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1. 发明专利

TW202010635A 覆金屬積層板和電路基板审中-公开
简体标题：覆金属积层板和电路基板
公开(公告)号：TW202010635A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108126128
申请日：2019-07-24
申请人：日商日鐵化學材料股份有限公司 , NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO., LTD.
发明人：須藤芳樹 , SUTO, YOSHIKI , 鈴木智之 , SUZUKI, TOMOYUKI , 安達康弘 , ADACHI, YASUHIRO
IPC分类号： B32B15/08 , H05K1/03
摘要：一種覆金屬積層板，包括：含有多個聚醯亞胺層的樹脂積層體；以及積層於樹脂積層體的至少單面的金屬層，樹脂積層體滿足i）整體的厚度為40 μm～200 μm的範圍內；ii）包含與金屬層接觸的第一聚醯亞胺層、以及直接或間接地積層於第一聚醯亞胺層上的第二聚醯亞胺層；iii）第二聚醯亞胺層的厚度相對於樹脂積層體的整體的厚度的比率為70%～97%的範圍內；iv）基於E1=√ε1×Tanδ1計算出的作為表示介電特性的指標的E1值未滿0.009， [此處，ε1表示藉由分離介電質共振器（SPDR）進行測定的10 GHz下的介電常數，Tanδ1表示藉由分離介電質共振器（SPDR）進行測定的10 GHz下的介電正切]。
简体摘要：一种覆金属积层板，包括：含有多个聚酰亚胺层的树脂积层体；以及积层于树脂积层体的至少单面的金属层，树脂积层体满足i）整体的厚度为40 μm～200 μm的范围内；ii）包含与金属层接触的第一聚酰亚胺层、以及直接或间接地积层于第一聚酰亚胺层上的第二聚酰亚胺层；iii）第二聚酰亚胺层的厚度相对于树脂积层体的整体的厚度的比率为70%～97%的范围内；iv）基于E1=√ε1×Tanδ1计算出的作为表示介电特性的指针的E1值未满0.009， [此处，ε1表示借由分离介电质共振器（SPDR）进行测定的10 GHz下的介电常数，Tanδ1表示借由分离介电质共振器（SPDR）进行测定的10 GHz下的介电正切]。

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