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    • 4. 发明专利
    • 具有單一及成雙處理腔室之半導體裝置製造平台
    • 具有单一及成双处理腔室之半导体设备制造平台
    • TW201442137A
    • 2014-11-01
    • TW103108694
    • 2014-03-12
    • 應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 馬利尼爾MERRY, NIR萊斯麥可羅伯特RICE, MICHAEL ROBERT柯西堤蘇珊特SKOSHTI, SUSHANT S.休根斯傑佛瑞CHUDGENS, JEFFREY C.
    • H01L21/677
    • H01L21/6719H01L21/67196
    • 一種用於半導體裝置製造的移送室包含(1)複數個側邊、(2)一第一基材處理器、(3)一第二基材處理器與(4)一交接位置;該複數個側邊定義一區域,該區域經配置以維持一真空程度,並允許在多數處理腔室之間運送多數基材,該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分,並包含(a)一第一側邊,該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室,以及(b)一第二側邊,該第二側邊連接至一單一處理腔室;該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中;該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中;該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器,允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。也提供多數方法態樣。
    • 一种用于半导体设备制造的移送室包含(1)复数个侧边、(2)一第一基材处理器、(3)一第二基材处理器与(4)一交接位置;该复数个侧边定义一区域,该区域经配置以维持一真空程度,并允许在多数处理腔室之间运送多数基材,该复数个侧边定义该移送室之一第一部分与一第二部分,并包含(a)一第一侧边,该第一侧边连接至两个成双的处理腔室,以及(b)一第二侧边,该第二侧边连接至一单一处理腔室;该第一基材处理器位于该移送室之该第一部分中;该第二基材处理器位于该移送室之该第二部分中;该交接位置经配置以利用该第一与第二基材处理器,允许多数基材于该移送室之该第一位置与该第二位置之间传递。也提供多数方法态样。