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1. 发明专利

TW201413868A 反射沉積環及包含反射沉積環之基板處理室审中-公开
简体标题：反射沉积环及包含反射沉积环之基板处理室
公开(公告)号：TW201413868A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102131092
申请日：2013-08-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 李靖珠 , LEE, JOUNG JOO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4585 , C23C16/46
摘要：本文提供用於改良橫越一基板之溫度均勻性的設備。在某些實施例中，用於使用在一基板處理系統中來處理一基板的一種沉積環可包括：一環狀主體，該環狀主體具有一第一表面、一相對第二表面、與一中央開口，該中央開口通過該等第一與第二表面，其中該第二表面是配置成設置於一基板支座之上，該基板支座具有一支撐表面，該支撐表面用以支撐具有一給定寬度的一基板，且其中該開口的尺寸經過設計，以曝露該支撐表面的一主要部分；以及其中該第一表面包括至少一反射部，該至少一反射部是配置來將熱能反射朝向該環狀主體的一中心軸，其中該至少一反射部具有一表面積是該第一表面的一總表面積的大約百分之5至大約百分之50。
简体摘要：本文提供用于改良横越一基板之温度均匀性的设备。在某些实施例中，用于使用在一基板处理系统中来处理一基板的一种沉积环可包括：一环状主体，该环状主体具有一第一表面、一相对第二表面、与一中央开口，该中央开口通过该等第一与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于一基板支座之上，该基板支座具有一支撑表面，该支撑表面用以支撑具有一给定宽度的一基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以曝露该支撑表面的一主要部分；以及其中该第一表面包括至少一反射部，该至少一反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的一中心轴，其中该至少一反射部具有一表面积是该第一表面的一总表面积的大约百分之5至大约百分之50。

2. 发明专利

TWI650437B 用於物理氣相沉積腔室之雙極準直器有权
简体标题：用于物理气相沉积腔室之双极准直器
公开(公告)号：TWI650437B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103134021
申请日：2014-09-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李靖珠 , LEE, JOUNG JOO , 劉國俊 , LIU, GUOJUN , 王偉 , WANG, WEI D. , 卡瑟寧貝森思 , KOTHNUR, PRASHANTH
IPC分类号： C23C14/34

3. 发明专利

TWI539553B 形成互連結構之方法有权
简体标题：形成互链接构之方法
公开(公告)号：TWI539553B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100120031
申请日：2011-06-08
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李靖珠 , LEE, JOUNG JOO , 鄧賢明 , TANG, XIANMIN , 龔則敬 , GUNG, TZA-JING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3492 , H01L21/76882

4. 发明专利

TW201518529A 用於物理氣相沉積腔室之雙極準直器审中-公开
简体标题：用于物理气相沉积腔室之双极准直器
公开(公告)号：TW201518529A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103134021
申请日：2014-09-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李靖珠 , LEE, JOUNG JOO , 劉國俊 , LIU, GUOJUN , 王偉 , WANG, WEI D. , 卡瑟寧貝森思 , KOTHNUR, PRASHANTH
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/042 , C23C14/22 , C23C14/3471 , H01J37/3426
摘要：本發明提供設備和使用方法，設備包括設於物理氣相沉積腔室的雙極準直器。在一實施例中，設備包括腔室主體和設在腔室主體上的腔室蓋，藉以定義處理區於內、設於處理區的準直器及耦接至準直器的電源。
简体摘要：本发明提供设备和使用方法，设备包括设于物理气相沉积腔室的双极准直器。在一实施例中，设备包括腔室主体和设在腔室主体上的腔室盖，借以定义处理区于内、设于处理区的准直器及耦接至准直器的电源。

5. 发明专利

TWI681069B 用於改良的金屬離子過濾的方法及設備有权
简体标题：用于改良的金属离子过滤的方法及设备
公开(公告)号：TWI681069B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104116144
申请日：2015-05-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：唐先敏 , TANG, XIANMIN , 李靖珠 , LEE, JOUNG JOO , 劉國俊 , LIU, GUOJUN
IPC分类号： C23C14/35

6. 发明专利

TWI600108B 反射沉積環及包含反射沉積環之基板處理室有权
简体标题：反射沉积环及包含反射沉积环之基板处理室
公开(公告)号：TWI600108B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102131092
申请日：2013-08-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 李靖珠 , LEE, JOUNG JOO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4585 , C23C16/46

7. 发明专利

TW201546309A 用於改良的金屬離子過濾的方法及設備审中-公开
简体标题：用于改良的金属离子过滤的方法及设备
公开(公告)号：TW201546309A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104116144
申请日：2015-05-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：唐先敏 , TANG, XIANMIN , 李靖珠 , LEE, JOUNG JOO , 劉國俊 , LIU, GUOJUN
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J2237/3322 , H01L21/02104
摘要：本案中提供用於改良的離子過濾的方法及設備之實施例。在一些實施例中，基板處理腔室包括：腔室主體及腔室蓋，腔室蓋安置在腔室主體上，界定腔室主體內於蓋下方的處理區域；準直儀，安置在處理區域中；功率源，耦接至準直儀；及第一組磁體，在腔室主體周圍安置在準直儀上方，及第二組磁體，在腔室主體周圍安置在準直儀下方，該兩組磁體一起產生導引磁場，該導引磁場大體上垂直於準直儀。
简体摘要：本案中提供用于改良的离子过滤的方法及设备之实施例。在一些实施例中，基板处理腔室包括：腔室主体及腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直仪，安置在处理区域中；功率源，耦接至准直仪；及第一组磁体，在腔室主体周围安置在准直仪上方，及第二组磁体，在腔室主体周围安置在准直仪下方，该两组磁体一起产生导引磁场，该导引磁场大体上垂直于准直仪。

8. 发明专利

TW201145458A 形成互連結構之方法 METHODS FOR FORMING INTERCONNECT STRUCTURES 审中-公开
简体标题：形成互链接构之方法 METHODS FOR FORMING INTERCONNECT STRUCTURES
公开(公告)号：TW201145458A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100120031
申请日：2011-06-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：李靖珠 , 鄧賢明 , 龔則敬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3492 , H01L21/76882
摘要：本發明係關於一種形成互連結構之方法。於一些實施例中,於基材上形成互連結構之方法包含:藉由第一沉積製程而沉積一材料於基材之頂表面上及於特徵結構的一或多個表面上,該特徵結構係設置於基材中,該第一沉積製程以於頂表面上較快之速率而於特徵結構之底表面上較慢之速率而沉積該材料;藉由第二沉積製程而沉積材料於基材之頂表面上及特徵結構之一或多個表面上,該第二沉積製程以於特徵結構之底表面上較快之速率而於基材之頂表面上較慢之速率而沉積該材料;及加熱所沉積之材料以吸引所沉積的材料朝向特徵結構之底表面,而使所沉積之材料至少部分地充填特徵結構。
简体摘要：本发明系关于一种形成互链接构之方法。于一些实施例中,于基材上形成互链接构之方法包含:借由第一沉积制程而沉积一材料于基材之顶表面上及于特征结构的一或多个表面上,该特征结构系设置于基材中,该第一沉积制程以于顶表面上较快之速率而于特征结构之底表面上较慢之速率而沉积该材料;借由第二沉积制程而沉积材料于基材之顶表面上及特征结构之一或多个表面上,该第二沉积制程以于特征结构之底表面上较快之速率而于基材之顶表面上较慢之速率而沉积该材料;及加热所沉积之材料以吸引所沉积的材料朝向特征结构之底表面,而使所沉积之材料至少部分地充填特征结构。

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