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    • 2. 发明专利
    • 快閃記憶體之適應性動態讀取 ADAPTIVE DYNAMIC READING OF FLASH MEMORIES
    • 闪存之适应性动态读取 ADAPTIVE DYNAMIC READING OF FLASH MEMORIES
    • TW200907985A
    • 2009-02-16
    • TW097114920
    • 2008-04-23
    • 山迪士IL有限公司 SANDISK IL LTD
    • 伊蘭 沙朗 SHARON, ERAN伊丹 阿爾羅德 ALROD, IDAN馬克 史立克 SHLICK, MARK
    • G11CG06F
    • G11C16/10G11C11/5628G11C11/5642G11C16/28G11C2211/5634
    • 將複數個快閃記憶體晶胞中之每一者程式化至一臨限電壓窗內之L≧2個臨限電壓狀態中之一各別臨限電壓狀態。藉由判定該等晶胞中之一些或所有中具有在該臨限電壓窗內之m≧2個臨限電壓間隔中之兩者或兩者以上中之每一者中的臨限電壓的晶胞之數目來建構一直方圖。基於該直方圖之形狀參數之經估計之値來選擇用於讀取該等晶胞之參考電壓。或者,相對於界定橫跨該臨限電壓窗之m≧2個臨限電壓間隔之參考電壓來讀取該等晶胞,以判定臨限電壓處於該等臨限電壓間隔中之兩者或兩者以上中之每一者中的該等晶胞之至少一部分之數目。在不重新讀取該等晶胞之情況下,基於該等數目而將各別臨限電壓狀態指派給該等晶胞。
    • 将复数个闪存晶胞中之每一者进程化至一临限电压窗内之L≧2个临限电压状态中之一各别临限电压状态。借由判定该等晶胞中之一些或所有中具有在该临限电压窗内之m≧2个临限电压间隔中之两者或两者以上中之每一者中的临限电压的晶胞之数目来建构一直方图。基于该直方图之形状参数之经估计之値来选择用于读取该等晶胞之参考电压。或者,相对于界定横跨该临限电压窗之m≧2个临限电压间隔之参考电压来读取该等晶胞,以判定临限电压处于该等临限电压间隔中之两者或两者以上中之每一者中的该等晶胞之至少一部分之数目。在不重新读取该等晶胞之情况下,基于该等数目而将各别临限电压状态指派给该等晶胞。