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1. 发明专利

TW405152B 熔接劑供給方法失效
简体标题：熔接剂供给方法
公开(公告)号：TW405152B
公开(公告)日：2000-09-11
申请号：TW086112430
申请日：1997-08-30
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：下川健二 , 巽宏平 , 橋野英兒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K1/203 , H05K3/3489
摘要：本發明係提供在包含半導體晶片，以及印刷電路基板的電子零組件(l)之電極部(2)，得適正供給熔接劑(6)的熔接劑供給方法。本發明具有能將熔接劑(6)，以滴狀吐出之機構的吐出噴嘴(10)，而從吐出噴嘴(10)，將熔接劑(6)以滴狀噴射，並將所望量附著在電極部(2)之特徵。本發明所使用之裝置的吐出噴嘴(10)，係具有加振填充熔接劑(6)之一部份之同時，而連續噴流所吐出的連續加振裝置(23)，將所吐出的連續噴流分裂成一樣粒子列之分裂裝置(21)，以及使一樣粒子列帶電，而控制噴流方向之帶電裝置(22)，而將所望量的熔接劑(6)附著在電極部(2)。
简体摘要：本发明系提供在包含半导体芯片，以及印刷电路基板的电子零组件(l)之电极部(2)，得适正供给熔接剂(6)的熔接剂供给方法。本发明具有能将熔接剂(6)，以滴状吐出之机构的吐出喷嘴(10)，而从吐出喷嘴(10)，将熔接剂(6)以滴状喷射，并将所望量附着在电极部(2)之特征。本发明所使用之设备的吐出喷嘴(10)，系具有加振填充熔接剂(6)之一部份之同时，而连续喷流所吐出的连续加振设备(23)，将所吐出的连续喷流分裂成一样粒子列之分裂设备(21)，以及使一样粒子列带电，而控制喷流方向之带电设备(22)，而将所望量的熔接剂(6)附着在电极部(2)。

2. 发明专利

TW344092B 具有低熔點金屬隆起之半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：具有低熔点金属隆起之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW344092B
公开(公告)日：1998-11-01
申请号：TW086112308
申请日：1997-08-27
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：下川健二 , 巽宏平 , 橋野英兒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , Y10T29/49222 , H01L2924/00014 , H01L2924/01049 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05611 , H01L2224/05669 , H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體裝置，包含電極形成於半導體晶片上並隆起，此隆起視為一低熔點金屬球以球面形地形成並有一指定之大小，並係黏著的結合至電極。此電極係自銅或銅合金，鋁或鋁合金，金或金合金之電極材料製成。當此電極材料係包含鋁或鋁合金時，此電極在鋁或鋁合金之電極材料層含至少一層有一熔點高於電極材料之金屬或金屬合金（較適當者為選自鈦，鎢，鎳，鉻，金，鈀，銅，鉑，銀，錫，或鉛，或這些物質之合金）。此低熔點金屬球係適當地以熔劑黏著式地結合至電極。此低熔點金屬球黏著式地結合至各自之電極者亦可以在使用之前變軟回流以形成球面之隆起。
简体摘要：一种半导体设备，包含电极形成于半导体芯片上并隆起，此隆起视为一低熔点金属球以球面形地形成并有一指定之大小，并系黏着的结合至电极。此电极系自铜或铜合金，铝或铝合金，金或金合金之电极材料制成。当此电极材料系包含铝或铝合金时，此电极在铝或铝合金之电极材料层含至少一层有一熔点高于电极材料之金属或金属合金（较适当者为选自钛，钨，镍，铬，金，钯，铜，铂，银，锡，或铅，或这些物质之合金）。此低熔点金属球系适当地以熔剂黏着式地结合至电极。此低熔点金属球黏着式地结合至各自之电极者亦可以在使用之前变软回流以形成球面之隆起。

3. 发明专利

TW520542B 半導體元件及其製造方法失效
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW520542B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090127177
申请日：2001-11-01
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：寺島晉一 , 山本幸弘 , 宇野智裕 , 巽宏平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85909 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/20752 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/48657 , H01L2924/00012 , H01L2924/013
摘要：本發明提供一半導體元件，其係使用一接合線，用以連結半導體端子至一外部電路之連接端子，能避免接合線之短路，且接合連接處之強度及疲勞抗性優，以應付端子及連接材料尺寸之縮小，在該半導體元件中，接合線在接合作業之後，以一補強材料補強其部份或全部，且以接合材料接合至端子之連接球被覆以鍍層，本發明並提供一製造該半導體元件之方法。
简体摘要：本发明提供一半导体组件，其系使用一接合线，用以链接半导体端子至一外部电路之连接端子，能避免接合线之短路，且接合连接处之强度及疲劳抗性优，以应付端子及连接材料尺寸之缩小，在该半导体组件中，接合线在接合作业之后，以一补强材料补强其部份或全部，且以接合材料接合至端子之连接球被覆以镀层，本发明并提供一制造该半导体组件之方法。

4. 发明专利

TW339451B 電子零件用基板的局部鍍敷方法失效
简体标题：电子零件用基板的局部镀敷方法
公开(公告)号：TW339451B
公开(公告)日：1998-09-01
申请号：TW086112307
申请日：1997-08-27
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：下川健二 , 巽宏平 , 橋野英兒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L21/4821 , H01L21/4846 , H01L2924/0002 , Y10T29/49142 , Y10T29/49144 , H01L2924/00
摘要：本發明能簡單地選擇要實施鍍敷之特定部分，並能自由地，且高精度地控制鍍敷量。
於TAB帶(21)之小孔部(22)，配置結或接合微小金屬球(24)後，熔化該微小金屬球(24)，藉此，可以異種金屬選擇性地將露出於前述 TAB帶(21)之小孔部之銅配線塗敷，使電子零件用基板之特定部分容易，且可高精度地局部鍍敷。
简体摘要：本发明能简单地选择要实施镀敷之特定部分，并能自由地，且高精度地控制镀敷量。于TAB带(21)之小孔部(22)，配置结或接合微小金属球(24)后，熔化该微小金属球(24)，借此，可以异种金属选择性地将露出于前述 TAB带(21)之小孔部之铜配线涂敷，使电子零件用基板之特定部分容易，且可高精度地局部镀敷。

5. 发明专利

TW426747B 用於半導體裝置之金合金薄線圈失效
简体标题：用于半导体设备之金合金薄线圈
公开(公告)号：TW426747B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW087102040
申请日：1998-02-13
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：宇野智裕 , 巽宏平
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C5/02 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01105 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種半導體裝置用之金合金細導線，其可抑制加熱後腐蝕及其可改良長期可靠度，細導線部份黏合至鋁電極。
本發明之金合金細導線包括下列各組元素。
(l)金合金細導線含有0.005至0.3%重量比Mn及0.005至l.0%重量比Pd做為基本合金化成份。
(2)金合金細導線除前述基本合金化成份外，又含有總量O.Ol至l.O%重量比之至少一種選自Pt，Ag及Cu之元素。
(3)金合金細導線除(l)或(2)之成份外，又含有總量0.0005至0.05%重量比之至少一種選自Ca，Be，In及稀土元素之元素。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备用之金合金细导线，其可抑制加热后腐蚀及其可改良长期可靠度，细导线部份黏合至铝电极。本发明之金合金细导线包括下列各组元素。 (l)金合金细导线含有0.005至0.3%重量比Mn及0.005至l.0%重量比Pd做为基本合金化成份。 (2)金合金细导线除前述基本合金化成份外，又含有总量O.Ol至l.O%重量比之至少一种选自Pt，Ag及Cu之元素。 (3)金合金细导线除(l)或(2)之成份外，又含有总量0.0005至0.05%重量比之至少一种选自Ca，Be，In及稀土元素之元素。

6. 发明专利

TW380303B 供用於半導體裝置的黃金合金薄線失效
简体标题：供用于半导体设备的黄金合金薄线
公开(公告)号：TW380303B
公开(公告)日：2000-01-21
申请号：TW086110146
申请日：1997-07-17
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：宇野智裕 , 巽宏平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C22C5/02 , H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/3861 , H01L2924/3862 , H01L2924/01029 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00012
摘要：欲提供一種較佳用於高密度包裝半導體裝置之金合金薄線，其中於樹脂模塑時線變形減少而成功地達成接線節距及線直徑縮小，根據本發明之金合金薄線包括0.015至1.0 wt％Cu，0.0002至0.02wt％Ca，及差額包括Au及無法避免的雜質。較佳，Cu含量為0.1至1.0Wt％及Ca含量為0.001至0.02wt％，更佳Cu及Ca之存在重量比Cu／Ca為40至800。金合金薄線又較佳含有一種或多種Pt，Pd及In，總量為0.01至3.0wt％及／或一種或多種Y，La及Ce其總量為0.0003至0.03wt％。
简体摘要：欲提供一种较佳用于高密度包装半导体设备之金合金薄线，其中于树脂模塑时线变形减少而成功地达成接线节距及线直径缩小，根据本发明之金合金薄线包括0.015至1.0 wt％Cu，0.0002至0.02wt％Ca，及差额包括Au及无法避免的杂质。较佳，Cu含量为0.1至1.0Wt％及Ca含量为0.001至0.02wt％，更佳Cu及Ca之存在重量比Cu／Ca为40至800。金合金薄线又较佳含有一种或多种Pt，Pd及In，总量为0.01至3.0wt％及／或一种或多种Y，La及Ce其总量为0.0003至0.03wt％。

7. 发明专利

TW379254B 金合金薄線及金合金突塊失效
简体标题：金合金薄线及金合金突块
公开(公告)号：TW379254B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW085103401
申请日：1996-03-21
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：巽宏平 , 宇野智裕
IPC分类号： C22C
CPC分类号： H01L2224/13144 , H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48511 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/01049 , H01L2924/00013 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00012
摘要：為提供一金合金薄線及由其形成之金合金突塊，該突塊當於球焊後線斷裂時可穩定得到一短頸長度，該金合金薄線包含0.2至5000重量ppm之Si，及餘量為金與不可避免之不純物，除Si外，該線可進一步包含總量在0.2至300重量ppm之至少一擇自Ca、Be、La及Ce所組成之第一族元素，或總量在l至500重量ppm之至少一擇自Y、Sc、Sr、Ga、 Ge及In所組成之第二族元素，或總量在2至l0000重量PPm之至少一擇自Cu、Pd、Pt、Al及Mn所組成之第三族元素。
简体摘要：为提供一金合金薄线及由其形成之金合金突块，该突块当于球焊后线断裂时可稳定得到一短颈长度，该金合金薄线包含0.2至5000重量ppm之Si，及余量为金与不可避免之不纯物，除Si外，该线可进一步包含总量在0.2至300重量ppm之至少一择自Ca、Be、La及Ce所组成之第一族元素，或总量在l至500重量ppm之至少一择自Y、Sc、Sr、Ga、 Ge及In所组成之第二族元素，或总量在2至l0000重量PPm之至少一择自Cu、Pd、Pt、Al及Mn所组成之第三族元素。

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