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1. 发明专利

TWI612572B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI612572B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103111695
申请日：2014-03-28
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 泉本賢治 , IZUMOTO, KENJI , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA , 三浦丈苗 , MIURA, TAKEMITSU , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68792

2. 发明专利

TWI590321B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI590321B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW103104858
申请日：2014-02-14
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：泉本賢治 , IZUMOTO, KENJI , 三浦丈苗 , MIURA, TAKEMITSU , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/02052 , H01L21/30604 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/68792

3. 发明专利

TWI569321B 基板處理方法有权
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI569321B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104126260
申请日：2015-08-12
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/67028

4. 发明专利

TW201539570A 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及使用基板处理设备之基板处理方法
公开(公告)号：TW201539570A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108056
申请日：2015-03-13
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE , 山田邦夫 , YAMADA, KUNIO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/0206 , H01L21/31111 , H01L21/6708
摘要：本發明之基板處理裝置係具備處理部、第1槽、第2槽、第3槽及處理液噴嘴。並行地進行由第1槽對處理部供給磷酸水溶液之供給動作、及由處理部對第2槽或第3槽的液回收。藉由供給動作，由第1槽對處理液噴嘴供給磷酸水溶液。藉由回收動作，由處理部將磷酸水溶液回收至第2槽或第3槽。又，藉由矽濃度調整，調整第3槽或第2槽內之矽濃度。矽濃度調整完成後，將經調整之處理液經由第1槽供給至處理部。藉由對處理部供給磷酸水溶液，在由旋轉夾具所保持之基板上供給磷酸水溶液，於基板上形成液膜。藉加熱裝置對基板上之液膜進行加熱。加熱裝置係具有在石英玻璃製之殼體內設有第1至第4燈加熱器的構成。使由第1至第4燈加熱器所產生之紅外線穿透殼體底部並照射至基板上之磷酸水溶液。底部係由第1板狀構件與設於第1板狀構件下方之第2板狀構件所構成。於第1板狀構件與第2板狀構件之間的氣體通路供給氮氣。於氣體通路流通之氮氣係由排出開口朝基板外周部之外方被排出。
简体摘要：本发明之基板处理设备系具备处理部、第1槽、第2槽、第3槽及处理液喷嘴。并行地进行由第1槽对处理部供给磷酸水溶液之供给动作、及由处理部对第2槽或第3槽的液回收。借由供给动作，由第1槽对处理液喷嘴供给磷酸水溶液。借由回收动作，由处理部将磷酸水溶液回收至第2槽或第3槽。又，借由硅浓度调整，调整第3槽或第2槽内之硅浓度。硅浓度调整完成后，将经调整之处理液经由第1槽供给至处理部。借由对处理部供给磷酸水溶液，在由旋转夹具所保持之基板上供给磷酸水溶液，于基板上形成液膜。藉加热设备对基板上之液膜进行加热。加热设备系具有在石英玻璃制之壳体内设有第1至第4灯加热器的构成。使由第1至第4灯加热器所产生之红外线穿透壳体底部并照射至基板上之磷酸水溶液。底部系由第1板状构件与设于第1板状构件下方之第2板状构件所构成。于第1板状构件与第2板状构件之间的气体通路供给氮气。于气体通路流通之氮气系由排出开口朝基板外周部之外方被排出。

5. 发明专利

TWI578396B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI578396B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103142577
申请日：2014-12-08
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/31111 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L29/6653

6. 发明专利

TW201614724A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201614724A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104126260
申请日：2015-08-12
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/67028
摘要：基板處理方法係包含有：磷酸處理步驟，係將含有矽且矽濃度未滿飽和濃度之磷酸水溶液供給至基板的表面；液量減少步驟，係在磷酸處理步驟後，使基板上的磷酸水溶液的量減少；以及清洗置換步驟，係於液量減少步驟後，將比在磷酸處理步驟中供給至基板的表面的磷酸水溶液還低溫的清洗液供給至至少局部被磷酸水溶液覆蓋的基板的表面。
简体摘要：基板处理方法系包含有：磷酸处理步骤，系将含有硅且硅浓度未满饱和浓度之磷酸水溶液供给至基板的表面；液量减少步骤，系在磷酸处理步骤后，使基板上的磷酸水溶液的量减少；以及清洗置换步骤，系于液量减少步骤后，将比在磷酸处理步骤中供给至基板的表面的磷酸水溶液还低温的清洗液供给至至少局部被磷酸水溶液覆盖的基板的表面。

7. 发明专利

TW201532145A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201532145A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103142577
申请日：2014-12-08
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/31111 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L29/6653
摘要：本發明之基板處理方法係為用於自在表面上形成有第1氮化矽膜且在上述第1氮化矽膜上積層有氧化矽膜之基板，將上述第1氮化矽膜及上述氧化矽膜加以去除者，且包含有：第1磷酸處理步驟，其用於去除上述第1氮化矽膜，而對藉由基板保持單元所保持之上述基板，供給既定之第1濃度之磷酸水溶液，利用該磷酸水溶液對上述基板進行處理；及第2磷酸處理步驟，其在上述第1磷酸處理步驟之後，用於去除上述氧化矽膜，而對上述基板供給較上述第1濃度為低之第2濃度之磷酸水溶液，利用該磷酸水溶液對上述基板進行處理。
简体摘要：本发明之基板处理方法系为用于自在表面上形成有第1氮化硅膜且在上述第1氮化硅膜上积层有氧化硅膜之基板，将上述第1氮化硅膜及上述氧化硅膜加以去除者，且包含有：第1磷酸处理步骤，其用于去除上述第1氮化硅膜，而对借由基板保持单元所保持之上述基板，供给既定之第1浓度之磷酸水溶液，利用该磷酸水溶液对上述基板进行处理；及第2磷酸处理步骤，其在上述第1磷酸处理步骤之后，用于去除上述氧化硅膜，而对上述基板供给较上述第1浓度为低之第2浓度之磷酸水溶液，利用该磷酸水溶液对上述基板进行处理。

8. 发明专利

TWI630652B 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及使用基板处理设备之基板处理方法
公开(公告)号：TWI630652B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW104108056
申请日：2015-03-13
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE , 山田邦夫 , YAMADA, KUNIO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67

9. 发明专利

TWI602254B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI602254B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW104124262
申请日：2015-07-27
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE , 難波敏光 , NAMBA, TOSHIMITSU , 上廣泰克 , KAMIHIRO, YASUKATSU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311 , C11D11/00
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/67017 , H01L21/6708

10. 发明专利

TW201724249A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201724249A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW106105578
申请日：2014-02-14
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：泉本賢治 , IZUMOTO, KENJI , 三浦丈苗 , MIURA, TAKEMITSU , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/02052 , H01L21/30604 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/68792
摘要：本發明係於基板處理裝置(1)中，藉由環狀之基板支撐部(141)而自下側將呈水平狀態之基板(9)之外緣部加以支撐，且在基板支撐部(141)之內側，設置具有與基板(9)之下表面(92)呈對向之對向面(211a)之下表面對向部(211)。在下表面對向部(211)，設置有朝向基板(9)之下表面(92)噴出經加熱之氣體之氣體噴出噴嘴(180)，且在藉由自上部噴嘴(181)所吐出之處理液而對旋轉之基板(9)的上表面(91)進行處理時，藉由經加熱之氣體而加熱基板(9)。又，於下表面對向部(211)設置下部噴嘴(182)，藉此能夠對基板(9)之下表面(92)進行藉由處理液之處理。藉由氣體噴出噴嘴(180)突出自對向面(211a)，而在該處理之時，抑制該處理液流入至氣體噴出噴嘴(180)。
简体摘要：本发明系于基板处理设备(1)中，借由环状之基板支撑部(141)而自下侧将呈水平状态之基板(9)之外缘部加以支撑，且在基板支撑部(141)之内侧，设置具有与基板(9)之下表面(92)呈对向之对向面(211a)之下表面对向部(211)。在下表面对向部(211)，设置有朝向基板(9)之下表面(92)喷出经加热之气体之气体喷出喷嘴(180)，且在借由自上部喷嘴(181)所吐出之处理液而对旋转之基板(9)的上表面(91)进行处理时，借由经加热之气体而加热基板(9)。又，于下表面对向部(211)设置下部喷嘴(182)，借此能够对基板(9)之下表面(92)进行借由处理液之处理。借由气体喷出喷嘴(180)突出自对向面(211a)，而在该处理之时，抑制该处理液流入至气体喷出喷嘴(180)。

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