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1. 发明专利

TWI520268B 高溫鎢金屬化製程有权
简体标题：高温钨金属化制程
公开(公告)号：TWI520268B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101139836
申请日：2012-10-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克林喬許華 , COLLINS, JOSHUA , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K. , 劉菁菁 , LIU, JINGJING , 李相協 , LEE, SANG-HYEOB , 吳凱 , WU, KAI , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V.
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76876 , H01L21/743 , H01L21/76814 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , H01L23/53266 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201330174A 高溫鎢金屬化製程审中-公开
简体标题：高温钨金属化制程
公开(公告)号：TW201330174A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101139836
申请日：2012-10-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克林喬許華 , COLLINS, JOSHUA , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K. , 劉菁菁 , LIU, JINGJING , 李相協 , LEE, SANG-HYEOB , 吳凱 , WU, KAI , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V.
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76876 , H01L21/743 , H01L21/76814 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , H01L23/53266 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明實施例提供一種沉積含鎢材料的改良製程。在一實施例中，在基板上形成含鎢材料的方法包含在設置在基板上的介電層上形成含氮化鈦的黏著層，在該黏著層上形成氮化鎢中間層，其中該氮化鎢中間層包含氮化鎢與碳。該方法更包含在熱退火製程期間(例如，溫度從約700℃至低於1000℃)利用熱分解從該氮化鎢中間層形成鎢阻障層(例如，鎢或鎢-碳材料)。接著，該方法包含選擇性地在該鎢阻障層上形成成核層，在浸洗製程期間選擇性地將該鎢阻障層及/或該成核層暴露在還原劑中，以及在該鎢阻障層及/或該成核層上或上方形成鎢塊層。
简体摘要：本发明实施例提供一种沉积含钨材料的改良制程。在一实施例中，在基板上形成含钨材料的方法包含在设置在基板上的介电层上形成含氮化钛的黏着层，在该黏着层上形成氮化钨中间层，其中该氮化钨中间层包含氮化钨与碳。该方法更包含在热退火制程期间(例如，温度从约700℃至低于1000℃)利用热分解从该氮化钨中间层形成钨阻障层(例如，钨或钨-碳材料)。接着，该方法包含选择性地在该钨阻障层上形成成核层，在浸洗制程期间选择性地将该钨阻障层及/或该成核层暴露在还原剂中，以及在该钨阻障层及/或该成核层上或上方形成钨块层。

3. 发明专利

TWI478225B 觸點清潔之方法有权
简体标题：触点清洁之方法
公开(公告)号：TWI478225B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101107205
申请日：2012-03-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張鎂 , CHANG, MEI , 善林 , THANH, LINH , 鄭寶 , ZHENG, BO , 桑達羅傑艾文德 , SUNDARRAJAN, ARVIND , 福斯特約翰C , FORSTER, JOHN C. , 奇歐客烏米許M , KELLKAR, UMESH M. , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K.
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76829

4. 发明专利

TWI467067B 改善間隙填充窗的銅表面電漿處理方法有权
简体标题：改善间隙填充窗的铜表面等离子处理方法
公开(公告)号：TWI467067B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098101438
申请日：2009-01-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅騫 , LUO, QIAN , 艾文德桑德拉傑恩 , ARVIND SUNDARRAJAN , 仲華 , CHUNG, HUA , 唐先敏 , TANG, XIANMIN , 虞哲民 , YU, JICK M. , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K.
IPC分类号： C25D7/12 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76873 , C25D5/02 , C25D21/12 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76877

5. 发明专利

TW201430925A 利用原子氫清潔基板結構的方法與設備审中-公开
简体标题：利用原子氢清洁基板结构的方法与设备
公开(公告)号：TW201430925A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102147206
申请日：2013-12-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正元 , PARK, JEONGWON , 庫茲喬伊格里非斯 , CRUZ, JOE GRIFFITH , 那瓦卡普萊文K , NARWANKAR, PRAVIN K. , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K. , 鄭寶 , ZHENG, BO
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02057 , G03F1/82 , H01L21/67028
摘要：本文提供清潔基板結構的方法與設備。在一些實施例中，清潔基板結構的方法可包括提供含氫氣體至具有複數個絲極的處理腔室，將電流流過複數個絲極以將該複數個絲極的溫度提高至足以分解至少一部分含氫氣體的第一溫度，以及藉由將基板的結構暴露至含氫氣體分解所形成的氫原子來清潔基板的結構。
简体摘要：本文提供清洁基板结构的方法与设备。在一些实施例中，清洁基板结构的方法可包括提供含氢气体至具有复数个丝极的处理腔室，将电流流过复数个丝极以将该复数个丝极的温度提高至足以分解至少一部分含氢气体的第一温度，以及借由将基板的结构暴露至含氢气体分解所形成的氢原子来清洁基板的结构。

6. 发明专利

TW201423829A 用於提供電漿至處理腔室的裝置审中-公开
简体标题：用于提供等离子至处理腔室的设备
公开(公告)号：TW201423829A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102143113
申请日：2013-11-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：高建德 , KAO, CHIEN-TEH , 林偉雄 , LAM, HYMAN W. H. , 丹尼尼可拉斯R , DENNY, NICHOLAS R. , 柯傳偉 , OR, DAVID T. , 張鎂 , CHANG, MEI , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32532
摘要：茲供用於提供電漿至處理腔室之裝置的實施例。在一些實施例中，一裝置可包含：一第一接地板材；一電極，該電極設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材間隔第一電性絕緣體以定義出介於該第一接地板材與該電極之間之一第一間隙；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該電極下方且與該電極間隔第二電性絕緣體以定義出介於該電極與該第二接地板材之間之一第二間隙；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口提供一處理氣體至該第一間隙；複數個通孔，該等通孔設置成通過該電極且將該第一間隙耦接至該第二間隙；以及複數個第一氣體出氣口孔洞，該等第一氣體出氣口孔洞設置成通過該第二接地板材而將該第二間隙流體性地耦接至該第二板材下方的一區域。
简体摘要：兹供用于提供等离子至处理腔室之设备的实施例。在一些实施例中，一设备可包含：一第一接地板材；一电极，该电极设置于该第一接地板材下方且与该第一接地板材间隔第一电性绝缘体以定义出介于该第一接地板材与该电极之间之一第一间隙；一第二接地板材，该第二接地板材设置于该电极下方且与该电极间隔第二电性绝缘体以定义出介于该电极与该第二接地板材之间之一第二间隙；一第一气体进气口，该第一气体进气口提供一处理气体至该第一间隙；复数个通孔，该等通孔设置成通过该电极且将该第一间隙耦接至该第二间隙；以及复数个第一气体出气口孔洞，该等第一气体出气口孔洞设置成通过该第二接地板材而将该第二间隙流体性地耦接至该第二板材下方的一区域。

7. 发明专利

TWI622327B 具減少的離子流之預清潔腔室有权
简体标题：具减少的离子流之预清洁腔室
公开(公告)号：TWI622327B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW100122302
申请日：2011-06-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福斯特約翰C , FORSTER, JOHN C. , 哈兌宏 , HA, TAE HONG , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K. , 傅新宇 , FU, XINYU , 桑達羅傑艾文德 , SUNDARRAJAN, ARVIND , 古曉希 , GUO, XIAOXI
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082

8. 发明专利

TWI608517B 處理腔室與用於提供電漿至處理腔室的裝置有权
简体标题：处理腔室与用于提供等离子至处理腔室的设备
公开(公告)号：TWI608517B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW102143113
申请日：2013-11-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：高建德 , KAO, CHIEN-TEH , 林偉雄 , LAM, HYMAN W. H. , 丹尼尼可拉斯R , DENNY, NICHOLAS R. , 柯傳偉 , OR, DAVID T. , 張鎂 , CHANG, MEI , 那拉辛哈慕拉里K , NARASIMHAN, MURALI K.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32532

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