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1. 发明专利

TWI667944B 具有可拆卸高電阻率氣體分配板的噴淋頭有权
简体标题：具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头
公开(公告)号：TWI667944B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104121714
申请日：2015-07-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅莎傑森戴拉 , ROSA, JASON DELLA , 奴爾巴克斯海邁德 , NOORBAKHSH, HAMID , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 金志修 , KIM, JISOO , 李元錫 , LEE, WONSEOK , 達都烏薩瑪 , DADU, USAMA
IPC分类号： H05H1/34 , C23C16/513

2. 发明专利

TWI650794B 用於電漿外形控制的RF屏蔽蓋加熱器及包含該RF屏蔽蓋加熱器的電漿處理設備有权
简体标题：用于等离子外形控制的RF屏蔽盖加热器及包含该RF屏蔽盖加热器的等离子处理设备
公开(公告)号：TWI650794B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103145021
申请日：2014-12-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 畢許哈諾韋伯 , BISHARA, WAHEB , 特多羅法蘭汀 , TODOROW, VALENTIN
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TW201515324A 具有多輻射瓣之線圈天線审中-公开
简体标题：具有多辐射瓣之线圈天线
公开(公告)号：TW201515324A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103126614
申请日：2014-08-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 坦汀汪凱爾R , TANTIWONG, KYLE R.
IPC分类号： H01Q7/00 , H01Q1/22 , H05H7/02
CPC分类号： H01J37/3211
摘要：用於一電漿反應器的一種低電感線圈天線，具有複數個導體瓣，從各別無線射頻電源連接中軸向延伸出來。
简体摘要：用于一等离子反应器的一种低电感线圈天线，具有复数个导体瓣，从各别无线射频电源连接中轴向延伸出来。

4. 发明专利

TW201448109A 具有多個獨立邊緣區域的多區域加熱之靜電吸座审中-公开
简体标题：具有多个独立边缘区域的多区域加热之静电吸座
公开(公告)号：TW201448109A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103109120
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/3244 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , Y10T279/23
摘要：一種具有一冷卻基座的靜電吸座(ESC,electrostatic chuck)，用於電漿處理腔室，例如電漿蝕刻腔室。在實施例中，一電漿處理吸座包括複數個獨立的邊緣區域。在實施例中，該等邊緣區域為橫跨該吸座的不同方位角的部分，以允許獨立的邊緣溫度調整，此調整可用於補償其他腔室相關的不均勻或後來的晶圓不均勻。在實施例中，該吸座包括一中心區域與複數個邊緣區域，該中心區域具有一第一熱轉移流體供應與控制迴路，且該複數個邊緣區域一起覆蓋該吸座區域的其餘部分，且該複數個邊緣區域的每一者具有個別的熱轉移流體供應與控制迴路。在實施例中，該基座包括一擴散體，該擴散體可具有數百個小孔在該吸座區域之上，以提供熱轉移流體供應的一均勻分布。
简体摘要：一种具有一冷却基座的静电吸座(ESC,electrostatic chuck)，用于等离子处理腔室，例如等离子蚀刻腔室。在实施例中，一等离子处理吸座包括复数个独立的边缘区域。在实施例中，该等边缘区域为横跨该吸座的不同方位角的部分，以允许独立的边缘温度调整，此调整可用于补偿其他腔室相关的不均匀或后来的晶圆不均匀。在实施例中，该吸座包括一中心区域与复数个边缘区域，该中心区域具有一第一热转移流体供应与控制回路，且该复数个边缘区域一起覆盖该吸座区域的其余部分，且该复数个边缘区域的每一者具有个别的热转移流体供应与控制回路。在实施例中，该基座包括一扩散体，该扩散体可具有数百个小孔在该吸座区域之上，以提供热转移流体供应的一均匀分布。

5. 发明专利

TWI617222B 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器有权
简体标题：具有高度对称四重式气体注入的等离子反应器
公开(公告)号：TWI617222B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103106332
申请日：2014-02-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：洛正佐硏 , ROZENZON, YAN , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE , 尤瑟夫以馬德 , YOUSIF, IMAD , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , H01J37/32082

6. 发明专利

TW201732074A 具有內部擴散器和角度注入件的可調諧氣體輸送組件审中-公开
简体标题：具有内部扩散器和角度注入件的可调谐气体输送组件
公开(公告)号：TW201732074A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106116779
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 畢許哈諾韋伯 , BISHARA, WAHEB
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32449 , F26B21/004 , H01J37/3244
摘要：本發明之實施例係關於用於以改善之均勻性提供處理氣體至處理腔室的設備。本發明的一個實施例提供氣體輸送組件。氣體輸送組件包括樞部、噴嘴，以及設置在噴嘴中的一或多個氣體擴散器。噴嘴具有帶有側壁與頂表面之圓柱體。複數個注入通道於噴嘴內部形成以將處理氣體經由設置在側壁中的複數個出口輸送進處理腔室中。注入通道經配置以將處理氣體從設置在側壁中的各出口以一方向導出，該方向未與樞部之中心線徑向對齊。
简体摘要：本发明之实施例系关于用于以改善之均匀性提供处理气体至处理腔室的设备。本发明的一个实施例提供气体输送组件。气体输送组件包括枢部、喷嘴，以及设置在喷嘴中的一或多个气体扩散器。喷嘴具有带有侧壁与顶表面之圆柱体。复数个注入信道于喷嘴内部形成以将处理气体经由设置在侧壁中的复数个出口输送进处理腔室中。注入信道经配置以将处理气体从设置在侧壁中的各出口以一方向导出，该方向未与枢部之中心线径向对齐。

7. 发明专利

TW201530653A ＩＣＰ電漿反應器中的極端邊緣與偏斜控制审中-公开
简体标题：ＩＣＰ等离子反应器中的极端边缘与偏斜控制
公开(公告)号：TW201530653A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103145019
申请日：2014-12-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/24 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01L21/6875
摘要：本揭示之實施例提供用於提高邊緣區域周圍的電漿均勻度及/或減少電漿處理腔室中的不對稱之設備及方法。本揭示的一個實施例提供一種電漿調整組件，該電漿調整組件具有一個或更多個導體，該一個或更多個導體位於電漿處理腔室中的基板支座之邊緣區域周圍。該一個或更多個導體與其它腔室元件隔離，並且在該處理腔室中的邊緣區域附近電浮動而未連接到主動電位。在操作過程中，當在該電漿處理腔室中保持電漿時，存在的該一個或更多個導體影響該一個或更多個導體附近的電漿分佈。
简体摘要：本揭示之实施例提供用于提高边缘区域周围的等离子均匀度及/或减少等离子处理腔室中的不对称之设备及方法。本揭示的一个实施例提供一种等离子调整组件，该等离子调整组件具有一个或更多个导体，该一个或更多个导体位于等离子处理腔室中的基板支座之边缘区域周围。该一个或更多个导体与其它腔室组件隔离，并且在该处理腔室中的边缘区域附近电浮动而未连接到主动电位。在操作过程中，当在该等离子处理腔室中保持等离子时，存在的该一个或更多个导体影响该一个或更多个导体附近的等离子分布。

8. 发明专利

TWI607108B 具有可拆卸式氣體分配板之噴淋頭有权
简体标题：具有可拆卸式气体分配板之喷淋头
公开(公告)号：TWI607108B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103100867
申请日：2014-01-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 挪貝克許哈密 , NOORBAKHSH, HAMID , 羅莎傑森戴拉 , ROSA, JASON DELLA , 葉正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 班達蘇曼思 , BANDA, SUMANTH
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/54
CPC分类号： B05B1/005 , B05B1/185 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32146 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32623

9. 发明专利

TWI586829B 具有方位角與徑向分布控制的多區域氣體注入總成有权
简体标题：具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入总成
公开(公告)号：TWI586829B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW103105345
申请日：2014-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：洛正佐硏 , ROZENZON, YAN , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE , 尤瑟夫以馬德 , YOUSIF, IMAD , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 濟汀伯珍納 , KEATING, BOJENNA , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , H01J37/3244

10. 发明专利

TW201528329A 具有客製ＲＦ屏蔽用於電漿外形控制的高效能感應耦合電漿源审中-公开
简体标题：具有客制ＲＦ屏蔽用于等离子外形控制的高性能感应耦合等离子源
公开(公告)号：TW201528329A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103145021
申请日：2014-12-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 畢許哈諾韋伯 , BISHARA, WAHEB , 特多羅法蘭汀 , TODOROW, VALENTIN
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/46 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32522 , H01J37/32651 , H05B6/02 , H05B6/62
摘要：於此提供用於處理基板的設備。在一些實施例中，電漿處理設備可包含：處理腔室，該處理腔室具有一介電蓋及位於該介電蓋下的內部處理體積；第一射頻(RF)線圈，以耦合RF能量進入該處理體積；及RF屏蔽蓋加熱器，該RF屏蔽蓋加熱器耦合至該介電蓋的頂部表面，包括：環狀構件；及複數個輪輻，其中該複數個輪輻之每一者包含以下其中之一者：(a)第一部分，該第一部分由該環狀構件向下延伸且耦合該環狀構件至徑向向內延伸的該輪輻之第二部分，或(b)第一部分，該第一部分由該環狀構件徑向向外延伸。
简体摘要：于此提供用于处理基板的设备。在一些实施例中，等离子处理设备可包含：处理腔室，该处理腔室具有一介电盖及位于该介电盖下的内部处理体积；第一射频(RF)线圈，以耦合RF能量进入该处理体积；及RF屏蔽盖加热器，该RF屏蔽盖加热器耦合至该介电盖的顶部表面，包括：环状构件；及复数个轮辐，其中该复数个轮辐之每一者包含以下其中之一者：(a)第一部分，该第一部分由该环状构件向下延伸且耦合该环状构件至径向向内延伸的该轮辐之第二部分，或(b)第一部分，该第一部分由该环状构件径向向外延伸。

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