专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI451469B 冷陰極螢光管用電極及使用該電極的冷陰極螢光管失效
简体标题：冷阴极萤光管用电极及使用该电极的冷阴极萤光管
公开(公告)号：TWI451469B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW098131100
申请日：2009-09-15
申请人：斯坦雷電氣股份有限公司 , STANLEY ELECTRIC CO., LTD. , 日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：佐野寬幸 , SANO, HIROYUKI , 山本晉司 , YAMAMOTO, SHINJI , 村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： H01J61/04

2. 发明专利

TW201437405A 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材审中-公开
简体标题：电子零件用积层配线膜及被覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TW201437405A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103110584
申请日：2014-03-21
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14
摘要：本發明提供一種使用包含鉬合金的被覆層的電子零件用積層配線膜及為了形成被覆層的濺鍍靶材，改善了耐濕性與耐氧化性，且與低電阻的主導電層的鋁進行積層時，即使經過加熱步驟也能維持低的電阻值。在基板上形成金屬膜之電子零件用積層配線膜中，包含主成分為鋁的主導電層與覆蓋該主導電層至少一面的被覆層，該被覆層於原子比的組成式以Mo100-x-y-Nix-Nby、10≦x≦30、3≦y≦15表示，剩餘部分由不可避免的不純物組成的電子零件用積層配線膜，以及於原子比的組成式以Mo100-x-y-Nix-Nby、10≦x≦30、3≦y≦15表示，剩餘部分由不可避免的不純物組成的被覆層形用濺鍍靶材。
简体摘要：本发明提供一种使用包含钼合金的被覆层的电子零件用积层配线膜及为了形成被覆层的溅镀靶材，改善了耐湿性与耐氧化性，且与低电阻的主导电层的铝进行积层时，即使经过加热步骤也能维持低的电阻值。在基板上形成金属膜之电子零件用积层配线膜中，包含主成分为铝的主导电层与覆盖该主导电层至少一面的被覆层，该被覆层于原子比的组成式以Mo100-x-y-Nix-Nby、10≦x≦30、3≦y≦15表示，剩余部分由不可避免的不纯物组成的电子零件用积层配线膜，以及于原子比的组成式以Mo100-x-y-Nix-Nby、10≦x≦30、3≦y≦15表示，剩余部分由不可避免的不纯物组成的被覆层形用溅镀靶材。

3. 发明专利

TW201706432A 電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材审中-公开
简体标题：电子零件用积层配线膜及披覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TW201706432A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105105341
申请日：2016-02-24
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768
摘要：本發明提供一種將低電阻的Ag或Cu作為導電層，具有可確保密接性、耐候性、耐氧化性，並且可穩定地進行高精度的濕式蝕刻的新型的披覆層的電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材。可藉由如下的電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材來形成，所述電子零件用積層配線膜包括包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層與覆蓋該導電層的至少一面的披覆層，所述披覆層含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的該Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，所述披覆層形成用濺鍍靶材的所述披覆層含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的該Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，居里點為常溫以下。
简体摘要：本发明提供一种将低电阻的Ag或Cu作为导电层，具有可确保密接性、耐候性、耐氧化性，并且可稳定地进行高精度的湿式蚀刻的新型的披覆层的电子零件用积层配线膜及披覆层形成用溅镀靶材。可借由如下的电子零件用积层配线膜及披覆层形成用溅镀靶材来形成，所述电子零件用积层配线膜包括包含选自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一种的导电层与覆盖该导电层的至少一面的披覆层，所述披覆层含有5原子%～50原子%的Mo，且合计含有60原子%以下的该Mo与Cu，剩余部分包含Ni及不可避免的杂质，所述披覆层形成用溅镀靶材的所述披覆层含有5原子%～50原子%的Mo，且合计含有60原子%以下的该Mo与Cu，剩余部分包含Ni及不可避免的杂质，居里点为常温以下。

4. 发明专利

TWI553136B 積層配線膜及其製造方法以及鎳合金濺鍍靶材有权
简体标题：积层配线膜及其制造方法以及镍合金溅镀靶材
公开(公告)号：TWI553136B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103130919
申请日：2014-09-09
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , H05K1/09 , H01L21/306

5. 发明专利

TWI493624B 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材有权
简体标题：电子零件用积层配线膜及被覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TWI493624B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101129421
申请日：2012-08-14
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14

6. 发明专利

TW201441400A 電子零件用金屬薄膜及金屬薄膜形成用Ｍｏ合金濺鍍靶材审中-公开
简体标题：电子零件用金属薄膜及金属薄膜形成用Ｍｏ合金溅镀靶材
公开(公告)号：TW201441400A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103107788
申请日：2014-03-07
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/34
摘要：一種電子零件用金屬薄膜及用以形成其的Mo合金濺鍍靶材，其中該金屬薄膜改善耐濕性或耐氧化性，在與作為低電阻的主導電膜的Al或Cu積層時，即便經過加熱步驟亦可維持低電阻值。該電子零件用金屬薄膜的原子比組成式由Mo100-x-y-Nix-Wy、10≦x≦50、10≦y≦40、x+y≦65表示，剩餘部分包含不可避免的雜質，且金屬薄膜形成用Mo合金濺鍍靶材的原子比組成式由Mo100-x-y-Nix-Wy、10≦x≦50、10≦y≦40、x+y≦65表示，剩餘部分包含不可避免的雜質。
简体摘要：一种电子零件用金属薄膜及用以形成其的Mo合金溅镀靶材，其中该金属薄膜改善耐湿性或耐氧化性，在与作为低电阻的主导电膜的Al或Cu积层时，即便经过加热步骤亦可维持低电阻值。该电子零件用金属薄膜的原子比组成式由Mo100-x-y-Nix-Wy、10≦x≦50、10≦y≦40、x+y≦65表示，剩余部分包含不可避免的杂质，且金属薄膜形成用Mo合金溅镀靶材的原子比组成式由Mo100-x-y-Nix-Wy、10≦x≦50、10≦y≦40、x+y≦65表示，剩余部分包含不可避免的杂质。

7. 发明专利

TWI583801B 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材有权
简体标题：电子零件用积层配线膜及被覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TWI583801B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105104218
申请日：2016-02-15
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C22C19/03 , H01B1/02 , H01B5/14 , H05K1/09 , C23C14/14 , C23C14/34

8. 发明专利

TWI576454B 電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材有权
简体标题：电子零件用积层配线膜及披覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TWI576454B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105105341
申请日：2016-02-24
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768

9. 发明专利

TWI548765B 鉬合金濺鍍靶材的製造方法及鉬合金濺鍍靶材有权
简体标题：钼合金溅镀靶材的制造方法及钼合金溅镀靶材
公开(公告)号：TWI548765B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103104648
申请日：2014-02-13
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO , 上灘真史 , KAMINADA, MASASHI , 井上惠介 , INOUE, KEISUKE
IPC分类号： C23C14/34

10. 发明专利

TWI504772B 銅-錳合金膜及銅-錳合金濺鍍靶材及銅-錳合金膜的成膜方法有权
简体标题：铜-锰合金膜及铜-锰合金溅镀靶材及铜-锰合金膜的成膜方法
公开(公告)号：TWI504772B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW103116460
申请日：2014-05-09
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO , 上灘真史 , KAMINADA, MASASHI , 佐藤達也 , SATOH, TATSUYA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式