专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI365496B 可改變處理氣體分配的遮罩蝕刻式電漿反應器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH VARIABLE PROCESS GAS DISTRIBUTION 失效
简体标题：可改变处理气体分配的遮罩蚀刻式等离子反应器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH VARIABLE PROCESS GAS DISTRIBUTION
公开(公告)号：TWI365496B
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW096126712
申请日：2007-07-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：仙卓須德麥哈維 , 格林柏恩麥克N , 古延基姆K , 禮文頓理查 , 伊波拉罕伊波拉罕M , 潘那葉席巴J , 庫默亞傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：一種用於處理工件(例如遮罩或晶圓)的電漿反應器，其包括一真空腔室，該真空腔室具有圓柱形側壁，頂以及環，其中該頂在側壁之上，該環則被支撐在側壁的頂邊緣上，並且該環支撐頂部，該環包括外表面和內表面。射頻(RF)電漿源功率施加器，和耦合至該施加器的RF源功率發生器，用以提供電漿源功率。多個通道在徑向方向上延伸，且從外表面到內表面貫穿圓環，並沿著圓環的周長間隔設置。處理氣體供應提供處理氣體。腔室外部的外部氣流管道則沿腔室週邊延伸，並與處理氣體供應耦合。腔室外部的多個外部氣流閥沿著管道在分隔的每個位置處，與外部管道耦合，每個閥具有：(a)可控氣體輸出口，其在環的外表面處，分別與多個管道之一耦合，以及(b)閥控制輸入。氣閥配置控制器控制每個閥的閥控制輸入。
简体摘要：一种用于处理工件(例如遮罩或晶圆)的等离子反应器，其包括一真空腔室，该真空腔室具有圆柱形侧壁，顶以及环，其中该顶在侧壁之上，该环则被支撑在侧壁的顶边缘上，并且该环支撑顶部，该环包括外表面和内表面。射频(RF)等离子源功率施加器，和耦合至该施加器的RF源功率发生器，用以提供等离子源功率。多个信道在径向方向上延伸，且从外表面到内表面贯穿圆环，并沿着圆环的周长间隔设置。处理气体供应提供处理气体。腔室外部的外部气流管道则沿腔室周边延伸，并与处理气体供应耦合。腔室外部的多个外部气流阀沿着管道在分隔的每个位置处，与外部管道耦合，每个阀具有：(a)可控气体输出口，其在环的外表面处，分别与多个管道之一耦合，以及(b)阀控制输入。气阀配置控制器控制每个阀的阀控制输入。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式