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1. 发明专利

TW201410910A 補償濃度不確定性之方法审中-公开
简体标题：补偿浓度不确定性之方法
公开(公告)号：TW201410910A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102114629
申请日：2013-04-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 阿拉亞里庫許克 , ALAYAVALLI, KAUSHIK , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 葉溫蒂H , YEH, WENDY H. , 拉提蘇哈 , RATHI, SUDHA , 凡捷亞諾格艾文克許納 , VIJAYARAGHAVAN, KRISHNA , 程秋 , CHAN, CHIU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/38 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/52 , Y10T137/0368 , Y10T137/8593
摘要：本文揭示用於沉積均勻含硼薄膜之方法及設備。第一前驅物經由第一路徑輸送至腔室，第一路徑具有第一流量控制器及組合物感測器。第二前驅物由第二路徑輸送至混合點，第二路徑包括第二流量控制器，混合點流動地耦接第一路徑及第二路徑。控制器經耦接至振動感測器及第一流量控制器及第二流量控制器。第一前驅物可為二硼烷與稀釋氣體之混合物，且第二前驅物通常為稀釋氣體。第一前驅物之流動速率之設定方法可為：藉由根據組合物感測器讀數決定第一前驅物中之二硼烷的濃度，並設定流動速率以保持所需之二硼烷流動速率。第二前驅物之流動速率可經設定以保持進入腔室之所需流量。
简体摘要：本文揭示用于沉积均匀含硼薄膜之方法及设备。第一前驱物经由第一路径输送至腔室，第一路径具有第一流量控制器及组合物传感器。第二前驱物由第二路径输送至混合点，第二路径包括第二流量控制器，混合点流动地耦接第一路径及第二路径。控制器经耦接至振动传感器及第一流量控制器及第二流量控制器。第一前驱物可为二硼烷与稀释气体之混合物，且第二前驱物通常为稀释气体。第一前驱物之流动速率之设置方法可为：借由根据组合物传感器读数决定第一前驱物中之二硼烷的浓度，并设置流动速率以保持所需之二硼烷流动速率。第二前驱物之流动速率可经设置以保持进入腔室之所需流量。

3. 发明专利

TWI332034B 於一化學氣相沉積室中沉積一無定形碳薄膜之方法 METHOD FOR DEPOSITING AN AMORPHOUS CARBON FILMS IN A CVD CHAMBER 失效
简体标题：于一化学气相沉积室中沉积一无定形碳薄膜之方法 METHOD FOR DEPOSITING AN AMORPHOUS CARBON FILMS IN A CVD CHAMBER
公开(公告)号：TWI332034B
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：TW094106477
申请日：2005-03-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：西蒙斯馬丁傑 , 葉溫蒂H , 拉提蘇哈S R , 帕奇迪尼斯 , 阮信暁 , 唐桑宜貝蒂 , 古卡霖皮亞 , 希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 , 金柏涵 , 姆薩德希肯 , 王宇翔 , 關永超
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/505 , H01L21/3146 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/7681 , H01L21/76829
摘要：所揭示者為沉積無定形碳層的方法。在一態樣中，本發明提供一種處理一基材的方法，包括將基材置於一製程室中，引入一製程氣體至該製程室中，其中該製程氣體包含一載氣、氫氣、及一或多種前驅物化合物，藉由施加來自一雙頻RF電源的電力來產生由該製程氣體所構成的一電漿；及沉積一無定形碳層在該基材上。
简体摘要：所揭示者为沉积无定形碳层的方法。在一态样中，本发明提供一种处理一基材的方法，包括将基材置于一制程室中，引入一制程气体至该制程室中，其中该制程气体包含一载气、氢气、及一或多种前驱物化合物，借由施加来自一双频RF电源的电力来产生由该制程气体所构成的一等离子；及沉积一无定形碳层在该基材上。

4. 发明专利

TWI380340B 用於沉積處理室之製程套組 PROCESS KIT DESIGN FOR DEPOSITION CHAMBER 有权
简体标题：用于沉积处理室之制程套组 PROCESS KIT DESIGN FOR DEPOSITION CHAMBER
公开(公告)号：TWI380340B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW094101248
申请日：2005-01-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：珊索弗 , 佛多馬克A , 西蒙斯馬丁J , 古卡霖皮亞 , 席瓦拉馬克瑞斯南維斯溫瓦瑞 , 拉提蘇哈S R , 島山努 , 諾瓦克湯瑪斯 , 葉溫蒂H
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4412
摘要：本發明係提供一種用於半導體製程處理室之製程套組。該製程處理室係一真空製程處理室，其包括一可界定出一內製程區之處理室本體。該製程區可承接一基材以進行處理，並可支撐該製程套組之設備部件。該製程套組包括一設於該製程處理室之該製程區內的抽吸襯墊(pumping liner)，以及一沿該抽吸襯墊之一外徑配置之C形通道襯墊。該抽吸襯墊及該C形通道襯墊具有新穎的連結特徵，用以抑制來自該製程區之製程或潔淨氣體的窩流抽吸(parasitic pumping)現象。本發明更提供一種具有一改良製程套組（例如前述該套組）之半導體製程處理室。於一配置中，該處理室為一並聯式(tandem)製程處理室。
简体摘要：本发明系提供一种用于半导体制程处理室之制程套组。该制程处理室系一真空制程处理室，其包括一可界定出一内制程区之处理室本体。该制程区可承接一基材以进行处理，并可支撑该制程套组之设备部件。该制程套组包括一设于该制程处理室之该制程区内的抽吸衬垫(pumping liner)，以及一沿该抽吸衬垫之一外径配置之C形信道衬垫。该抽吸衬垫及该C形信道衬垫具有新颖的链接特征，用以抑制来自该制程区之制程或洁净气体的窝流抽吸(parasitic pumping)现象。本发明更提供一种具有一改良制程套组（例如前述该套组）之半导体制程处理室。于一配置中，该处理室为一并联式(tandem)制程处理室。

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