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1. 发明专利

TW201812939A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201812939A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121511
申请日：2017-06-28
申请人：日商住友電木股份有限公司 , SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
发明人：篠裕樹 , SHINOZAKI, HIROKI , 森弘就 , MORI, HIRONARI , 光田昌也 , KODA, MASAYA
IPC分类号： H01L21/60 , H05K3/00
CPC分类号： H01L2224/18
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法依次包含：導體部形成步驟：在基板(10)上形成自基板(10)的表面起的高度相同的複數個導體部(40)；被覆步驟：在鄰接之導體部(40)的間隙中導入熱硬化性樹脂組成物(50)，以導體部(40)的頂部(92)露出之方式用熱硬化性樹脂組成物(50)的硬化物(60)覆蓋導體部(40)；及多層配線步驟：對硬化物(60)的表面不進行研磨，在硬化物(60)上形成與頂部(92)電連接之金屬圖案(160)。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法依次包含：导体部形成步骤：在基板(10)上形成自基板(10)的表面起的高度相同的复数个导体部(40)；被覆步骤：在邻接之导体部(40)的间隙中导入热硬化性树脂组成物(50)，以导体部(40)的顶部(92)露出之方式用热硬化性树脂组成物(50)的硬化物(60)覆盖导体部(40)；及多层配线步骤：对硬化物(60)的表面不进行研磨，在硬化物(60)上形成与顶部(92)电连接之金属图案(160)。

2. 发明专利

TW201827206A 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置审中-公开
简体标题：热硬化性树脂组成物、树脂密封基板及电子设备
公开(公告)号：TW201827206A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106129450
申请日：2017-08-30
申请人：日商住友電木股份有限公司 , SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
发明人：篠裕樹 , SHINOZAKI, HIROKI , 牧原康二 , MAKIHARA, KOJI
IPC分类号： B29C71/02 , H01L23/28
摘要：本發明的熱硬化性樹脂組成物用於樹脂密封基板的形成，其滿足以下的條件1。(條件1)藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對前述硬化物實施了第1熱處理(175℃、4小時)之前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S1(%)，進一步對前述硬化物以第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施處理時的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S4(%)時，滿足下式：。
简体摘要：本发明的热硬化性树脂组成物用于树脂密封基板的形成，其满足以下的条件1。(条件1)借由转注成形(175℃、120秒)获得前述热硬化性树脂组成物的硬化物之后，对前述硬化物实施了第1热处理(175℃、4小时)之前述硬化物相对于模具尺寸于25℃之收缩率设为S1(%)，进一步对前述硬化物以第2热处理(将达到190℃时的时间设为t1，并将从该190℃升温至233±3℃之后降温至190℃时的时间设为t2时，t2-t1满足100±50秒)、第3热处理(125℃、2小时)、第4热处理(175℃、6小时)的顺序实施处理时的前述硬化物相对于模具尺寸于25℃之收缩率设为S4(%)时，满足下式：。

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