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1. 发明专利

TWI478159B 使用能量化離子以圖案化磁性薄膜之方法、處理記錄媒體之裝置及磁性記錄媒體有权
简体标题：使用能量化离子以图案化磁性薄膜之方法、处理记录媒体之设备及磁性记录媒体
公开(公告)号：TWI478159B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098135648
申请日：2009-10-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那拉馬蘇歐卡藍 , NALAMASU, OMKARAM , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 福德馬吉德 , FOAD, MAJEED , 凡卡特珊馬哈林詹 , VENKATESAN, MAHALINGAM , 克里希那奈提M , KRISHNA, NETY M.
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/855 , B82Y10/00 , C23C14/042 , C23C14/48 , C23C14/5826 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82

2. 发明专利

TWI502652B 使用製程腔室壁上的矽塗層增強清除殘餘的氟自由基之方法有权
简体标题：使用制程腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基之方法
公开(公告)号：TWI502652B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW099112391
申请日：2010-04-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔東元 , CHOI, DONGWON , 李東亨 , LEE, DONG HYUNG , 普恩茲 , POON, TZE , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ , 波薛夫彼得 , PORSHNEV, PETER , 福德馬吉德 , FOAD, MAJEED
IPC分类号： H01L21/425 , C23C16/24 , C23C18/12
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C16/4404 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32862 , H01J37/32871 , H01L21/2236

3. 发明专利

TWI469190B 具有覆蓋層的離子佈植基材及方法失效
简体标题：具有覆盖层的离子布植基材及方法
公开(公告)号：TWI469190B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098146476
申请日：2009-12-31
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戴爾阿古亞伯尼奎爾傑西依葛那西歐 , DEL AGUA BORNIQUEL, JOSE IGNACIO , 普恩茲 , POON, TZE , 許瑞特爾坎波羅伯特 , SCHREUTELKAMP, ROBERT , 福德馬吉德 , FOAD, MAJEED
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/324 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L21/823814

4. 发明专利

TWI459488B 在電漿離子佈植過程中測量摻質濃度的方法失效
简体标题：在等离子离子布植过程中测量掺质浓度的方法
公开(公告)号：TWI459488B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW098108085
申请日：2009-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福德馬吉德 , FOAD, MAJEED A. , 李實健 , LI, SHIJIAN
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/68 , G01N21/59 , H01L21/26513 , H01L22/12 , H01L22/26

5. 发明专利

TW201034059A 具有覆蓋層的離子佈植基材及方法 ION IMPLANTED SUBSTRATE HAVING CAPPING LAYER AND METHOD 失效
简体标题：具有覆盖层的离子布植基材及方法 ION IMPLANTED SUBSTRATE HAVING CAPPING LAYER AND METHOD
公开(公告)号：TW201034059A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098146476
申请日：2009-12-31
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：戴爾阿古亞伯尼奎爾傑西依葛那西歐 , 普恩茲 , 許瑞特爾坎波羅伯特 , 福德馬吉德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/324 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L21/823814
摘要：在一離子植入方法中，基材放置於製程區，而離子植入基材之一區中以形成離子植入區。多孔覆蓋層沈積於離子植入區上方。於退火製程期間，將基材退火以揮發至少百分之八十上覆於離子植入區之多孔覆蓋層。中間產物包括基材、基材上之複數離子植入區、以及覆蓋該等離子植入區之多孔覆蓋層。
简体摘要：在一离子植入方法中，基材放置于制程区，而离子植入基材之一区中以形成离子植入区。多孔覆盖层沉积于离子植入区上方。于退火制程期间，将基材退火以挥发至少百分之八十上覆于离子植入区之多孔覆盖层。中间产物包括基材、基材上之复数离子植入区、以及覆盖该等离子植入区之多孔覆盖层。

6. 发明专利

TW201101414A 具有側出氣口之基板支撐件及方法 SUBSTRATE SUPPORT HAVING SIDE GAS OUTLETS AND METHODS 审中-公开
简体标题：具有侧出气口之基板支撑件及方法 SUBSTRATE SUPPORT HAVING SIDE GAS OUTLETS AND METHODS
公开(公告)号：TW201101414A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112953
申请日：2010-04-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：維拉卡爾馬諾傑 , 福德馬吉德 , 馬瑞恩約瑟安東尼歐 , 麥克克拉蘭史考特D
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/6831
摘要：一種用於製程腔室之基板支撐件,包含一具有一接收表面以接收該基板之靜電吸盤,以及一位於該靜電吸盤下方之氣體分配器底板。該氣體分配器底板包含一具有複數氣體排出口之周圍側壁,該等氣體排出口係彼此間隔,以便自該基板之周邊且以徑向朝外方向,將一製程氣體導入該處理腔室。
简体摘要：一种用于制程腔室之基板支撑件,包含一具有一接收表面以接收该基板之静电吸盘,以及一位于该静电吸盘下方之气体分配器底板。该气体分配器底板包含一具有复数气体排出口之周围侧壁,该等气体排出口系彼此间隔,以便自该基板之周边且以径向朝外方向,将一制程气体导入该处理腔室。

7. 发明专利

TW201104890A 奈米碳管系之太陽能電池及其形成方法 CARBON NANOTUBE-BASED SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：奈米碳管系之太阳能电池及其形成方法 CARBON NANOTUBE-BASED SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201104890A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099118764
申请日：2010-06-09
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：那拉馬蘇歐卡藍 , 蓋查理斯 , 普許帕拉傑維多L , 辛格卡沙爾K , 菲瑟羅柏特J , 福德馬吉德 , 霍夫曼賴夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022425 , B82Y10/00 , H01L31/0322 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/0749 , H01L51/0048 , H01L51/4213 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：太陽能電池中設有奈米碳管（CNT），該等奈米碳管用於：界定太陽能電池的微米/次微米幾何尺寸；及/或做為電荷傳輸體，以有效地從吸收層移除電荷載子以減少吸收層中的電子電洞重組速率。太陽能電池可包含：一基材；複數個在該基材之該表面上的金屬催化劑之區域；複數個奈米碳管束狀物，其形成於該複數個金屬催化劑之區域上，每一束狀物包括大略垂直於該基材之該表面而呈準直的奈米碳管；以及一光活性太陽能電池層，其形成於該等奈米碳管束狀物及該基材的暴露表面上，其中該光活性太陽能電池層在該等奈米碳管束狀物上及該基材之該暴露表面上為連續的。光活性太陽能電池層可包含非晶矽p/i/n薄膜；然而，本發明的概念亦可應用至具有微晶矽、SiGe、碳摻雜微晶矽、CIS、CIGS、CISSe以及各種p型二六族二元化合物以及三元與四元化合物之吸收層的太陽能電池。
简体摘要：太阳能电池中设有奈米碳管（CNT），该等奈米碳管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载子以减少吸收层中的电子电洞重组速率。太阳能电池可包含：一基材；复数个在该基材之该表面上的金属催化剂之区域；复数个奈米碳管束状物，其形成于该复数个金属催化剂之区域上，每一束状物包括大略垂直于该基材之该表面而呈准直的奈米碳管；以及一光活性太阳能电池层，其形成于该等奈米碳管束状物及该基材的暴露表面上，其中该光活性太阳能电池层在该等奈米碳管束状物上及该基材之该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜；然而，本发明的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物之吸收层的太阳能电池。

8. 发明专利

TW201041052A 使用製程腔室壁上的矽塗層增強清除殘餘的氟自由基之方法 ENHANCED SCAVENGING OF RESIDUAL FLUORINE RADICALS USING SILICON COATING ON PROCESS CHAMBER WALLS 审中-公开
简体标题：使用制程腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基之方法 ENHANCED SCAVENGING OF RESIDUAL FLUORINE RADICALS USING SILICON COATING ON PROCESS CHAMBER WALLS
公开(公告)号：TW201041052A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099112391
申请日：2010-04-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：崔東元 , 李東亨 , 普恩茲 , 維拉卡爾馬諾傑 , 波薛夫彼得 , 福德馬吉德
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C16/4404 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32862 , H01J37/32871 , H01L21/2236
摘要：本文係提供用以處理基材之方法與設備。在一些實施例中,一種用於基材處理之設備係包括:一製程腔室,其具有一腔室主體,該腔室主體界定一內部空間;以及一含矽塗層,其設置在該腔室主體之一內表面上,其中該含矽塗層之外表面為至少35%原子數的矽。在一些實施例中,一種用以在一製程腔室中形成一含矽塗層之方法係包括:提供一包含含矽氣體之第一製程氣體到該製程腔室之內部空間;以及形成一含矽塗層於該製程腔室之一內表面上,其中該含矽塗層之一外表面為至少35%矽。
简体摘要：本文系提供用以处理基材之方法与设备。在一些实施例中,一种用于基材处理之设备系包括:一制程腔室,其具有一腔室主体,该腔室主体界定一内部空间;以及一含硅涂层,其设置在该腔室主体之一内表面上,其中该含硅涂层之外表面为至少35%原子数的硅。在一些实施例中,一种用以在一制程腔室中形成一含硅涂层之方法系包括:提供一包含含硅气体之第一制程气体到该制程腔室之内部空间;以及形成一含硅涂层于该制程腔室之一内表面上,其中该含硅涂层之一外表面为至少35%硅。

9. 发明专利

TW201029003A 使用能量化離子以圖案化磁性薄膜之方法 PATTERNING OF MAGNETIC THIN FILM USING ENERGIZED IONS 审中-公开
简体标题：使用能量化离子以图案化磁性薄膜之方法 PATTERNING OF MAGNETIC THIN FILM USING ENERGIZED IONS
公开(公告)号：TW201029003A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098135648
申请日：2009-10-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：那拉馬蘇歐卡藍 , 維哈佛貝可史帝文 , 福德馬吉德 , 凡卡特珊馬哈林詹 , 克里希那奈提M
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/855 , B82Y10/00 , C23C14/042 , C23C14/48 , C23C14/5826 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82
摘要：本發明提供一種用於在一基板上圖案化一磁性薄膜之方法，其包括：在該磁性薄膜周圍提供一圖案，其中該圖案之選擇性區域允許一或多種元素之能量化離子之穿透。能量化離子經產生而具有足夠能量以穿透選擇性區域及與該等選擇性區域相鄰之該磁性薄膜之一部分。置放該基板以接收該等能量化離子。可使該磁性薄膜之該部分經受熱激發。使該磁性薄膜之該等部分呈現出與選擇性其他部分不同之磁性性質。本發明亦揭示用於圖案化一磁性媒體之方法，該媒體之兩側上具有一磁性薄膜。
简体摘要：本发明提供一种用于在一基板上图案化一磁性薄膜之方法，其包括：在该磁性薄膜周围提供一图案，其中该图案之选择性区域允许一或多种元素之能量化离子之穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与该等选择性区域相邻之该磁性薄膜之一部分。置放该基板以接收该等能量化离子。可使该磁性薄膜之该部分经受热激发。使该磁性薄膜之该等部分呈现出与选择性其他部分不同之磁性性质。本发明亦揭示用于图案化一磁性媒体之方法，该媒体之两侧上具有一磁性薄膜。

10. 发明专利

TW201003811A 在電漿離子佈植過程中測量摻雜物濃度的方法 METHOD FOR MEASURING DOPANT CONCENTRATION DURING PLASMA ION IMPLANTATION 失效
简体标题：在等离子离子布植过程中测量掺杂物浓度的方法 METHOD FOR MEASURING DOPANT CONCENTRATION DURING PLASMA ION IMPLANTATION
公开(公告)号：TW201003811A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098108085
申请日：2009-03-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：福德馬吉德 , 李實健
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/68 , G01N21/59 , H01L21/26513 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：本發明之具體實施方式提供一種在電漿佈植製程期間用來偵測預設摻質濃度終點的方法。在一具體實施方式中，此方法包含：將基板置於處理腔室中；於基板上產生一電漿，並使電漿所產生之光線穿過基板，其中光線是由基板的上表面進入並由基板的下表面離開，且光線由位於基板下方之感測器接收。此方法更包含：產生一訊號，其與感測器所接收之光線成比例；在摻雜製程中，將摻質植入此基板；在摻雜製程中產生多組光訊號，其與感測器所接收之光的減少量成比例；當基板具有最終摻質濃度時，產生一終點訊號，其與感測器所接收之光成比例；及停止摻雜製程。
简体摘要：本发明之具体实施方式提供一种在等离子布植制程期间用来侦测默认掺质浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于基板上产生一等离子，并使等离子所产生之光线穿过基板，其中光线是由基板的上表面进入并由基板的下表面离开，且光线由位于基板下方之传感器接收。此方法更包含：产生一信号，其与传感器所接收之光线成比例；在掺杂制程中，将掺质植入此基板；在掺杂制程中产生多组光信号，其与传感器所接收之光的减少量成比例；当基板具有最终掺质浓度时，产生一终点信号，其与传感器所接收之光成比例；及停止掺杂制程。

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