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1. 发明专利

TWI397512B 製造電漿反應器部件之方法及設備有权
简体标题：制造等离子反应器部件之方法及设备
公开(公告)号：TWI397512B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW096130753
申请日：2007-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤波瓦愛爾米拉 , RYABOVA, ELMIRA , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 仙卓須德麥哈維R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 沙巴瓦愛米塔 , SABHARWAL, AMITABH , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 桑杰妮弗 , SUN, JEFFIFER , 袁傑 , YUAN, JIE
IPC分类号： C04B35/50 , C22F1/00
CPC分类号： C04B35/505 , C04B35/64 , C04B2235/662 , C04B2235/663 , H01J37/32467 , Y10T29/49002

2. 发明专利

TW201335105A 製造電漿反應器部件之方法及設備审中-公开
简体标题：制造等离子反应器部件之方法及设备
公开(公告)号：TW201335105A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102116385
申请日：2007-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤波瓦愛爾米拉 , RYABOVA, ELMIRA , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 仙卓須德麥哈維R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 沙巴瓦愛米塔 , SABHARWAL, AMITABH , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 桑杰妮弗 , SUN, JEFFIFER , 袁傑 , YUAN, JIE
IPC分类号： C04B35/50 , C22F1/00
CPC分类号： C04B35/505 , C04B35/64 , C04B2235/662 , C04B2235/663 , H01J37/32467 , Y10T29/49002
摘要：在此提供一種製造氧化釔部件的方法。在一個實施例中，該方法包括燒結氧化釔樣本，機械加工所燒結的樣本以形成部件，以及以預定的加熱速度加熱部件來退火部件，將該部件保持在恒定退火溫度下，以及以預定的冷卻速度冷卻該部件。
简体摘要：在此提供一种制造氧化钇部件的方法。在一个实施例中，该方法包括烧结氧化钇样本，机械加工所烧结的样本以形成部件，以及以预定的加热速度加热部件来退火部件，将该部件保持在恒定退火温度下，以及以预定的冷却速度冷却该部件。

3. 发明专利

TWI398195B 具有動態可調式電漿源功率施加器的電漿反應器有权
简体标题：具有动态可调式等离子源功率施加器的等离子反应器
公开(公告)号：TWI398195B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW096115640
申请日：2007-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：強德拉屈得馬哈法R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY , 伊波拉罕伊波拉罕M , IBRAHIM, IBRAHIM M. , 葛利姆柏根麥可N , GRIMBERGEN, MICHAEL N. , 寇瑞妮 , KOCH, RENEE , 潘那葉席巴J , PANAYIL, SHEEBA J.
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： H01J37/321 , H01L21/67069

4. 发明专利

TWI500592B 製造電漿反應器部件之方法及設備有权
简体标题：制造等离子反应器部件之方法及设备
公开(公告)号：TWI500592B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102116385
申请日：2007-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤波瓦愛爾米拉 , RYABOVA, ELMIRA , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 仙卓須德麥哈維R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 沙巴瓦愛米塔 , SABHARWAL, AMITABH , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 桑杰妮弗 , SUN, JEFFIFER , 袁傑 , YUAN, JIE
IPC分类号： C04B35/50 , C22F1/00
CPC分类号： C04B35/505 , C04B35/64 , C04B2235/662 , C04B2235/663 , H01J37/32467 , Y10T29/49002

5. 发明专利

TWI407503B 光罩的電漿蝕刻方法與設備有权
简体标题：光罩的等离子蚀刻方法与设备
公开(公告)号：TWI407503B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW096132788
申请日：2007-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫默亞傑 , KUMAR, AJAY , 仙卓須德麥哈維R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 沙巴瓦愛米塔 , SABHARWAL, AMITABH , 潘那葉席巴J , PANAYIL, SHEEBA J. , 奧義艾倫喜若西 , OUYE, ALAN HIROSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449

6. 发明专利

TWI385709B 用於光罩幕電漿蝕刻之方法與設備有权
简体标题：用于光罩幕等离子蚀刻之方法与设备
公开(公告)号：TWI385709B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW096132787
申请日：2007-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫默亞傑 , KUMAR, AJAY , 仙卓須德麥哈維R , CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 禮文頓理查 , LEWINGTON, RICHARD , 拜文斯達倫 , BIVENS, DARIN , 沙巴瓦愛米塔 , SABHARWAL, AMITABH , 潘那葉席巴J , PANAYIL, SHEEBA J. , 奧義艾倫喜若西 , OUYE, ALAN HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065
CPC分类号： C23F4/00 , G03F1/80 , H01J37/321 , H01J37/32422

7. 发明专利

TWI376429B 具有動態可調式電漿源功率施加器的電漿反應器 PLASMA REACTOR WITH A DYNAMICALLY ADJUSTABLE PLASMA SOURCE POWER APPLICATOR 有权
简体标题：具有动态可调式等离子源功率施加器的等离子反应器 PLASMA REACTOR WITH A DYNAMICALLY ADJUSTABLE PLASMA SOURCE POWER APPLICATOR
公开(公告)号：TWI376429B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW096115772
申请日：2007-05-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：強德拉屈得馬哈法R , 禮文頓理查 , 拜文斯達倫 , 庫默亞傑 , 伊波拉罕伊波拉罕M , 葛利姆柏根麥可N , 寇瑞妮 , 潘那葉席巴J
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01J37/321 , H01L21/67069
摘要：本發明係為一種用於處理一工件(workpiece)的電漿反應器，其包括一製程室，而該製程室包括一具有一頂壁的外殼，並且包括一大致垂直於頂壁之對稱垂直軸、一位於製程室內且大致面向頂壁的工件支撐座、一耦接至製程室的製程氣體注入裝置，以及一耦接至製程室之真空幫浦。反應器更包括：一電漿源功率施加器，其位於頂壁上方，並且包括一徑向內部施加器部分、一徑向外部施加器部分，以及耦接至內部及外部施加器部分之一射頻(RF)功率裝置；以及一傾斜裝置，係支撐至少該外部施加器部分，並且能夠使至少該外部施加器部分沿著垂直於對稱垂直軸之一徑向軸而傾斜，並且能夠使至少該外部施加器部分沿著對稱垂直軸而旋轉。反應器可更包括一升舉裝置，其係用於改變內部及外部施加器部分沿著對稱垂直軸而相對於彼此之位置。於一較佳實施例中，升舉裝置包括一升舉致動器，其係用以使內部施加器部分沿著對稱垂直軸而上升或下降。
简体摘要：本发明系为一种用于处理一工件(workpiece)的等离子反应器，其包括一制程室，而该制程室包括一具有一顶壁的外壳，并且包括一大致垂直于顶壁之对称垂直轴、一位于制程室内且大致面向顶壁的工件支撑座、一耦接至制程室的制程气体注入设备，以及一耦接至制程室之真空帮浦。反应器更包括：一等离子源功率施加器，其位于顶壁上方，并且包括一径向内部施加器部分、一径向外部施加器部分，以及耦接至内部及外部施加器部分之一射频(RF)功率设备；以及一倾斜设备，系支撑至少该外部施加器部分，并且能够使至少该外部施加器部分沿着垂直于对称垂直轴之一径向轴而倾斜，并且能够使至少该外部施加器部分沿着对称垂直轴而旋转。反应器可更包括一升举设备，其系用于改变内部及外部施加器部分沿着对称垂直轴而相对于彼此之位置。于一较佳实施例中，升举设备包括一升举致动器，其系用以使内部施加器部分沿着对称垂直轴而上升或下降。

8. 发明专利

TW201145347A 用於電漿引燃的陰極之ＤＣ電壓充電 DC VOLTAGE CHARGING OF CATHODE FOR PLASMA STRIKING 审中-公开
简体标题：用于等离子引燃的阴极之ＤＣ电压充电 DC VOLTAGE CHARGING OF CATHODE FOR PLASMA STRIKING
公开(公告)号：TW201145347A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100109183
申请日：2011-03-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：奧義艾倫喜若西 , 拜文斯達倫 , 尼克大衛
IPC分类号： H01J , H05H
CPC分类号： G03F1/80
摘要：本文提供用於處理光罩之方法。在一些實施例中,用於處理光罩之方法可包括:將光罩提供至在製程腔室內之基板支撐;將處理氣體提供至該製程腔室,該製程腔室具有安置於其中之該光罩;將負電壓或零電壓提供至基板支撐陰極,該基板支撐陰極具有安置於其上之該光罩;將射頻(radio frequency;RF)電源提供至耦接至該製程腔室之陽極,以點燃該處理氣體而形成電漿;以及處理該光罩。
简体摘要：本文提供用于处理光罩之方法。在一些实施例中,用于处理光罩之方法可包括:将光罩提供至在制程腔室内之基板支撑;将处理气体提供至该制程腔室,该制程腔室具有安置于其中之该光罩;将负电压或零电压提供至基板支撑阴极,该基板支撑阴极具有安置于其上之该光罩;将射频(radio frequency;RF)电源提供至耦接至该制程腔室之阳极,以点燃该处理气体而形成等离子;以及处理该光罩。

9. 发明专利

TWI375990B 具有可提供蝕刻速度均勻分佈之陰極的罩幕蝕刻電漿反應器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH CATHODE PROVIDING A UNIFORM DISTRIBUTION OF ETCH RATE 有权
简体标题：具有可提供蚀刻速度均匀分布之阴极的罩幕蚀刻等离子反应器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH CATHODE PROVIDING A UNIFORM DISTRIBUTION OF ETCH RATE
公开(公告)号：TWI375990B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW096126713
申请日：2007-07-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：禮文頓理查 , 格林柏恩麥克N , 古延基姆 , 拜文斯達倫 , 仙卓須德麥哈維 , 庫默亞傑
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3255 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要：一種用於蝕刻一工件(諸如矩形或正方形的罩幕)的電漿反應器，包括：一真空腔室，其具有頂部和側壁；和一工件支撐底座，其位在一包括陰極的腔室內，其中該陰極具有用於支撐工件的表面，該表面包含多個各個區域，該表面的各個區域由不同電性特性的各個材料形成。區域可以相對於晶圓支撐底座的對稱軸同心排列。
简体摘要：一种用于蚀刻一工件(诸如矩形或正方形的罩幕)的等离子反应器，包括：一真空腔室，其具有顶部和侧壁；和一工件支撑底座，其位在一包括阴极的腔室内，其中该阴极具有用于支撑工件的表面，该表面包含多个各个区域，该表面的各个区域由不同电性特性的各个材料形成。区域可以相对于晶圆支撑底座的对称轴同心排列。

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