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1. 发明专利

TW201117290A 用於低Ｋ介電質修復的設備及方法 APPARATUS AND METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC REPAIR 审中-公开
简体标题：用于低Ｋ介电质修复的设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC REPAIR
公开(公告)号：TW201117290A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099126121
申请日：2010-08-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：卡杜祺詹姆斯D , 奈馬尼史林尼法斯D , 唐海蓉 , 孫輝 , 馬可夫斯基伊戈爾 , 古德愛爾R , 卡亞伊沃爾拉尼S , 葉艾利Y , 張春雷 , 柯林肯尼S , 艾馬克斯特麥克D , 波拉克里斯那阿吉特 , 里耳托史坦B
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76831
摘要：本文提供蝕刻與/或剝除處理造成之低k介電質薄膜損害的整合式真空中修復方法、系統與電腦可讀媒體。將修復腔室併入與電漿蝕刻與/或剝除腔室之相同平臺上，以在傷害事件與修復事件之間不破壞真空下修復低k介電質薄膜。可於低k修復處理之前、之後或期間之任何組合提供UV輻射於整合式蝕刻/修復平臺上，以提高修復處理之效率與/或修復穩定性。
简体摘要：本文提供蚀刻与/或剥除处理造成之低k介电质薄膜损害的集成式真空中修复方法、系统与电脑可读媒体。将修复腔室并入与等离子蚀刻与/或剥除腔室之相同平台上，以在伤害事件与修复事件之间不破坏真空下修复低k介电质薄膜。可于低k修复处理之前、之后或期间之任何组合提供UV辐射于集成式蚀刻/修复平台上，以提高修复处理之效率与/或修复稳定性。

2. 发明专利

TW201023235A 具有循環高壓及低壓清潔步驟的遠距電漿清潔製程 A REMOTE PLASMA CLEAN PROCESS WITH CYCLED HIGH AND LOW PRESSURE CLEAN STEPS 审中-公开
简体标题：具有循环高压及低压清洁步骤的远距等离子清洁制程 A REMOTE PLASMA CLEAN PROCESS WITH CYCLED HIGH AND LOW PRESSURE CLEAN STEPS
公开(公告)号：TW201023235A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098135817
申请日：2009-10-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：華中興 , 卡瑪斯山傑 , 李楊S , 葉艾利Y , 李憲銘虎 , 帕特安札那M , 高達萊卡蘇荷R
IPC分类号： H01J
CPC分类号： B08B7/0035 , C23C16/4405
摘要：本發明係關於一種遠距電漿製程,其用以在處理過安置於一基板處理腔室內之基板之後,自該基板處理腔室之一或多個內部表面移除不良沈積堵塞。在一實施例中,將基板轉移出基板處理腔室,且將一含氟蝕刻氣體流引入一遠距電漿源,在遠距電漿源中形成反應性物料。當重複高壓及低壓清潔步驟之一循環時,自該遠距電漿源至該基板處理腔室之該反應性物料之一連續流得以產生。在高壓清潔步驟期間,將基板處理腔室內之壓力維持在4至15托爾之間的同時,將反應性物料流入基板處理腔室。在低壓清潔步驟期間,將基板處理腔室之壓力較高壓清潔步驟中所達到之高壓減少至少50%的同時,將反應性物料流入基板處理腔室。
简体摘要：本发明系关于一种远距等离子制程,其用以在处理过安置于一基板处理腔室内之基板之后,自该基板处理腔室之一或多个内部表面移除不良沉积堵塞。在一实施例中,将基板转移出基板处理腔室,且将一含氟蚀刻气体流引入一远距等离子源,在远距等离子源中形成反应性物料。当重复高压及低压清洁步骤之一循环时,自该远距等离子源至该基板处理腔室之该反应性物料之一连续流得以产生。在高压清洁步骤期间,将基板处理腔室内之压力维持在4至15托尔之间的同时,将反应性物料流入基板处理腔室。在低压清洁步骤期间,将基板处理腔室之压力较高压清洁步骤中所达到之高压减少至少50%的同时,将反应性物料流入基板处理腔室。

3. 发明专利

TWI605497B 降低用於先進鰭式場效電晶體形成之介電層的Ｋ値之方法有权
简体标题：降低用于雪铁龙鳍式场效应管形成之介电层的Ｋ値之方法
公开(公告)号：TWI605497B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103141037
申请日：2014-11-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉艾利Y , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L29/51 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/28185 , H01L21/31155 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66803

4. 发明专利

TW201528342A 降低用於先進鰭式場效電晶體形成之介電層的Ｋ値之方法审中-公开
简体标题：降低用于雪铁龙鳍式场效应管形成之介电层的Ｋ値之方法
公开(公告)号：TW201528342A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141037
申请日：2014-11-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉艾利Y , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L29/51 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/28185 , H01L21/31155 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66803
摘要：在此描述的實施例大體上關於形成閘極結構的方法。可於閘極介電材料上執行各種製程以減少介電材料之K值。具有減少的K值的閘極介電質可提供減少的寄生電容與整體減少的電容。可不受限於熱力而修飾閘極介電質。
简体摘要：在此描述的实施例大体上关于形成闸极结构的方法。可于闸极介电材料上运行各种制程以减少介电材料之K值。具有减少的K值的闸极介电质可提供减少的寄生电容与整体减少的电容。可不受限于热力而修饰闸极介电质。

5. 发明专利

TW201036046A 用於製造具有鑭族系氧化物層的半導體元件之方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A LANTHANUM-FAMILY-BASED OXIDE LAYER 审中-公开
简体标题：用于制造具有镧族系氧化物层的半导体组件之方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A LANTHANUM-FAMILY-BASED OXIDE LAYER
公开(公告)号：TW201036046A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099103847
申请日：2010-02-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：沈美華 , 桑諾爾 , 賈尼尼可拉斯 , 陳漢祥 , 裴艾瑞克 , 曾偉明 , 里耳托史坦B , 米查尤戴 , 葉艾利Y
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/28123 , H01L21/28167 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：一種用於製造具有鑭族系氧化物層之半導體元件的方法。在基材上方提供一具有鑭族系氧化物層之閘極堆疊。至少一部分的鑭族系氧化物層經改質形成鑭族系鹵化物部份。鑭族系鹵化物部份以水蒸氣處理移除。
简体摘要：一种用于制造具有镧族系氧化物层之半导体组件的方法。在基材上方提供一具有镧族系氧化物层之闸极堆栈。至少一部分的镧族系氧化物层经改质形成镧族系卤化物部份。镧族系卤化物部份以水蒸气处理移除。

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