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1. 发明专利

TW202027172A 液晶顯示裝置、ＥＬ顯示裝置以及其製造方法审中-公开
简体标题：液晶显示设备、ＥＬ显示设备以及其制造方法
公开(公告)号：TW202027172A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139651
申请日：2012-11-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786 , H05B33/14
摘要：本發明的課題是不增加在具有電晶體的顯示裝置的製程中使用的光掩模個數而提高電晶體的可靠性。在該電晶體中，省略用來形成島狀半導體層的光微影製程及蝕刻製程，不增加光掩模個數而製造島狀半導體層。明確地說，藉由形成閘極電極的製程、形成用來減少蝕刻製程等所造成的損傷的保護層的製程、形成源極電極及汲極電極的製程、形成接觸孔的製程、形成像素電極的製程的五個光微影製程製造液晶顯示裝置。並且本發明的一個方式的液晶顯示裝置具有在形成接觸孔的製程同時形成且用來斷開半導體層的溝槽部分。
简体摘要：本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示设备的制程中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光微影制程及蚀刻制程，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。明确地说，借由形成闸极电极的制程、形成用来减少蚀刻制程等所造成的损伤的保护层的制程、形成源极电极及汲极电极的制程、形成接触孔的制程、形成像素电极的制程的五个光微影制程制造液晶显示设备。并且本发明的一个方式的液晶显示设备具有在形成接触孔的制程同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。

2. 发明专利

TWI697054B 電晶體，液晶顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：晶体管，液晶显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI697054B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107142880
申请日：2011-09-08
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA,JUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368

3. 发明专利

TWI684809B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI684809B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107137886
申请日：2011-02-24
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：今藤敏和 , KONDO,TOSHIKAZU , 小山潤 , KOYAMA,JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1362 , H01L29/786

4. 发明专利

TWI670711B 記憶體裝置和半導體裝置有权
简体标题：内存设备和半导体设备
公开(公告)号：TWI670711B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105110305
申请日：2011-09-07
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C11/413

5. 发明专利

TWI670553B 半導體裝置及觸控面板有权
简体标题：半导体设备及触摸皮肤
公开(公告)号：TWI670553B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW102116205
申请日：2013-05-07
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/32 , G06F3/041

6. 发明专利

TW201921645A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201921645A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108105664
申请日：2012-08-17
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA,JUN
IPC分类号： H01L27/088
摘要：本發明的目的是提供一種耗電量低且能夠防止輸出的電位的幅度變小的使用單極性電晶體的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：具有第一電位的第一佈線；具有第二電位的第二佈線；具有第三電位的第三佈線；極性相同的第一電晶體及第二電晶體；以及選擇是對第一電晶體及第二電晶體的閘極提供第一電位還是對第一電晶體及第二電晶體的閘極提供第三電位以及選擇是否對第一電晶體及第二電晶體的汲極端子提供第一電位的多個第三電晶體。其中，第一電晶體的源極端子與第二佈線連接，並且第二電晶體的源極端子與第三佈線連接。
简体摘要：本发明的目的是提供一种耗电量低且能够防止输出的电位的幅度变小的使用单极性晶体管的半导体设备。一种半导体设备，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；极性相同的第一晶体管及第二晶体管；以及选择是对第一晶体管及第二晶体管的闸极提供第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的闸极提供第三电位以及选择是否对第一晶体管及第二晶体管的汲极端子提供第一电位的多个第三晶体管。其中，第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。

7. 发明专利

TWI647517B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI647517B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106116726
申请日：2011-02-24
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：今藤敏和 , KONDO, TOSHIKAZU , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1362 , H01L29/786

8. 发明专利

TWI633377B 液晶顯示裝置和包括該液晶顯示裝置的電子裝置有权
简体标题：液晶显示设备和包括该液晶显示设备的电子设备
公开(公告)号：TWI633377B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106114988
申请日：2010-10-05
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36

9. 发明专利

TWI632397B 顯示裝置及該顯示裝置的驅動方法有权
简体标题：显示设备及该显示设备的驱动方法
公开(公告)号：TWI632397B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106104111
申请日：2012-07-12
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 原田光 , HARADA, HIKARU , 兼安誠 , KANEYASU, MAKOTO
IPC分类号： G02B27/22 , G02F1/133 , H01L27/32 , G09G3/34

10. 发明专利

TWI627629B 儲存裝置有权
简体标题：存储设备
公开(公告)号：TWI627629B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105110327
申请日：2011-09-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4193

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