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1. 发明专利

TWI670433B 用於次世代先進電漿技術的腔室主體設計架構有权
简体标题：用于次世代雪铁龙等离子技术的腔室主体设计架构
公开(公告)号：TWI670433B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105101259
申请日：2016-01-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 浩爾德布萊德立J , HOWARD, BRADLEY J. , 布萊特尼可拉斯J , BRIGHT, NICHOLAS J.
IPC分类号： F16J10/02

2. 发明专利

TW201531677A 利用矽晶圓反射干涉的溫度量測审中-公开
简体标题：利用硅晶圆反射干涉的温度量测
公开(公告)号：TW201531677A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104102863
申请日：2015-01-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 李濟平 , LI, JIPING , 漢特亞倫 , HUNTER, AARON
IPC分类号： G01J5/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67248 , G01K11/125
摘要：矽晶圓的溫度量測係描述為利用離開晶圓表面的反射光之間的干涉。一個範例中，本發明包含矽處理腔室、在該腔室內的晶圓支架，該晶圓支架用以持定用於處理的矽基板，及導引至該基板的表面之雷射。光偵測器從該雷射接收光，該光從該表面直接反射且穿過該基板，且處理器基於該接收的反射光而判定該矽基板的溫度。
简体摘要：硅晶圆的温度量测系描述为利用离开晶圆表面的反射光之间的干涉。一个范例中，本发明包含硅处理腔室、在该腔室内的晶圆支架，该晶圆支架用以持定用于处理的硅基板，及导引至该基板的表面之激光。光侦测器从该激光接收光，该光从该表面直接反射且穿过该基板，且处理器基于该接收的反射光而判定该硅基板的温度。

3. 发明专利

TW201334104A 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件审中-公开
简体标题：具有集成均流板及改善之传导性的下部内衬件
公开(公告)号：TW201334104A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102112934
申请日：2009-03-31
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡杜祺詹姆斯D , CARDUCCI, JAMES D. , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 庫特尼麥可C , KUTNEY, MICHAEL C.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32623 , Y10T428/13
摘要：一電漿處理腔室具有一下部內襯件，其具有一整合均流板。在一蝕刻製程中，處理氣體可不均勻地由處理腔室抽吸，其可導致基板之不均勻蝕刻。該整合均流板係配置成將由該腔室經由該下部內襯件排空之處理氣流均流。
简体摘要：一等离子处理腔室具有一下部内衬件，其具有一集成均流板。在一蚀刻制程中，处理气体可不均匀地由处理腔室抽吸，其可导致基板之不均匀蚀刻。该集成均流板系配置成将由该腔室经由该下部内衬件排空之处理气流均流。

4. 实用新型

TWM509427U 用於矽基板處理的高性能和持久邊緣環有权
简体标题：用于硅基板处理的高性能和持久边缘环
公开(公告)号：TWM509427U
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW103202433
申请日：2014-06-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：包爾阿尼魯德哈 , PAL, ANIRUDDHA , 安格維恩卡 , AGARWAL, ANKUR , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 崔金韓 , CHOI, JINHAN , 何吉姆鍾儀 , HE, JIM ZHONGYI
IPC分类号： H01L21/687

5. 发明专利

TW201501236A 在半導體處理設備中晶圓ＤＣ自我偏壓的非侵入式的測量审中-公开
简体标题：在半导体处理设备中晶圆ＤＣ自我偏压的非侵入式的测量
公开(公告)号：TW201501236A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103120723
申请日：2014-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：貝羅斯特凱索爵G , BELOSTOTSKIY, SERGEY G. , 丁慶恩 , DINH, CHINH , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 千范麥可G , CHAFIN, MICHAEL G.
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/00 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01L21/6833
摘要：本文介紹一種直流(DC)電壓，該直流電壓於一電壓值下施加於電極以將工件夾持至在處理腔室中之靜電卡盤。電極嵌入靜電卡盤中。測量在直流電壓下穿過電極之靜電卡盤電流。基於靜電卡盤電流及所施加之電壓測定在工件上由電漿誘發之直流電自我偏壓。
简体摘要：本文介绍一种直流(DC)电压，该直流电压于一电压值下施加于电极以将工件夹持至在处理腔室中之静电卡盘。电极嵌入静电卡盘中。测量在直流电压下穿过电极之静电卡盘电流。基于静电卡盘电流及所施加之电压测定在工件上由等离子诱发之直流电自我偏压。

6. 发明专利

TW201436654A 電感式耦合電漿源审中-公开
简体标题：电感式耦合等离子源
公开(公告)号：TW201436654A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103100865
申请日：2014-01-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 楊洋 , YANG, YANG , 蘭史蒂芬 , LANE, STEVEN
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要：茲提供用於電漿處理的方法與裝置之實施例。在一些實施例中，一種電感式耦合電漿裝置，包括：一底牆，該底牆包含一輪轂與一環件，該環件藉由一電容耦合於該輪轂，其中該輪轂與該環件之每一者呈導電，且其中該輪轂具有一中心開口，該中心開口準直於該電感式耦合電漿裝置之一中心軸；一頂牆；該頂牆與該底牆相間隔且位於該底牆上方，其中該頂牆具有一中心開口，該中心開口準直於該中心軸，且其中該頂牆呈導電；一側牆，該側牆將該環件電性連接於該頂牆；以及一管件，該管件將該輪轂電性連接於該頂牆，該管件具有一中心開口，該中心開口準直於該中心軸。
简体摘要：兹提供用于等离子处理的方法与设备之实施例。在一些实施例中，一种电感式耦合等离子设备，包括：一底墙，该底墙包含一轮毂与一环件，该环件借由一电容耦合于该轮毂，其中该轮毂与该环件之每一者呈导电，且其中该轮毂具有一中心开口，该中心开口准直于该电感式耦合等离子设备之一中心轴；一顶墙；该顶墙与该底墙相间隔且位于该底墙上方，其中该顶墙具有一中心开口，该中心开口准直于该中心轴，且其中该顶墙呈导电；一侧墙，该侧墙将该环件电性连接于该顶墙；以及一管件，该管件将该轮毂电性连接于该顶墙，该管件具有一中心开口，该中心开口准直于该中心轴。

7. 发明专利

TW201638502A 用於次世代先進電漿技術的腔室主體設計架構审中-公开
简体标题：用于次世代雪铁龙等离子技术的腔室主体设计架构
公开(公告)号：TW201638502A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101259
申请日：2016-01-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 浩爾德布萊德立J , HOWARD, BRADLEY J. , 布萊特尼可拉斯J , BRIGHT, NICHOLAS J.
IPC分类号： F16J10/02
CPC分类号： F16J10/02 , H01J37/32834 , H01J37/32899
摘要：本發明揭露一種用於處理基板的設備，且該設備包括，在一個實施例中，一雙腔室殼體，該雙腔室殼體具有通過該雙腔室殼體形成的兩個開口，一第一泵介面構件，該第一泵介面構件與該雙腔室殼體中形成的該等兩個開口中的一個開口同軸地對齊，以及一第二泵介面構件，該第二泵介面構件與該雙腔室殼體中形成的該等兩個開口中的另一個開口同軸地對齊，其中該等泵介面構件的各者包含與該等兩個開口的一中心線同心的三個通道。
简体摘要：本发明揭露一种用于处理基板的设备，且该设备包括，在一个实施例中，一双腔室壳体，该双腔室壳体具有通过该双腔室壳体形成的两个开口，一第一泵界面构件，该第一泵界面构件与该双腔室壳体中形成的该等两个开口中的一个开口同轴地对齐，以及一第二泵界面构件，该第二泵界面构件与该双腔室壳体中形成的该等两个开口中的另一个开口同轴地对齐，其中该等泵界面构件的各者包含与该等两个开口的一中心线同心的三个信道。

8. 发明专利

TW201545234A 使用氣體分配板熱之溫度躍升审中-公开
简体标题：使用气体分配板热之温度跃升
公开(公告)号：TW201545234A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104107774
申请日：2015-03-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：貝羅斯特凱索爵G , BELOSTOTSKIY, SERGEY G. , 丁慶恩 , DINH, CHINH , 周清軍 , ZHOU, QINGJUN , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01L21/263
摘要：茲提供蝕刻置於基板上的介電層的方法。方法包括在蝕刻處理腔室中，自靜電夾頭鬆開基板，及邊循環蝕刻介電層，邊自靜電夾頭鬆開基板。循環蝕刻包括由供應到蝕刻處理腔室的蝕刻氣體混合物遠端產生電漿，以在第一溫度下蝕刻置於基板上的介電層。蝕刻介電層將產生蝕刻副產物。循環蝕刻亦包括在蝕刻處理腔室中，往氣體分配板垂直移動基板，及使昇華氣體從氣體分配板流向基板而使蝕刻副產物昇華。昇華係在第二溫度下進行，其中第二溫度高於第一溫度。
简体摘要：兹提供蚀刻置于基板上的介电层的方法。方法包括在蚀刻处理腔室中，自静电夹头松开基板，及边循环蚀刻介电层，边自静电夹头松开基板。循环蚀刻包括由供应到蚀刻处理腔室的蚀刻气体混合物远程产生等离子，以在第一温度下蚀刻置于基板上的介电层。蚀刻介电层将产生蚀刻副产物。循环蚀刻亦包括在蚀刻处理腔室中，往气体分配板垂直移动基板，及使升华气体从气体分配板流向基板而使蚀刻副产物升华。升华系在第二温度下进行，其中第二温度高于第一温度。

9. 发明专利

TWI494028B 具有可控制分配ＲＦ功率至製程套組環之電漿反應器的工件支撐件失效
简体标题：具有可控制分配ＲＦ功率至制程套组环之等离子反应器的工件支撑件
公开(公告)号：TWI494028B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW098124886
申请日：2009-07-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 布卻柏格道格拉斯二世A , BUCHBERGER, JR. DOGLAS A. , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW , 里耳托史坦B , LILL, THORSTEN B. , 沈美華 , SHEN, MEIHUA
IPC分类号： H05H1/18 , H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/6833

10. 发明专利

TW201438056A 電漿處理腔室的磁屏蔽审中-公开
简体标题：等离子处理腔室的磁屏蔽
公开(公告)号：TW201438056A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103105489
申请日：2014-02-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩理納斯馬丁傑佛瑞 , SALINAS, MARTIN JEFFREY , 恩蓋葉安德魯 , NGUYEN, ANDREW
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32651 , H01J37/3266
摘要：本發明的實施例大體上關於用於處理基板的設備，該設備具有改良的磁屏蔽。本發明的一個實施例提供一種電漿處理腔室，該腔室具有：RF匹配器、電漿源、以及電漿區域，該電漿區域界定在腔室頂壁與基板支座之間。RF匹配器、電漿源、以及電漿區域之至少一者被屏蔽材料屏蔽隔絕任何外部磁場，該屏蔽材料具有範圍從約20,000至約200,000的相對磁導率。於是，可有效地減少硬體的固有處理不均勻性，且無重疊的來自外部因素(諸如地球的地磁場)的不均勻性。
简体摘要：本发明的实施例大体上关于用于处理基板的设备，该设备具有改良的磁屏蔽。本发明的一个实施例提供一种等离子处理腔室，该腔室具有：RF匹配器、等离子源、以及等离子区域，该等离子区域界定在腔室顶壁与基板支座之间。RF匹配器、等离子源、以及等离子区域之至少一者被屏蔽材料屏蔽隔绝任何外部磁场，该屏蔽材料具有范围从约20,000至约200,000的相对磁导率。于是，可有效地减少硬件的固有处理不均匀性，且无重叠的来自外部因素(诸如地球的地磁场)的不均匀性。

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