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1. 发明专利

TWI667710B 熱處理裝置之排氣方法有权
简体标题：热处理设备之排气方法
公开(公告)号：TWI667710B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107119135
申请日：2018-06-04
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中島往馬 , NAKAJIMA, OMA , 大森麻央 , OMORI, MAO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67

2. 发明专利

TW201911417A 熱處理裝置之排氣方法审中-公开
简体标题：热处理设备之排气方法
公开(公告)号：TW201911417A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119135
申请日：2018-06-04
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中島往馬 , NAKAJIMA, OMA , 大森麻央 , OMORI, MAO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種熱處理裝置之排氣方法，該熱處理裝置之排氣方法係即便於腔室內發生了基板破裂之情形時，亦能夠一面抑制基板之碎片捲入真空泵一面對腔室內進行排氣。於在收容半導體晶圓W之腔室6內形成有氨氣氛圍之狀態下，自閃光燈FL對半導體晶圓W之正面照射閃光而進行加熱處理。當於閃光加熱時半導體晶圓W發生破裂時，暫時停止針對腔室6之供排氣，其後以較常規排氣流量更小之排氣流量自腔室6進行排氣。所謂常規排氣流量係進行半導體晶圓W之加熱處理時之排氣流量。藉此，可一面抑制半導體晶圓W之碎片捲入真空泵，一面對腔室6內進行排氣而將氨氣排出。
简体摘要：本发明提供一种热处理设备之排气方法，该热处理设备之排气方法系即便于腔室内发生了基板破裂之情形时，亦能够一面抑制基板之碎片卷入真空泵一面对腔室内进行排气。于在收容半导体晶圆W之腔室6内形成有氨气氛围之状态下，自闪光灯FL对半导体晶圆W之正面照射闪光而进行加热处理。当于闪光加热时半导体晶圆W发生破裂时，暂时停止针对腔室6之供排气，其后以较常规排气流量更小之排气流量自腔室6进行排气。所谓常规排气流量系进行半导体晶圆W之加热处理时之排气流量。借此，可一面抑制半导体晶圆W之碎片卷入真空泵，一面对腔室6内进行排气而将氨气排出。

3. 发明专利

TW202030785A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW202030785A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108124599
申请日：2019-07-12
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上野智宏 , UENO, TOMOHIRO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 大森麻央 , OMORI, MAO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種能夠適當地管理虛設晶圓之處理歷程之熱處理方法及熱處理裝置。於將收容複數個虛設晶圓之載具搬入熱處理裝置中時，將該載具登錄為虛設晶圓專用之虛設載具。於記憶部保持將該等複數個虛設晶圓各自之處理歷程與該載具建立關聯之虛設資料庫。於熱處理裝置之顯示部顯示登錄於虛設資料庫之虛設晶圓之處理歷程。熱處理裝置之操作者可藉由確認該顯示之資訊而適當地掌握並管理虛設晶圓之處理歷程。
简体摘要：本发明提供一种能够适当地管理虚设晶圆之处理历程之热处理方法及热处理设备。于将收容复数个虚设晶圆之载具搬入热处理设备中时，将该载具登录为虚设晶圆专用之虚设载具。于记忆部保持将该等复数个虚设晶圆各自之处理历程与该载具创建关联之虚设数据库。于热处理设备之显示部显示登录于虚设数据库之虚设晶圆之处理历程。热处理设备之操作者可借由确认该显示之信息而适当地掌握并管理虚设晶圆之处理历程。

4. 发明专利

TWI698934B 熱處理裝置及熱處理方法有权
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TWI698934B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107113986
申请日：2018-04-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：大森麻央 , OMORI, MAO , 伊藤隆 , ITO, TAKASHI , 西出信彥 , NISHIDE, NOBUHIKO
IPC分类号： H01L21/324 , C23C16/455

5. 发明专利

TW201839382A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201839382A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107106076
申请日：2018-02-23
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO , 大森麻央 , OMORI, MAO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/35
摘要：本發明提供一種能夠以簡單之構成檢測閃光照射時之基板之破裂之熱處理方法及熱處理裝置。藉由閃光照射而將半導體晶圓之正面急速加熱。以固定間隔測定閃光照射後之半導體晶圓之正面溫度，並將其等依次儲存，藉此獲取溫度分佈。根據該溫度分佈推算平均值及標準偏差作為特性值。於溫度分佈之平均值偏離自複數個半導體晶圓之總平均±5σ之範圍時、或溫度分佈之標準偏差偏離自複數個半導體晶圓之總平均起為5σ之範圍時，判定半導體晶圓破裂。
简体摘要：本发明提供一种能够以简单之构成检测闪光照射时之基板之破裂之热处理方法及热处理设备。借由闪光照射而将半导体晶圆之正面急速加热。以固定间隔测定闪光照射后之半导体晶圆之正面温度，并将其等依次存储，借此获取温度分布。根据该温度分布推算平均值及标准偏差作为特性值。于温度分布之平均值偏离自复数个半导体晶圆之总平均±5σ之范围时、或温度分布之标准偏差偏离自复数个半导体晶圆之总平均起为5σ之范围时，判定半导体晶圆破裂。

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