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1. 发明专利

TW202014554A 用於電漿增強化學氣相沉積期間之厚度測量的現地量測方法审中-公开
简体标题：用于等离子增强化学气相沉积期间之厚度测量的现地量测方法
公开(公告)号：TW202014554A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108135467
申请日：2016-06-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：保羅寇康C , PAUL, KHOKAN C. , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y.
IPC分类号： C23C16/52 , G01N21/84 , G01B11/06
摘要：本發明實施例係關於用於形成均勻厚度膜至基板上的設備和方法。本發明實施例無需事先知道基板表面性質，即可測量待沉積至基板的膜厚或其他性質。本發明實施例可用於測量複數個形成層的厚度或其他性質。例如，本發明實施例可用於測量垂直記憶體堆疊的厚度。
简体摘要：本发明实施例系关于用于形成均匀厚度膜至基板上的设备和方法。本发明实施例无需事先知道基板表面性质，即可测量待沉积至基板的膜厚或其他性质。本发明实施例可用于测量复数个形成层的厚度或其他性质。例如，本发明实施例可用于测量垂直内存堆栈的厚度。

2. 发明专利

TWI677038B 用於減少半導體結構中由輻射引起的變化的方法和裝置有权
简体标题：用于减少半导体结构中由辐射引起的变化的方法和设备
公开(公告)号：TWI677038B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105105898
申请日：2016-02-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪可森蓋瑞E , DICKERSON, GARY E. , 林聖強(維特) , LIM, SENG KEONG (VICTOR) , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 柯克格雷戈里 , KIRK, GREGORY , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： H01L21/66 , G01T1/167 , H01L21/027 , G03F7/20

3. 发明专利

TW201907151A 彈性模式掃描光學顯微術及檢驗系統审中-公开
简体标题：弹性模式扫描光学显微术及检验系统
公开(公告)号：TW201907151A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116014
申请日：2018-05-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 畢夏拉瓦希布 , BISHARA, WAHEB , 吳棟 , WU, DONG , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/47 , G02B21/08
摘要：一種用於彈性檢驗一試樣的方法包括以下步驟：使用一射束源形成一輸入射束；使用一輸入遮罩來阻擋該輸入射束的一部分；及從該輸入射束的一部分形成一定形射束。在一物鏡的一第一部分處接收該定形射束及將該定形射束聚焦到一試樣上。在該物鏡的一第二部分處收集一反射射束。在該物鏡的該第一部分及該第二部分處及在該物鏡的一第三部分處收集散射光。在一暗視野偵測器模組處接收該散射光，且將該散射光的一部分引導到一暗視野偵測器。該暗視野偵測器模組包括具有一或更多個輸出孔的一輸出遮罩，該一或更多個輸出孔允許該散射光穿過該物鏡的該第三部分的至少一部分穿過而作為該散射光被引導到該暗視野偵測器的該部分。
简体摘要：一种用于弹性检验一试样的方法包括以下步骤：使用一射束源形成一输入射束；使用一输入遮罩来阻挡该输入射束的一部分；及从该输入射束的一部分形成一定形射束。在一物镜的一第一部分处接收该定形射束及将该定形射束聚焦到一试样上。在该物镜的一第二部分处收集一反射射束。在该物镜的该第一部分及该第二部分处及在该物镜的一第三部分处收集散射光。在一暗视野侦测器模块处接收该散射光，且将该散射光的一部分引导到一暗视野侦测器。该暗视野侦测器模块包括具有一或更多个输出孔的一输出遮罩，该一或更多个输出孔允许该散射光穿过该物镜的该第三部分的至少一部分穿过而作为该散射光被引导到该暗视野侦测器的该部分。

4. 发明专利

TW201702426A 用於電漿增強化學氣相沉積期間之厚度測量的現地量測方法审中-公开
简体标题：用于等离子增强化学气相沉积期间之厚度测量的现地量测方法
公开(公告)号：TW201702426A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105118873
申请日：2016-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：保羅寇康C , PAUL, KHOKAN C. , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y.
IPC分类号： C23C16/52 , G01B11/06 , G01N21/84
CPC分类号： G01B11/0616 , C23C16/509 , C23C16/52 , G01B7/085 , H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/30
摘要：本發明實施例係關於用於形成均勻厚度膜至基板上的設備和方法。本發明實施例無需事先知道基板表面性質，即可測量待沉積至基板的膜厚或其他性質。本發明實施例可用於測量複數個形成層的厚度或其他性質。例如，本發明實施例可用於測量垂直記憶體堆疊的厚度。
简体摘要：本发明实施例系关于用于形成均匀厚度膜至基板上的设备和方法。本发明实施例无需事先知道基板表面性质，即可测量待沉积至基板的膜厚或其他性质。本发明实施例可用于测量复数个形成层的厚度或其他性质。例如，本发明实施例可用于测量垂直内存堆栈的厚度。

5. 发明专利

TW201633374A 用於沈積之監控系統與其中之操作之方法审中-公开
简体标题：用于沉积之监控系统与其中之操作之方法
公开(公告)号：TW201633374A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104142755
申请日：2015-12-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布迪亞多愛德華W , BUDIARTO, EDWARD W. , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A. , 霍夫曼拉夫 , HOFMANN, RALF , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F1/22 , G03F1/24 , H01L21/02631 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/2855 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：一種監控與沈積控制系統以及其操作方法係包含：一沈積室，用於在一基材上沈積一材料層；一感測器陣列，用於在沈積期間監控在該材料層層厚度改變的材料層沈積情形；及一處理單元，用於根據在沈積期間該層厚度的改變調整沈積參數。
简体摘要：一种监控与沉积控制系统以及其操作方法系包含：一沉积室，用于在一基材上沉积一材料层；一传感器数组，用于在沉积期间监控在该材料层层厚度改变的材料层沉积情形；及一处理单元，用于根据在沉积期间该层厚度的改变调整沉积参数。

6. 发明专利

TWI676707B 用於電漿增強化學氣相沉積期間之厚度測量的現地量測方法有权
简体标题：用于等离子增强化学气相沉积期间之厚度测量的现地量测方法
公开(公告)号：TWI676707B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105118873
申请日：2016-06-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：保羅寇康C , PAUL, KHOKAN C. , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y.
IPC分类号： C23C16/52 , G01B11/06 , G01N21/84

7. 发明专利

TW201801215A 用於半導體基板局部應力及疊置校正的整合式度量衡及處理系統审中-公开
简体标题：用于半导体基板局部应力及叠置校正的集成式度量衡及处理系统
公开(公告)号：TW201801215A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106108458
申请日：2017-03-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 邦加曼格許 , BANGAR, MANGESH , 力可班尼康森塔 , RICCOBENE, CONCETTA , 克哈嘉艾比杜亞西斯 , KHAJA, ABDUL AZIZ , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 康席恩S , KANG, SEAN S.
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/67259 , H01L21/265 , H01L21/67167 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67288 , H01L22/20
摘要：本揭示案的實施例提供一種整合式系統，用於在一單一處理系統中在一半導體基板上執行一量測程序及一平版印刷疊置誤差校正程序。在一個實施例中，一處理系統包括至少一裝載閘腔室、耦合至該裝載閘腔室的一傳輸腔室、耦合至該傳輸腔室或在該傳輸腔室中的一離子植入處理腔室及耦合至該傳輸腔室的一度量衡工具，其中該度量衡工具被調適為獲取安置在該度量衡工具中之一基板上的應力剖線或一疊置誤差。
简体摘要：本揭示案的实施例提供一种集成式系统，用于在一单一处理系统中在一半导体基板上运行一量测进程及一平版印刷叠置误差校正进程。在一个实施例中，一处理系统包括至少一装载闸腔室、耦合至该装载闸腔室的一传输腔室、耦合至该传输腔室或在该传输腔室中的一离子植入处理腔室及耦合至该传输腔室的一度量衡工具，其中该度量衡工具被调适为获取安置在该度量衡工具中之一基板上的应力剖线或一叠置误差。

8. 发明专利

TW201705327A 用於減少半導體結構中由輻射引起的變化的方法和裝置审中-公开
简体标题：用于减少半导体结构中由辐射引起的变化的方法和设备
公开(公告)号：TW201705327A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105105898
申请日：2016-02-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪可森蓋瑞E , DICKERSON, GARY E. , 林聖強(維特) , LIM, SENG KEONG (VICTOR) , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 柯克格雷戈里 , KIRK, GREGORY , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： H01L21/66 , G01T1/167 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/0273 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , H01L21/6831 , H01L22/12
摘要：本揭示案的實施例相關於：藉由在積體電路(IC)形成處理序列的一個或更多個部分期間控制IC設備的環繞環境及溫度，在IC形成處理序列內取得的一個或更多個操作期間，用於減少在IC設備之部分曝露於多種形式的輻射的不利效應之裝置及方法。所提供的能量可包含在沉積、蝕刻、檢查、或後處理處理操作期間輸送輻射至形成或部分形成IC設備的表面。在本揭示案的一些實施例中，在IC形成處理序列的一個或更多個部分期間，基板(IC設備形成於該基板上)溫度被控制成低於室溫(例如，小於20攝氏度)的一溫度。
简体摘要：本揭示案的实施例相关于：借由在集成电路(IC)形成处理串行的一个或更多个部分期间控制IC设备的环绕环境及温度，在IC形成处理串行内取得的一个或更多个操作期间，用于减少在IC设备之部分曝露于多种形式的辐射的不利效应之设备及方法。所提供的能量可包含在沉积、蚀刻、检查、或后处理处理操作期间输送辐射至形成或部分形成IC设备的表面。在本揭示案的一些实施例中，在IC形成处理串行的一个或更多个部分期间，基板(IC设备形成于该基板上)温度被控制成低于室温(例如，小于20摄氏度)的一温度。

9. 发明专利

TWI686845B 用於沈積之監控系統與其中之操作之方法有权
简体标题：用于沉积之监控系统与其中之操作之方法
公开(公告)号：TWI686845B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104142755
申请日：2015-12-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布迪亞多愛德華W , BUDIARTO, EDWARD W. , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A. , 霍夫曼拉夫 , HOFMANN, RALF , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66

10. 发明专利

TWI673580B 用於四分之一波長分光的影像投射系統及方法有权
简体标题：用于四分之一波长分光的影像投射系统及方法
公开(公告)号：TWI673580B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW105121377
申请日：2016-07-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 強生喬瑟夫R , JOHNSON, JOSEPH R. , 馬可迪夫 , MARKLE, DAVE , 費茲艾拉凡尼梅迪 , VAEZ-IRAVANI, MEHDI
IPC分类号： G03H1/04 , G02B5/30 , G03F7/20

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