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1. 发明专利

TW201133559A ＬＥＤ製造的多腔室分離處理 MULTICHAMBER SPLIT PROCESSES FOR LED MANUFACTURING 审中-公开
简体标题：ＬＥＤ制造的多腔室分离处理 MULTICHAMBER SPLIT PROCESSES FOR LED MANUFACTURING
公开(公告)号：TW201133559A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099133894
申请日：2010-10-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/0254 , C23C16/301 , C23C16/4481 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/46 , C23C16/481 , C23C16/54 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67207 , H01L33/007
摘要：本文所述實施例大致關於藉由金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)處理與/或氫化物氣相磊晶(HVPE)處理形成III-V族材料之方法。一實施例中，在第一腔室中於基板上執行III1族-N層之沉積，在第二腔室中於基板執行III2族-N層之沉積，並在與沉積III2族-N層之腔室不同的腔室中於基板上執行III3族-N層之沉積。在III2族-N層沉積與III3族-N層沉積之間，於基板上執行一或多個表面處理以降低界面處的非輻射復合並改善生成結構之整體電致發光。
简体摘要：本文所述实施例大致关于借由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料之方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上运行III1族-N层之沉积，在第二腔室中于基板运行III2族-N层之沉积，并在与沉积III2族-N层之腔室不同的腔室中于基板上运行III3族-N层之沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间，于基板上运行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构之整体电致发光。

2. 发明专利

TWI496935B ＭＯＣＶＤ腔室在原位清潔後利用ＮＨ３淨化之去汙染有权
简体标题：ＭＯＣＶＤ腔室在原位清洁后利用ＮＨ３净化之去污染
公开(公告)号：TWI496935B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW099113537
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 蘇杰 , SU, JIE , 葛瑞芬凱文 , GRIFFIN, KEVIN , 全晟元 , JUN, SUNG WON , 奈哈萬山迪普 , NIJHAWAN, SANDEEP , 董希子 , DONG, XIZI , 普恩茲 , POON, TZE , 華盛頓羅莉D , WASHINGTON, LORI D. , 葛瑞松嘉寇伯 , GRAYSON, JACOB
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/67

3. 发明专利

TW201212106A 供直接加熱並增加溫度均勻性所用之複合基材 COMPOSITE SUBSTRATES FOR DIRECT HEATING AND INCREASED TEMPERATURE UNIFORMITY 审中-公开
简体标题：供直接加热并增加温度均匀性所用之复合基材 COMPOSITE SUBSTRATES FOR DIRECT HEATING AND INCREASED TEMPERATURE UNIFORMITY
公开(公告)号：TW201212106A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100128386
申请日：2011-08-09
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰 , 奧葛多唐諾得J K , 庫特尼麥可C
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F27B17/0025 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B23/063 , C30B25/105 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要：本案之實施例大體而言係關於用以均勻地加熱基材之設備及方法。該設備包含一可傳送定位盤，該可傳送定位盤具有至少一個電極和一介電塗層。可傳送定位盤可以一偏壓組件而相對一基材偏壓，且可傳送定位盤於一製造製程期間獨立於該偏壓組件而傳送，同時維持相對該基材之該偏壓。該定位盤吸收從一加熱源所發出之輻射熱且均勻地將該熱傳導至與該定位盤耦接之一基材。該定位盤具有高發射率和高熱導率，以吸收和傳送該輻射熱至該基材。該高熱導率允許於整個該基材之一均勻溫度輪廓，藉此增加沉積均勻性。該方法包括以下步驟：設置一光吸收材料於一光學透明基材上；及以一輻射加熱源輻射該光吸收材料以加熱該光學透明基材。
简体摘要：本案之实施例大体而言系关于用以均匀地加热基材之设备及方法。该设备包含一可发送定位盘，该可发送定位盘具有至少一个电极和一介电涂层。可发送定位盘可以一偏压组件而相对一基材偏压，且可发送定位盘于一制造制程期间独立于该偏压组件而发送，同时维持相对该基材之该偏压。该定位盘吸收从一加热源所发出之辐射热且均匀地将该热传导至与该定位盘耦接之一基材。该定位盘具有高发射率和高热导率，以吸收和发送该辐射热至该基材。该高热导率允许于整个该基材之一均匀温度轮廓，借此增加沉积均匀性。该方法包括以下步骤：设置一光吸收材料于一光学透明基材上；及以一辐射加热源辐射该光吸收材料以加热该光学透明基材。

4. 发明专利

TW201145582A 藉由空間侷限磊晶法生長ＩＩＩ－Ｖ族材料層 GROWTH OF GROUP III-V MATERIAL LAYERS BY SPATIALLY CONFINED EPITAXY 审中-公开
简体标题：借由空间局限磊晶法生长ＩＩＩ－Ｖ族材料层 GROWTH OF GROUP III-V MATERIAL LAYERS BY SPATIALLY CONFINED EPITAXY
公开(公告)号：TW201145582A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106026
申请日：2011-02-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02502 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要：本案描述藉由空間侷限磊晶法於大型基板上無龜裂生長氮化鎵(GaN)及其相關膜層的技術。
简体摘要：本案描述借由空间局限磊晶法于大型基板上无龟裂生长氮化镓(GaN)及其相关膜层的技术。

5. 发明专利

TW201140655A 用於腔室分離處理的表面鈍化技術 SURFACE PASSIVATION TECHNIQUES FOR CHAMBER-SPLIT PROCESSING 失效
简体标题：用于腔室分离处理的表面钝化技术 SURFACE PASSIVATION TECHNIQUES FOR CHAMBER-SPLIT PROCESSING
公开(公告)号：TW201140655A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099144073
申请日：2010-12-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0254 , C23C16/18 , C23C16/20 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02656 , H01L33/007
摘要：茲揭露供腔室-分離處理所用之表面鈍化技術。本發明之一方法包括下列步驟：於基材上方形成第一III-V族材料層，第一III-V族材料層具有頂表面。將鈍化層沉積於該III-V族材料層之頂表面上。將鈍化層移除。隨後，於第一III-V族材料層上方形成第二III-V族材料層。
简体摘要：兹揭露供腔室-分离处理所用之表面钝化技术。本发明之一方法包括下列步骤：于基材上方形成第一III-V族材料层，第一III-V族材料层具有顶表面。将钝化层沉积于该III-V族材料层之顶表面上。将钝化层移除。随后，于第一III-V族材料层上方形成第二III-V族材料层。

6. 发明专利

TW201107522A ＭＯＣＶＤ腔室在原位清潔後利用ＮＨ３淨化之去汙染 DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING 审中-公开
简体标题：ＭＯＣＶＤ腔室在原位清洁后利用ＮＨ３净化之去污染 DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING
公开(公告)号：TW201107522A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099113537
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克瑞勞可歐嘉 , 蘇杰 , 葛瑞芬凱文 , 全晟元 , 奈哈萬山迪普 , 董希子 , 普恩茲 , 華盛頓羅莉D , 葛瑞松嘉寇伯
IPC分类号： C23C , H01L
摘要：本發明之實施例大致關於在腔室中處理基板(例如，藉由金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)處理形成III族-V族材料)後，自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物之方法與設備。一實施例中，提供自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物的方法。方法包括在配置於基板處理腔室中之基板上沉積一或多個含III族層；傳送基板離開基板處理腔室；及脈衝含鹵素氣體進入基板處理腔室，以自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物的至少一部分。
简体摘要：本发明之实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，借由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后，自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物之方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物的方法。方法包括在配置于基板处理腔室中之基板上沉积一或多个含III族层；发送基板离开基板处理腔室；及脉冲含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物的至少一部分。

7. 发明专利

TW201105820A 用於乾式清潔冷卻噴頭之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD 审中-公开
简体标题：用于干式清洁冷却喷头之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD
公开(公告)号：TW201105820A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099125955
申请日：2010-08-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：葛瑞芬凱文 , 克瑞勞可歐嘉 , 蘇杰
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/45572
摘要：本發明大體上提供一種用於清潔沉積腔室(諸如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD))之噴頭之設備及方法。在一實施例中,在不將腔室暴露至腔室外的大氣的情況下清潔噴頭(即原位清潔)。在一實施例中,通過與噴頭流體連通的冷卻系統之液體冷卻劑流受到重新導引,以繞過(bypass)噴頭,而液體冷卻劑由噴頭汲引。在一實施例中,任何殘餘的冷卻劑是從噴頭透過加壓氣體源而沖流。在一實施例中,噴頭隨後受熱至適當的清潔溫度。在一實施例中來自冷卻系統的液體冷卻劑流隨後受重新導引至噴頭,而系統受調整以供繼續處理。因此,整個噴頭清潔製程是在對通過冷卻系統的冷卻劑流之最小改變的情況下執行。
简体摘要：本发明大体上提供一种用于清洁沉积腔室(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD))之喷头之设备及方法。在一实施例中,在不将腔室暴露至腔室外的大气的情况下清洁喷头(即原位清洁)。在一实施例中,通过与喷头流体连通的冷却系统之液体冷却剂流受到重新导引,以绕过(bypass)喷头,而液体冷却剂由喷头汲引。在一实施例中,任何残余的冷却剂是从喷头透过加压气体源而冲流。在一实施例中,喷头随后受热至适当的清洁温度。在一实施例中来自冷却系统的液体冷却剂流随后受重新导引至喷头,而系统受调整以供继续处理。因此,整个喷头清洁制程是在对通过冷却系统的冷却剂流之最小改变的情况下运行。

8. 发明专利

TWI499085B 藉由空間侷限磊晶法生長III-V族材料層有权
简体标题：借由空间局限磊晶法生长III-V族材料层
公开(公告)号：TWI499085B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100106026
申请日：2011-02-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蘇杰 , SU, JIE , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L21/02502 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/0265

9. 发明专利

TWI440076B 用於腔室分離處理的表面鈍化技術失效
简体标题：用于腔室分离处理的表面钝化技术
公开(公告)号：TWI440076B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW099144073
申请日：2010-12-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蘇杰 , SU, JIE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/0254 , C23C16/18 , C23C16/20 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02656 , H01L33/007

10. 发明专利

TW201300564A 透過高壓或原子層沉積製程增加鎂摻入氮化鎵膜的方法审中-公开
简体标题：透过高压或原子层沉积制程增加镁掺入氮化镓膜的方法
公开(公告)号：TW201300564A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101120498
申请日：2012-06-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蘇杰 , SU, JIE , 呂疆 , LU, JIANG , 仲華 , CHUNG, HUA , 許偉勇 , HSU, WEI-YUNG , 布爾大衛 , BOUR, DAVID
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/06
CPC分类号： H01L21/02579 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本發明描述透過高壓或原子層沉積製程增加鎂摻入氮化鎵膜的方法。在一個實例中，製造III族氮化物薄膜之方法包括使III族前驅物、氮前驅物及p型摻雜劑前驅物流動至內部具有基板的反應腔室中。當反應腔室中之總壓力大約在300托至760托之範圍內時，p型摻雜III族氮化物層形成於反應腔室中、基板之上。
简体摘要：本发明描述透过高压或原子层沉积制程增加镁掺入氮化镓膜的方法。在一个实例中，制造III族氮化物薄膜之方法包括使III族前驱物、氮前驱物及p型掺杂剂前驱物流动至内部具有基板的反应腔室中。当反应腔室中之总压力大约在300托至760托之范围内时，p型掺杂III族氮化物层形成于反应腔室中、基板之上。

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