPa‧s之溫度T2為1690℃以下，以氧化物基準之莫耳%表示含有63~70之SiO2、8~16之Al2O3、1.5~未達4之B2O3、0~8之MgO、0~20之CaO、1.5~10之SrO、0~0.5之BaO，且MgO+CaO為0~28，MgO+CaO+SrO+BaO為12~30，SrO/CaO為0.33~0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]-5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])為17以上。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种虽然热膨胀系数较小、应变点较高，但低黏性、尤其玻璃黏度成为102dPa‧s之温度T2较低之无碱玻璃。本发明之无碱玻璃之应变点为695℃以上，50~350℃下之平均热膨胀系数为43×10-7/℃以下，玻璃黏度成为102dPa‧s之温度T2为1690℃以下，以氧化物基准之莫耳%表示含有63~70之SiO2、8~16之Al2O3、1.5~未达4之B2O3、0~8之MgO、0~20之CaO、1.5~10之SrO、0~0.5之BaO，且MgO+CaO为0~28，MgO+CaO+SrO+BaO为12~30，SrO/CaO为0.33~0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]-5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。

4. 发明专利

TW201823174A 無鹼玻璃基板、積層基板、及玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：无碱玻璃基板、积层基板、及玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201823174A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106125692
申请日：2017-07-31
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA
IPC分类号： C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/093
摘要：本發明提供一種於貼合矽基板與玻璃基板之熱處理步驟中，矽基板產生之殘留應變較小之玻璃基板及玻璃基板之製造方法。本發明係關於一種無鹼玻璃基板，其以氧化物基準之莫耳百分率表示計含有0.1%～10%之ZnO，50℃～100℃下之平均熱膨脹係數、200℃～300℃下之平均熱膨脹係數、200℃～300℃之平均熱膨脹係數除以50℃～100℃之平均熱膨脹係數所獲得之值為特定範圍。
简体摘要：本发明提供一种于贴合硅基板与玻璃基板之热处理步骤中，硅基板产生之残留应变较小之玻璃基板及玻璃基板之制造方法。本发明系关于一种无碱玻璃基板，其以氧化物基准之莫耳百分率表示计含有0.1%～10%之ZnO，50℃～100℃下之平均热膨胀系数、200℃～300℃下之平均热膨胀系数、200℃～300℃之平均热膨胀系数除以50℃～100℃之平均热膨胀系数所获得之值为特定范围。

5. 发明专利

TW201708142A 玻璃基板、積層基板、及玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：玻璃基板、积层基板、及玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201708142A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105104200
申请日：2016-02-05
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA
IPC分类号： C03C3/091 , C03C3/087 , C03C3/085 , H01L23/15
CPC分类号： C03C4/085 , B32B7/12 , B32B9/041 , B32B17/064 , B32B2307/306 , B32B2383/00 , C03B17/067 , C03B25/02 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C4/082 , C03C17/25 , C03C27/00 , G02B5/208 , G02B5/223 , G02B5/226 , Y02P40/57
摘要：本發明提供一種玻璃基板，其於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，鹼離子不易向上述矽基板擴散，上述矽基板所產生之殘留應變較小。本發明之玻璃基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，且鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示為0%~0.1%。
简体摘要：本发明提供一种玻璃基板，其于将硅基板与玻璃基板贴合之热处理步骤中，碱离子不易向上述硅基板扩散，上述硅基板所产生之残留应变较小。本发明之玻璃基板于50℃~100℃下之平均热膨胀系数α50/100为2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，于200℃~300℃下之平均热膨胀系数α200/300为3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均热膨胀系数α200/300除以50℃~100℃下之平均热膨胀系数α50/100所得之值α200/300/α50/100为1.20~1.30，且碱金属氧化物之含量以氧化物基准之莫耳百分率表示为0%~0.1%。

6. 发明专利

TW201808845A 無鹼玻璃基板、積層基板、及玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：无碱玻璃基板、积层基板、及玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201808845A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117103
申请日：2017-05-24
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA
IPC分类号： C03C3/091 , C03C3/093 , H01L23/15
CPC分类号： C03C3/091 , C03C3/093 , H01L23/15
摘要：本發明提供一種研削率高、且於貼合矽基板與玻璃基板之熱處理步驟中上述矽基板產生之殘留應變小之無鹼玻璃基板。本發明之無鹼玻璃基板以氧化物基準之莫耳百分率表示而含有11.0%以上之Al2O3、8.0%以上之B2O3、1%以上之SrO，且於100℃～200℃下之平均熱膨脹係數α100/200為3.10 ppm/℃～3.70 ppm/℃，楊氏模數為76.0 GPa以下，密度為2.42 g/cm3以上。
简体摘要：本发明提供一种研削率高、且于贴合硅基板与玻璃基板之热处理步骤中上述硅基板产生之残留应变小之无碱玻璃基板。本发明之无碱玻璃基板以氧化物基准之莫耳百分率表示而含有11.0%以上之Al2O3、8.0%以上之B2O3、1%以上之SrO，且于100℃～200℃下之平均热膨胀系数α100/200为3.10 ppm/℃～3.70 ppm/℃，杨氏模数为76.0 GPa以下，密度为2.42 g/cm3以上。

7. 发明专利

TW201700432A 玻璃基板及積層基板审中-公开
简体标题：玻璃基板及积层基板
公开(公告)号：TW201700432A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105116726
申请日：2016-05-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：塙優 , HANAWA, YU , 野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 竹下暢彥 , TAKESHITA, NOBUHIKO , 花島圭輔 , HANASHIMA, KEISUKE
IPC分类号： C03C27/00
CPC分类号： H01L23/15 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C17/22 , C03C27/04 , H01L21/02 , H01L23/13
摘要：本發明提供一種於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中氣泡不易進入之玻璃基板。本發明係關於一種玻璃基板，其係藉由與含矽之基板積層而形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板之翹曲為2~300μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004~0.12°。
简体摘要：本发明提供一种于将玻璃基板与含硅之基板贴合之步骤中气泡不易进入之玻璃基板。本发明系关于一种玻璃基板，其系借由与含硅之基板积层而形成积层基板之玻璃基板，上述玻璃基板之翘曲为2~300μm，由上述翘曲所引起之倾斜角度为0.0004~0.12°。

8. 发明专利

TW201805258A 玻璃基板、半導體裝置及顯示裝置审中-公开
简体标题：玻璃基板、半导体设备及显示设备
公开(公告)号：TW201805258A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106126463
申请日：2017-08-04
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA
IPC分类号： C03C4/00 , G02F1/133
CPC分类号： C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要：本發明係一種玻璃基板，其係緊縮(compaction)為0.1～100 ppm者，且50～100℃下之玻璃基板之平均熱膨脹係數α50/100與單晶矽之平均熱膨脹係數的差之絕對值｜Δα50/100｜、100～200℃下之玻璃基板之平均熱膨脹係數α100/200與單晶矽之平均熱膨脹係數的差之絕對值｜Δα100/200｜及200～300℃下之玻璃基板之平均熱膨脹係數α200/300與單晶矽之平均熱膨脹係數的差之絕對值｜Δα200/300｜為0.16 ppm/℃以下。
简体摘要：本发明系一种玻璃基板，其系紧缩(compaction)为0.1～100 ppm者，且50～100℃下之玻璃基板之平均热膨胀系数α50/100与单晶硅之平均热膨胀系数的差之绝对值｜Δα50/100｜、100～200℃下之玻璃基板之平均热膨胀系数α100/200与单晶硅之平均热膨胀系数的差之绝对值｜Δα100/200｜及200～300℃下之玻璃基板之平均热膨胀系数α200/300与单晶硅之平均热膨胀系数的差之绝对值｜Δα200/300｜为0.16 ppm/℃以下。

9. 发明专利

TW201707969A 玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體及玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：玻璃基板、积层基板、积层基板之制造方法、积层体、捆包体及玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201707969A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105123323
申请日：2016-07-22
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：塙優 , HANAWA, YU , 野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 竹下暢彦 , TAKESHITA, NOBUHIKO , 花島圭輔 , HANASHIMA, KEISUKE
IPC分类号： B32B17/06 , B32B3/30 , H01L23/15 , C03B17/06
CPC分类号： H01L21/68757 , B65D85/48 , C03B33/02 , C03B33/0235 , C03C23/00 , C03C27/00 , H01L21/56 , H01L21/67282 , Y02P40/57
摘要：本發明之玻璃基板係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面與凸面，且具有能識別上述凹面與上述凸面之標記。
简体摘要：本发明之玻璃基板系借由与含有硅之基板积层而供形成积层基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面与凸面，且具有能识别上述凹面与上述凸面之标记。

10. 发明专利

TW201509855A 無鹼玻璃审中-公开
简体标题：无碱玻璃
公开(公告)号：TW201509855A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103122384
申请日：2014-06-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：野村周平 , NOMURA, SHUHEI , 小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 秋山順 , AKIYAMA, JUN
IPC分类号： C03C3/087 , C03C3/091 , C03B18/00 , G03F1/60 , G09F9/00
CPC分类号： C03C3/087 , C03C3/091
摘要：本發明係關於一種高比彈性模數且高楊氏模數、玻璃轉移點較高、壓實度較低、易於浮式法成形之無鹼玻璃，具體而言係關於一種無鹼玻璃，其楊氏模數為90GPa以上，壓實度C1為5ppm以下，壓實度C2為50ppm以下，以氧化物基準之質量%表示計，含有SiO2 40~65、Al2O3 超過23.5且小於或等於30、MgO 2.5~20、CaO 2~30，且SiO2+Al2O3為70以上且90以下。
简体摘要：本发明系关于一种高比弹性模数且高杨氏模数、玻璃转移点较高、压实度较低、易于浮式法成形之无碱玻璃，具体而言系关于一种无碱玻璃，其杨氏模数为90GPa以上，压实度C1为5ppm以下，压实度C2为50ppm以下，以氧化物基准之质量%表示计，含有SiO2 40~65、Al2O3 超过23.5且小于或等于30、MgO 2.5~20、CaO 2~30，且SiO2+Al2O3为70以上且90以下。

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