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1. 发明专利

TW200946713A 化學氣相沈積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW200946713A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102538
申请日：2009-01-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明之實施例一般係涉及用於在基材上進行化學氣相沉積（CVD）的方法及設備，更特定的是涉及用於金屬有機化學氣相沉積的製程腔室及部件。該設備包括：一腔室主體，界定一製程容積；一噴氣頭，位於一第一平面，並界定該製程容積的一頂端部分；一承載板，在一第二平面而延伸跨越該製程容積，並在該噴氣頭與該基座板之間形成一上方製程容積；一透明材料，位於一第三平面，並界定該製程容積的一底端部分，而在該承載板與該透明材料之間形成一下方製程容積；以及複數個燈，係在該透明材料下方形成一或多個區域。該設備提供均一的前驅物流動及混合，並同時維持較大基材上方之均一溫度，因而使生產率有相應的增長。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及用于在基材上进行化学气相沉积（CVD）的方法及设备，更特定的是涉及用于金属有机化学气相沉积的制程腔室及部件。该设备包括：一腔室主体，界定一制程容积；一喷气头，位于一第一平面，并界定该制程容积的一顶端部分；一承载板，在一第二平面而延伸跨越该制程容积，并在该喷气头与该基座板之间形成一上方制程容积；一透明材料，位于一第三平面，并界定该制程容积的一底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成一下方制程容积；以及复数个灯，系在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大基材上方之均一温度，因而使生产率有相应的增长。

2. 发明专利

TW201112313A 氫化物氣相磊晶（ＨＶＰＥ）噴氣頭設計 HVPE SHOWERHEAD DESIGN 审中-公开
简体标题：氢化物气相磊晶（ＨＶＰＥ）喷气头设计 HVPE SHOWERHEAD DESIGN
公开(公告)号：TW201112313A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099112567
申请日：2007-10-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 譚亞歷山大 , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 崔肯瑞克T , 阿佳亞史蘇美德 , 奈哈萬山迪普 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要：本發明提供一種可以用於沈積製程(例如金屬氮化物膜的氫化物氣相磊晶法(HVPE)沈積)中的方法和裝置,。第一組通路可引入含金屬前驅物氣體。第二組通路可提供含氮前驅物氣體。散佈所述第一和第二組通路,以分開所述含金屬前驅物氣體和所述含氮前驅物氣體,直到它們到達基板。惰性氣體還可流經所述通道,以幫助保持間距和限制所述通路處或其附近的反應,從而防止所述通路上的不需要的沈積。
简体摘要：本发明提供一种可以用于沉积制程(例如金属氮化物膜的氢化物气相磊晶法(HVPE)沉积)中的方法和设备,。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。散布所述第一和第二组通路,以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体,直到它们到达基板。惰性气体还可流经所述信道,以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应,从而防止所述通路上的不需要的沉积。

3. 发明专利

TWI542725B 誘導處理室清潔氣體之紊流的方法及設備有权
简体标题：诱导处理室清洁气体之紊流的方法及设备
公开(公告)号：TWI542725B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100120573
申请日：2011-06-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仲華 , CHUNG, HUA , 董希子 , DONG, XIZI , 曼亞文傑森 , MAUNG, KYAWWIN JASON , 花輪廣治 , HANAWA, HIROJI , 姜聖元 , KANG, SANG WON , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 奧葛多唐諾得J K , OLGADO, DONALD J. K. , 布爾大衛 , BOUR, DAVID , 許偉勇 , HSU, WEI-YUNG , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 阿佳亞史蘇美德 , ACHARYA, SUMEDH
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905

4. 发明专利

TW201128734A 化學氣相沉積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW201128734A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099126122
申请日：2010-08-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4412 , C23C16/4584 , C23C16/481 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明之實施例一般係涉及在一基板上進行化學氣相沉積(CVD)的方法及設備，且特別是涉及在金屬有機化學氣相沉積中所使用的製程腔室及部件。該設備包括界定一製程容積的一腔室主體。在第一平面中的噴灑頭係界定製程容積的頂部部分。承載板在第二平面中延伸跨越製程容積，並在噴灑頭與基座板之間形成一上方製程容積。在第三平面中的透明材料界定製程容積的底部部分，並在承載板與透明材料之間形成一下方製程容積。複數個燈在透明材料的下方形成一或多個區。該設備提供均一的前驅物流及混合，並同時維持在較大基板上的均一溫度，因而造成生產率的相應增加。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及在一基板上进行化学气相沉积(CVD)的方法及设备，且特别是涉及在金属有机化学气相沉积中所使用的制程腔室及部件。该设备包括界定一制程容积的一腔室主体。在第一平面中的喷洒头系界定制程容积的顶部部分。承载板在第二平面中延伸跨越制程容积，并在喷洒头与基座板之间形成一上方制程容积。在第三平面中的透明材料界定制程容积的底部部分，并在承载板与透明材料之间形成一下方制程容积。复数个灯在透明材料的下方形成一或多个区。该设备提供均一的前驱物流及混合，并同时维持在较大基板上的均一温度，因而造成生产率的相应增加。

7. 外观设计

TWD147215S 用來使一製程腔室的清洗氣體產生紊流的清洗盤 CLEANING PLATE FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS 有权
简体标题：用来使一制程腔室的清洗气体产生紊流的清洗盘 CLEANING PLATE FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS
公开(公告)号：TWD147215S
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW100304292
申请日：2011-08-19
申请人：應用材料股份有限公司
设计人：仲華 , 董希子 , 曼亞文傑森 , 塙廣二 , 姜聖元 , 考區大衛H , 奧葛多唐諾得J K , 布爾大衛 , 許偉勇 , 湯亞歷山大 , 常安中 , 阿佳亞史蘇美德
摘要：【物品用途】
本創作係一種用來使一製程腔室的清洗氣體產生紊流的清洗盤。
【創作特點】
參照立體圖、俯視圖、及仰視圖，本創作之清洗盤，由上面俯視係呈圓形，其被分為四個區域，且在各區域分隔線接近圓周處形成兩個略呈三角形的凹洞。
另參照另一立體圖、及局部放大圖，本創作之清洗盤，由底面仰視係各區域中間延伸桿體分別具有一略呈長條形的凸部。
整體而言，本創作的外型獨特美觀，實為一外型新穎之新式樣設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种用来使一制程腔室的清洗气体产生紊流的清洗盘。【创作特点】参照三維图、俯视图、及仰视图，本创作之清洗盘，由上面俯视系呈圆形，其被分为四个区域，且在各区域分隔线接近圆周处形成两个略呈三角形的凹洞。另参照另一三維图、及局部放大图，本创作之清洗盘，由底面仰视系各区域中间延伸杆体分别具有一略呈长条形的凸部。整体而言，本创作的外型独特美观，实为一外型新颖之新式样设计。

8. 发明专利

TW201213603A 誘導處理室清潔氣體之紊流的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS 审中-公开
简体标题：诱导处理室清洁气体之紊流的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS
公开(公告)号：TW201213603A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100120573
申请日：2011-06-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：仲華 , 董希子 , 曼亞文傑森 , 花輪廣治 , 姜聖元 , 考區大衛H , 奧葛多唐諾得J K , 布爾大衛 , 許偉勇 , 湯亞歷山大 , 張恩中 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905
摘要：本發明之實施例一般係與利用一清潔板來清潔腔室組件的設備與方法有關。清潔板係用以在一清潔處理期間定位在一基板支架上，且清潔板包含複數個紊流誘導結構。當清潔板在清潔處理期間旋轉時，紊流誘導結構會誘導出清潔氣體之紊流。清潔板增加了清潔氣體在清潔期間中在噴淋頭附近的停留時間。此外，清潔板降低了清潔板內的濃度梯度，以提供更有效之清潔。該方法包含定位該清潔板為與一噴淋頭相鄰；將一清潔氣體引入至噴淋頭與清潔板之間的空間中。接著，沉積在噴淋頭表面之材料會被加熱，且在存在清潔氣體的同時汽化，然後被排出處理腔。
简体摘要：本发明之实施例一般系与利用一清洁板来清洁腔室组件的设备与方法有关。清洁板系用以在一清洁处理期间定位在一基板支架上，且清洁板包含复数个紊流诱导结构。当清洁板在清洁处理期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体之紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷淋头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效之清洁。该方法包含定位该清洁板为与一喷淋头相邻；将一清洁气体引入至喷淋头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷淋头表面之材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔。

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