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1. 发明专利

TW201843201A 半導體基板之清洗乾燥方法审中-公开
简体标题：半导体基板之清洗干燥方法
公开(公告)号：TW201843201A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113766
申请日：2018-04-24
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU , 永田岳志 , NAGATA, TAKESHI , 小林直貴 , KOBAYASHI, NAOKI , 郡大佑 , KORI, DAISUKE
IPC分类号： C08G4/00 , B08B3/08 , B08B5/00 , G03F7/40 , G03F7/42
摘要：本發明提供一種半導體基板之清洗乾燥方法，不使用特別的裝置，能夠抑制乾燥已清洗基板後之清洗液時發生之圖案之傾倒、崩塌、及圖案底部之樹脂之分解，並以良好效率將清洗液予以除去。一種半導體基板之清洗乾燥方法，其特徵為包括下列步驟： (I)以清洗液來清洗形成有圖案之半導體基板、 (II)使用含有具下列通式(1)表示之重複單元之樹脂(A)及溶劑之組成物來取代殘留於該基板上之清洗液，並將該經取代之組成物中之溶劑於未達該樹脂(A)之分解溫度之溫度予以加熱除去； (III)於保持該半導體基板於0℃以上且未達該樹脂(A)之分解溫度之溫度的狀態，將該樹脂(A)之分解溫度以上之溫度之氣體吹送到該樹脂(A)，藉此將該樹脂(A)從接觸該氣體之表面側予以分解除去。 [化1]
简体摘要：本发明提供一种半导体基板之清洗干燥方法，不使用特别的设备，能够抑制干燥已清洗基板后之清洗液时发生之图案之倾倒、崩塌、及图案底部之树脂之分解，并以良好效率将清洗液予以除去。一种半导体基板之清洗干燥方法，其特征为包括下列步骤： (I)以清洗液来清洗形成有图案之半导体基板、 (II)使用含有具下列通式(1)表示之重复单元之树脂(A)及溶剂之组成物来取代残留于该基板上之清洗液，并将该经取代之组成物中之溶剂于未达该树脂(A)之分解温度之温度予以加热除去； (III)于保持该半导体基板于0℃以上且未达该树脂(A)之分解温度之温度的状态，将该树脂(A)之分解温度以上之温度之气体吹送到该树脂(A)，借此将该树脂(A)从接触该气体之表面侧予以分解除去。 [化1]

2. 发明专利

TWI664201B 半導體基板之清洗乾燥方法有权
简体标题：半导体基板之清洗干燥方法
公开(公告)号：TWI664201B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107113766
申请日：2018-04-24
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU , 永田岳志 , NAGATA, TAKESHI , 小林直貴 , KOBAYASHI, NAOKI , 郡大佑 , KORI, DAISUKE
IPC分类号： C08G4/00 , B08B3/08 , B08B5/00 , G03F7/40 , G03F7/42

3. 发明专利

TWI700315B 有機膜形成用組成物、半導體裝置製造用基板、有機膜之形成方法及圖案形成方法有权
简体标题：有机膜形成用组成物、半导体设备制造用基板、有机膜之形成方法及图案形成方法
公开(公告)号：TWI700315B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107146705
申请日：2018-12-24
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 橘誠一郎 , TACHIBANA, SEIICHIRO , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE , 小林直貴 , KOBAYASHI, NAOKI , 野田和美 , NODA, KAZUMI
IPC分类号： C08G8/04 , C08G8/20 , C08G8/30 , C09D161/12 , C09D161/14 , C09D7/40 , H01L21/312 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027

4. 发明专利

TWI620028B 光阻下層膜形成用組成物及使用此組成物之圖案形成方法有权
简体标题：光阻下层膜形成用组成物及使用此组成物之图案形成方法
公开(公告)号：TWI620028B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105121837
申请日：2016-07-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 小林直貴 , KOBAYASHI, NAOKI
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/22 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/36 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144

5. 发明专利

TW201710795A 光阻下層膜形成用組成物及使用此組成物之圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成用组成物及使用此组成物之图案形成方法
公开(公告)号：TW201710795A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105121837
申请日：2016-07-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 小林直貴 , KOBAYASHI, NAOKI
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/22 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/36 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本發明提供一種光阻下層膜形成用組成物，能形成尤其作為3層光阻處理用下層膜能減少反射率、圖案彎曲耐性高，尤其可形成在比起60nm更細之高的高寬的線之蝕刻後不發生線之崩塌、扭曲之下層膜，並提供使用此組成物之圖案形成方法。一種光阻下層膜形成用組成物，含有：下列通式(1)表示之化合物及該化合物之縮合物中之任一者或兩者，以及有機溶劑。 [化1][化2]
简体摘要：本发明提供一种光阻下层膜形成用组成物，能形成尤其作为3层光阻处理用下层膜能减少反射率、图案弯曲耐性高，尤其可形成在比起60nm更细之高的高宽的线之蚀刻后不发生线之崩塌、扭曲之下层膜，并提供使用此组成物之图案形成方法。一种光阻下层膜形成用组成物，含有：下列通式(1)表示之化合物及该化合物之缩合物中之任一者或两者，以及有机溶剂。 [化1][化2]

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