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1. 发明专利

TWI692659B 極化多工型IQ調變器有权
简体标题：极化多任务型IQ调制器
公开(公告)号：TWI692659B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107112989
申请日：2018-04-17
申请人：日商日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE , 小木曽義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 柏尾典秀 , KASHIO, NORIHIDE
IPC分类号： G02F1/035 , G02F1/225 , G02F1/1343

2. 发明专利

TW201839484A IQ光調變器审中-公开
简体标题： IQ光调制器
公开(公告)号：TW201839484A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109471
申请日：2018-03-20
申请人：日商日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：小木曽義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE , 上田悠太 , UEDA, YUTA
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/01
摘要：本發明提供一種可進行高速、寬波長頻帶動作之偏振波多重型IQ光調變器。本發明之IQ光調變器之特徵在於具備：成為主體之馬赫-曾德爾型(MZM)光波導；成為子體之MZM光波導，其分別設置於構成前述主MZM光波導之2個臂；2個電極線路，其等分別沿構成前述子MZM光波導之2個臂設置，藉由被施加調變信號而對在MZM中傳遞之光信號予以相位調變；RF引出線路，其分別連接於前述2個電極線路，用於輸入對於前述2個電極線路施加之前述調變信號；第1光分波器，其將光分波至前述主MZM光波導之2個臂；第2光分波器，其將光分波至前述子MZM光波導之2個臂；及第1光合波器，其將來自前述子MZM光波導之2個臂之光合波；且相對於設置有前述2個電極線路之前述子MZM光波導之條帶方向，前述RF引出線路之條帶方向、前述第2光分波器之條帶方向、及前述第1光合波器之條帶方向係相同，且前述第1光分波器之條帶方向係正交關係。
简体摘要：本发明提供一种可进行高速、宽波长频带动作之偏振波多重型IQ光调制器。本发明之IQ光调制器之特征在于具备：成为主体之马赫-曾德尔型(MZM)光波导；成为子体之MZM光波导，其分别设置于构成前述主MZM光波导之2个臂；2个电极线路，其等分别沿构成前述子MZM光波导之2个臂设置，借由被施加调制信号而对在MZM中传递之光信号予以相位调制；RF引出线路，其分别连接于前述2个电极线路，用于输入对于前述2个电极线路施加之前述调制信号；第1光分波器，其将光分波至前述主MZM光波导之2个臂；第2光分波器，其将光分波至前述子MZM光波导之2个臂；及第1光合波器，其将来自前述子MZM光波导之2个臂之光合波；且相对于设置有前述2个电极线路之前述子MZM光波导之条带方向，前述RF引出线路之条带方向、前述第2光分波器之条带方向、及前述第1光合波器之条带方向系相同，且前述第1光分波器之条带方向系正交关系。

3. 发明专利

TW201842381A 半導體馬赫任德光調變器审中-公开
简体标题：半导体马赫任德光调制器
公开(公告)号：TW201842381A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112989
申请日：2018-04-17
申请人：日商日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE , 小木曽義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 柏尾典秀 , KASHIO, NORIHIDE
IPC分类号： G02F1/035 , G02F1/225 , G02F1/1343
摘要：本發明之半導體MZM具備：第1及第2信號電極，其等分別與第1及第2支路波導路並排地形成；第1及第2相位調變電極，其等自第1及第2信號電極分支，沿第1及第2信號電極於第1及第2支路波導路上離散地設置複數個；第1及第2接地電極，其等沿第1及第2信號電極並排地形成；及複數條連接配線，其等將第1及第2接地電極在複數點間連接；於第1及第2信號電極輸入輸出差動信號；相鄰之上述複數條連接配線係以第1及第2信號電極中傳輸之信號之波長之1/4以下之間隔設置。
简体摘要：本发明之半导体MZM具备：第1及第2信号电极，其等分别与第1及第2支路波导路并排地形成；第1及第2相位调制电极，其等自第1及第2信号电极分支，沿第1及第2信号电极于第1及第2支路波导路上离散地设置复数个；第1及第2接地电极，其等沿第1及第2信号电极并排地形成；及复数条连接配线，其等将第1及第2接地电极在复数点间连接；于第1及第2信号电极输入输出差动信号；相邻之上述复数条连接配线系以第1及第2信号电极中传输之信号之波长之1/4以下之间隔设置。

4. 发明专利

TWI638464B 半導體光調變元件有权
简体标题：半导体光调制组件
公开(公告)号：TWI638464B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105117251
申请日：2016-06-01
申请人：日商日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：小木曾義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE , 柏尾典秀 , KASHIO, NORIHIDE , 菊池順裕 , KIKUCHI, NOBUHIRO , 神德正樹 , KOHTOKU, MASAKI
IPC分类号： H01L31/111

5. 发明专利

TWI627791B 高頻線路有权
简体标题：高频线路
公开(公告)号：TWI627791B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105120051
申请日：2016-06-24
申请人：日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：菊池順裕 , KIKUCHI, NOBUHIRO , 山田英一 , YAMADA, EIICHI , 小木曾義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE
IPC分类号： H01P3/10

6. 发明专利

TW201707272A 高頻線路审中-公开
简体标题：高频线路
公开(公告)号：TW201707272A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105120051
申请日：2016-06-24
申请人：日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：菊池順裕 , KIKUCHI, NOBUHIRO , 山田英一 , YAMADA, EIICHI , 小木曾義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE
IPC分类号： H01P3/10
CPC分类号： H01P3/081 , G02F1/025 , H01P3/00 , H01P3/003 , H01P3/08
摘要：本發明提供一種高頻線路，其於與光波導交叉之高頻配線中具備抑制阻抗變動及電氣之過量損耗發生之構造。高頻線路為微帶線路，其為於SI-InP基板(301)上依序積層接地電極(302)、介電層(304)及信號電極(305)之基本構成。又，如於橫剖視圖所示，InP系半導體之光波導芯(303)以橫穿高頻線路(305)之姿態與之交叉。沿著高頻線路之傳播方向，於包含光波導交叉之固定區域中將信號電極(305)之寬度局部地擴大。於微帶線路中將信號電極(305)之寬度一部分自w1擴大至w2，且相較於寬度以w1而均一者，降低特性阻抗。該寬度w2之第2信號電極部(325)之長度l2係設定為與輸入之高頻電氣信號之波長相比充分短之長度。
简体摘要：本发明提供一种高频线路，其于与光波导交叉之高频配线中具备抑制阻抗变动及电气之过量损耗发生之构造。高频线路为微带线路，其为于SI-InP基板(301)上依序积层接地电极(302)、介电层(304)及信号电极(305)之基本构成。又，如于横剖视图所示，InP系半导体之光波导芯(303)以横穿高频线路(305)之姿态与之交叉。沿着高频线路之传播方向，于包含光波导交叉之固定区域中将信号电极(305)之宽度局部地扩大。于微带线路中将信号电极(305)之宽度一部分自w1扩大至w2，且相较于宽度以w1而均一者，降低特性阻抗。该宽度w2之第2信号电极部(325)之长度l2系设置为与输入之高频电气信号之波长相比充分短之长度。

7. 发明专利

TW201644064A 半導體光調變元件审中-公开
简体标题：半导体光调制组件
公开(公告)号：TW201644064A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105117251
申请日：2016-06-01
申请人：日本電信電話股份有限公司 , NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人：小木曾義弘 , OGISO, YOSHIHIRO , 尾崎常祐 , OZAKI, JOSUKE , 柏尾典秀 , KASHIO, NORIHIDE , 菊池順裕 , KIKUCHI, NOBUHIRO , 神德正樹 , KOHTOKU, MASAKI
IPC分类号： H01L31/111
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2202/102 , G02F2202/107
摘要：本發明係提供一種馬赫陳德爾型(MZ)半導體光調變元件，其能夠作為超高速且在電性穩定性上優異之調變器而使用。此半導體光調變元件之特徵在於：其係藉由將在光波導中導波之光的折射率予以調變之折射率調變區域與對由該折射率調變區域分支之光進行合分波的輸入輸出區域來進行光之調變之馬赫陳德爾型半導體光調變元件，且前述光波導在折射率調變區域中，在與閃鋅礦形半絕緣性之半導體結晶基板之(100)面等價之基板面上，自上層起積層有n型包層與i芯層及p型包層，前述n型包層在逆台面方向上形成為脊形，在該n型包層上設置有電容負載電極。
简体摘要：本发明系提供一种马赫陈德尔型(MZ)半导体光调制组件，其能够作为超高速且在电性稳定性上优异之调制器而使用。此半导体光调制组件之特征在于：其系借由将在光波导中导波之光的折射率予以调制之折射率调制区域与对由该折射率调制区域分支之光进行合分波的输入输出区域来进行光之调制之马赫陈德尔型半导体光调制组件，且前述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿形半绝缘性之半导体结晶基板之(100)面等价之基板面上，自上层起积层有n型包层与i芯层及p型包层，前述n型包层在逆台面方向上形成为嵴形，在该n型包层上设置有电容负载电极。

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