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1. 发明专利

TWI397616B 利用有機表面鈍化及微差電鍍延遲進行由底部往上電鍍有权
简体标题：利用有机表面钝化及微差电镀延迟进行由底部往上电镀
公开(公告)号：TWI397616B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098139365
申请日：2009-11-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王政岳 , WANG, JENN-YUE PHILLIP , 坤華 , CHUNG, HUA , 陶龍 , TAO, RONG , 張鴻 , ZHANG, HONG
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/12
CPC分类号： H01L21/76877 , C25D5/022 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/321 , H01L2221/1063

2. 发明专利

TW201026911A 利用有機表面鈍化之底部朝上電鍍及差別的電鍍延遲 BOTTOM UP PLATING BY ORGANIC SURFACE PASSIVATION AND DIFFERENTIAL PLATING RETARDATION 审中-公开
简体标题：利用有机表面钝化之底部朝上电镀及差别的电镀延迟 BOTTOM UP PLATING BY ORGANIC SURFACE PASSIVATION AND DIFFERENTIAL PLATING RETARDATION
公开(公告)号：TW201026911A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098139365
申请日：2009-11-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王政岳 , 坤華 , 陶龍 , 張鴻
IPC分类号： C25D
CPC分类号： H01L21/76877 , C25D5/022 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/321 , H01L2221/1063
摘要：本發明之實施例大體上是關於處理半導體基板的設備和方法。一實施例提出處理基板的方法，包含形成種晶層於具溝槽或通孔結構的基板上、使用有機鈍化膜塗覆部分種晶層、以及將溝槽或通孔結構浸沒於電鍍液，藉以沉積導電材料至未被有機鈍化膜覆蓋的種晶層上。
简体摘要：本发明之实施例大体上是关于处理半导体基板的设备和方法。一实施例提出处理基板的方法，包含形成种晶层于具沟槽或通孔结构的基板上、使用有机钝化膜涂覆部分种晶层、以及将沟槽或通孔结构浸没于电镀液，借以沉积导电材料至未被有机钝化膜覆盖的种晶层上。

3. 发明专利

TW481844B 金屬氮化物/金屬疊層的處理方法有权
简体标题：金属氮化物/金属叠层的处理方法
公开(公告)号：TW481844B
公开(公告)日：2002-04-01
申请号：TW089125825
申请日：2000-12-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：張志凡 , 龐大衛 , 尼汀庫蘭納 , 張鴻 , 羅德瑞克克雷格墨斯利
IPC分类号： H01L
摘要：一種處理基材之方法，包含形成一適用作為於次0.18微米裝置製程的阻障層/襯墊之金屬氮化物/金屬疊層。於金屬氮化物層沉積於金屬層後，金屬氮化物層係曝露至一含氮環境，例如電漿之處理步驟中。該電漿處理修改了整個金屬氮化物層及下方金屬層之頂面部份。電漿將氮加入至金屬層之頂面部份，造成了形成了一氮化金屬層。除了可降低於氮化物-金屬界面間之微結構失配外，電漿處理同時密質化並降低來自沉積氮化物層之雜質。所完成之氮化物/金屬疊層展現改良之薄膜特性，包含加強之黏著性及阻障特徵。一想要厚度之合成氮化物層可以藉由重覆較薄成份氮化物層之沉積及處理循環而加以形成。
简体摘要：一种处理基材之方法，包含形成一适用作为于次0.18微米设备制程的阻障层/衬垫之金属氮化物/金属叠层。于金属氮化物层沉积于金属层后，金属氮化物层系曝露至一含氮环境，例如等离子之处理步骤中。该等离子处理修改了整个金属氮化物层及下方金属层之顶面部份。等离子将氮加入至金属层之顶面部份，造成了形成了一氮化金属层。除了可降低于氮化物-金属界面间之微结构失配外，等离子处理同时密质化并降低来自沉积氮化物层之杂质。所完成之氮化物/金属叠层展现改良之薄膜特性，包含加强之黏着性及阻障特征。一想要厚度之合成氮化物层可以借由重复较薄成份氮化物层之沉积及处理循环而加以形成。

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