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1. 发明专利

TWI645456B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI645456B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106144192
申请日：2016-12-23
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤川和憲 , FUJIKAWA, KAZUNORI , 小路丸友則 , KOJIMARU, TOMONORI , 石田知正 , ISHIDA, TOMOMASA , 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/77 , H01L23/46

2. 发明专利

TWI648792B 基板洗淨配方作成方法、基板洗淨配方作成裝置以及電腦程式產品有权
简体标题：基板洗净配方作成方法、基板洗净配方作成设备以及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI648792B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106130997
申请日：2017-09-11
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67

3. 发明专利

TW201812863A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201812863A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106144192
申请日：2016-12-23
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤川和憲 , FUJIKAWA, KAZUNORI , 小路丸友則 , KOJIMARU, TOMONORI , 石田知正 , ISHIDA, TOMOMASA , 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/77 , H01L23/46
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/68792
摘要：從低表面張力液體供給單元對基板的表面供給低表面張力液體，藉此於基板的表面形成有低表面張力液體的液膜。從惰性氣體供給單元對旋轉狀態的基板的旋轉中心位置供給惰性氣體，藉此於低表面張力液體的液膜形成從旋轉中心位置擴展之開口，且該開口係朝從旋轉中心位置遠離的方向擴大。以著液位置位於比開口的周緣還外側之方式，低表面張力液體的著液位置係因應開口的擴大變更成旋轉中心位置以外的至少兩個部位。
简体摘要：从低表面张力液体供给单元对基板的表面供给低表面张力液体，借此于基板的表面形成有低表面张力液体的液膜。从惰性气体供给单元对旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，借此于低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置扩展之开口，且该开口系朝从旋转中心位置远离的方向扩大。以着液位置位于比开口的周缘还外侧之方式，低表面张力液体的着液位置系因应开口的扩大变更成旋转中心位置以外的至少两个部位。

4. 发明专利

TW201814791A 基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置审中-公开
简体标题：基板洗净方法、基板洗净配方作成方法以及基板洗净配方作成设备
公开(公告)号：TW201814791A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106130997
申请日：2017-09-11
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/304
摘要：一種基板洗淨方法，係洗淨在表面具有氧化膜的基板。該基板洗淨方法係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。前述氧化膜亦可為至少部分帶入有微粒的自然氧化膜。在此情況下，前述部分蝕刻步驟亦可為使前述微粒自前述自然氧化膜露出、或使自前述自然氧化膜露出之露出部分增加的步驟。此外，前述物理洗淨亦可為一邊使前述自然氧化膜殘留於前述基板之表面一邊藉由物理的作用去除自前述自然氧化膜露出的微粒的步驟。
简体摘要：一种基板洗净方法，系洗净在表面具有氧化膜的基板。该基板洗净方法系包含：部分蚀刻步骤，系将前述氧化膜蚀刻至预定之膜厚为止；以及物理洗净步骤，系在前述部分蚀刻步骤之后，对前述基板之表面运行物理洗净。前述氧化膜亦可为至少部分带入有微粒的自然氧化膜。在此情况下，前述部分蚀刻步骤亦可为使前述微粒自前述自然氧化膜露出、或使自前述自然氧化膜露出之露出部分增加的步骤。此外，前述物理洗净亦可为一边使前述自然氧化膜残留于前述基板之表面一边借由物理的作用去除自前述自然氧化膜露出的微粒的步骤。

5. 发明专利

TWI613707B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI613707B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105142991
申请日：2016-12-23
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤川和憲 , FUJIKAWA, KAZUNORI , 小路丸友則 , KOJIMARU, TOMONORI , 石田知正 , ISHIDA, TOMOMASA , 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/77 , H01L23/46
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/68792

6. 发明专利

TW201732893A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201732893A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142991
申请日：2016-12-23
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤川和憲 , FUJIKAWA, KAZUNORI , 小路丸友則 , KOJIMARU, TOMONORI , 石田知正 , ISHIDA, TOMOMASA , 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/77 , H01L23/46
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/68792
摘要：從低表面張力液體供給單元對基板的表面供給低表面張力液體，藉此於基板的表面形成有低表面張力液體的液膜。從惰性氣體供給單元對旋轉狀態的基板的旋轉中心位置供給惰性氣體，藉此於低表面張力液體的液膜形成從旋轉中心位置擴展之開口，且該開口係朝從旋轉中心位置遠離的方向擴大。以著液位置位於比開口的周緣還外側之方式，低表面張力液體的著液位置係因應開口的擴大變更成旋轉中心位置以外的至少兩個部位。
简体摘要：从低表面张力液体供给单元对基板的表面供给低表面张力液体，借此于基板的表面形成有低表面张力液体的液膜。从惰性气体供给单元对旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，借此于低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置扩展之开口，且该开口系朝从旋转中心位置远离的方向扩大。以着液位置位于比开口的周缘还外侧之方式，低表面张力液体的着液位置系因应开口的扩大变更成旋转中心位置以外的至少两个部位。

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