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2. 发明专利

TWI493058B 鎢材料的原子層沈積法有权
简体标题：钨材料的原子层沉积法
公开(公告)号：TWI493058B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW097117852
申请日：2008-05-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坎多爾沃夫亞彌特 , KHANDELWAL, AMIT , 摩西馬德夫 , MOORTHY, MADHU , 傑拉多斯巴艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V. , 吳凱 , WU, KAI
IPC分类号： C23C14/00 , C23C16/00

3. 发明专利

TWI394858B 用於沉積具有降低電阻率及改良表面形態之鎢膜的方法有权
简体标题：用于沉积具有降低电阻率及改良表面形态之钨膜的方法
公开(公告)号：TWI394858B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098143180
申请日：2009-12-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳凱 , WU, KAI , 坎多爾沃夫亞彌特 , KHANDELWAL, AMIT , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V.
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/76876 , C23C16/02 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/76861 , H01L21/76877

4. 发明专利

TW201035356A 用於沉積具有降低電阻率及改良表面形態之鎢膜的方法 METHOD OF DEPOSITING TUNGSTEN FILM WITH REDUCED RESISTIVITY AND IMPROVED SURFACE MORPHOLOGY 审中-公开
简体标题：用于沉积具有降低电阻率及改良表面形态之钨膜的方法 METHOD OF DEPOSITING TUNGSTEN FILM WITH REDUCED RESISTIVITY AND IMPROVED SURFACE MORPHOLOGY
公开(公告)号：TW201035356A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098143180
申请日：2009-12-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：吳凱 , 坎多爾沃夫亞彌特 , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/76876 , C23C16/02 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/76861 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種控制一鎢膜之電阻率與形態之方法，該方法包含：在一第一沉積階段期間，藉由下列步驟在一基材上沉積一塊材鎢層之一第一膜：(i)將一連續流動的還原氣體與一脈衝式流動的含鎢化合物導入一製程腔室，以在該基材之表面上沉積鎢；(ii)使該還原氣體而不使該含鎢化合物流入該製程腔室，以淨化該製程腔室；以及(iii)重複步驟(i)~(ii)，直到該第一膜填滿了該基材之表面中的介層洞為止；增加該製程腔室中的壓力；以及在該第一沉積階段之後的一第二沉積階段期間，藉由提供還原氣體與含鎢化合物流到該製程腔室而直到已沉積一第二期望厚度為止，以沉積該塊材鎢層之一第二膜。
简体摘要：本发明提供一种控制一钨膜之电阻率与形态之方法，该方法包含：在一第一沉积阶段期间，借由下列步骤在一基材上沉积一块材钨层之一第一膜：(i)将一连续流动的还原气体与一脉冲式流动的含钨化合物导入一制程腔室，以在该基材之表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该制程腔室，以净化该制程腔室；以及(iii)重复步骤(i)~(ii)，直到该第一膜填满了该基材之表面中的介层洞为止；增加该制程腔室中的压力；以及在该第一沉积阶段之后的一第二沉积阶段期间，借由提供还原气体与含钨化合物流到该制程腔室而直到已沉积一第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层之一第二膜。

5. 发明专利

TW201213589A 用以形成含鎢層之方法 METHODS FOR FORMING TUNGSTEN-CONTAINING LAYERS 审中-公开
简体标题：用以形成含钨层之方法 METHODS FOR FORMING TUNGSTEN-CONTAINING LAYERS
公开(公告)号：TW201213589A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100123145
申请日：2011-06-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：坎多爾沃夫亞彌特 , 吳凱 , 雷紐艾特艾蜜利 , 陳金秋 , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/06 , C23C16/45525
摘要：本案提供用以在基板上形成含鎢層之方法。在一些實施例中，一種在置於一處理腔室內之一基板上形成一含鎢層的方法可包含以下步驟：混合氫氣及一種氫化物，藉以形成一第一處理氣體；引導該第一處理氣體至該處理腔室；使該處理腔室內的該基板暴露於該第一處理氣體持續一第一段時間，以形成一經調節之基板表面；隨後清除該處理腔室中的該第一處理氣體；使該基板暴露於含有一鎢前驅物的一第二處理氣體持續一第二段時間，以於該經調節之基板表面上形成一含鎢成核層；以及隨後清除該處理腔室中的該第二處理氣體。
简体摘要：本案提供用以在基板上形成含钨层之方法。在一些实施例中，一种在置于一处理腔室内之一基板上形成一含钨层的方法可包含以下步骤：混合氢气及一种氢化物，借以形成一第一处理气体；引导该第一处理气体至该处理腔室；使该处理腔室内的该基板暴露于该第一处理气体持续一第一段时间，以形成一经调节之基板表面；随后清除该处理腔室中的该第一处理气体；使该基板暴露于含有一钨前驱物的一第二处理气体持续一第二段时间，以于该经调节之基板表面上形成一含钨成核层；以及随后清除该处理腔室中的该第二处理气体。

6. 发明专利

TW201222714A 具有可變溫度性能之熱型基板處理的方法及設備 METHODS AND APPARATUS FOR THERMAL BASED SUBSTRATE PROCESSING WITH VARIABLE TEMPERATURE CAPABILITY 审中-公开
简体标题：具有可变温度性能之热型基板处理的方法及设备 METHODS AND APPARATUS FOR THERMAL BASED SUBSTRATE PROCESSING WITH VARIABLE TEMPERATURE CAPABILITY
公开(公告)号：TW201222714A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100122688
申请日：2011-06-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：祖國權 , 袁小雄 , 坎多爾沃夫亞彌特 , 王班哲明成 , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , 吳凱 , 卡拉茲麥克P , 林敬 , 古法西歐肯
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45587 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C23C16/52
摘要：一種基板支撐件可包括：一主體；一內環，該內環設置在該主體的周圍；一外環，該外環設置在該內環的周圍，其中一第一開口形成在該內環與該外環之間；一第一密封環，該第一密封環設置在該第一開口上方；一屏蔽環，該屏蔽環設置在該內環上方，該屏蔽環從該外環向內延伸，其中一第二開口形成在該屏蔽環與該外環之間；一第二密封環，該第二密封環設置在該第二開口上方；一空間，該空間至少部分地被該主體、該內環、該外環、該第一密封環、該第二密封環、及該屏蔽環所界定；一第一間隙，其中當一基板存在時，該第一間隙被界定在該基板的一處理表面與該屏蔽環之間；及複數個第二間隙，該複數個第二間隙流體地耦接到該空間；其中該第一間隙與該複數個第二間隙係設以使得當一基板存在時，一被提供到該空間的氣體能經由該第一間隙流出該空間。
简体摘要：一种基板支撑件可包括：一主体；一内环，该内环设置在该主体的周围；一外环，该外环设置在该内环的周围，其中一第一开口形成在该内环与该外环之间；一第一密封环，该第一密封环设置在该第一开口上方；一屏蔽环，该屏蔽环设置在该内环上方，该屏蔽环从该外环向内延伸，其中一第二开口形成在该屏蔽环与该外环之间；一第二密封环，该第二密封环设置在该第二开口上方；一空间，该空间至少部分地被该主体、该内环、该外环、该第一密封环、该第二密封环、及该屏蔽环所界定；一第一间隙，其中当一基板存在时，该第一间隙被界定在该基板的一处理表面与该屏蔽环之间；及复数个第二间隙，该复数个第二间隙流体地耦接到该空间；其中该第一间隙与该复数个第二间隙系设以使得当一基板存在时，一被提供到该空间的气体能经由该第一间隙流出该空间。

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