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    • 6. 发明申请
    • 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置
    • 磁记录介质,其制造方法和使用介质的磁记录读取器
    • WO2008136483A1
    • 2008-11-13
    • PCT/JP2008/058258
    • 2008-04-30
    • 小川 一文
    • 小川 一文
    • G11B5/712G11B5/70G11B5/73G11B5/84
    • G11B5/84G11B5/712
    •   簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備え、かつ膜厚およびパターン制御が容易な磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供する。   磁気記録媒体3は、第1の官能基を有する第1の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基体14の表面に、第1の官能基とカップリング反応する被膜で被覆された反応性磁性微粒子42が配列した磁性微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して1層結合固定され、さらにその上に第1のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された磁性微粒子34および反応性磁性微粒子42が交互に結合固定されている。
    • 可以通过简单的工艺制造的磁记录介质结合了高记录密度和剥离不敏感性,并且容易地相对于膜厚度和图案化进行控制; 一种生产该介质的方法; 以及采用该介质的磁记录读取器。 磁记录介质(3)包括:涂覆有由具有第一官能团的第一成膜化合物制成的图案化涂膜的基底(14) 以及一个细微粒子层,其包含精细的反应性磁性颗粒(42),其布置并涂覆有与第一官能团进行偶联反应的涂膜,该层通过键合键合并固定到基底(14)的表面上 由偶联反应形成。 介质(1)还可以具有涂覆有与第一偶联反应基团和细小反应性磁性颗粒(42),颗粒(34)和颗粒(42)反应的成膜化合物的涂膜的细小磁性颗粒(34) 42)交替粘合固定在微细粒子层上。
    • 7. 发明申请
    • 磁気感応性物質、磁気感応性薬剤およびそれらの製造方法
    • 磁敏材料,磁敏感药物及其生产方法
    • WO2008111538A1
    • 2008-09-18
    • PCT/JP2008/054217
    • 2008-03-07
    • 小川 一文渡辺 好章
    • 小川 一文渡辺 好章
    • A61K47/48A61K9/14A61K31/43A61K47/02
    • A61K31/43A61K9/0009A61K9/5094A61K47/6923A61K47/6929
    • 磁石を用いて、混合物からの機能物質の分離が可能な磁気感応性物質、および磁性を有する微粒子表面に共有結合した有機薄膜を介して薬剤が結合固定されており、磁石を用いて、薬剤の体内動態が制御可能な磁気感応性薬剤、ならびにこれらの製造方法を提供する。 磁気感応性物質10において、磁性を有する微粒子1が、第2の官能基を有する膜化合物の形成する薄膜4によって被覆されており、その表面に、第2の官能基と反応して共有結合を形成する第1の架橋反応基、および機能物質6の官能基と反応して結合を形成する第2の架橋反応基とを有する架橋剤5が、第2の官能基と第1の架橋反応基との反応により形成された共有結合を介して結合しており、機能物質6の官能基と第2の架橋官能基との反応により形成された結合を介して、機能物質6が微粒子1に結合している。 
    • 公开了一种磁敏材料,其中容纳其中的功能性物质可以通过使用磁体容易地从混合物中分离出来; 包含磁性微粒,与微粒表面共价结合的有机薄膜的磁敏药剂,以及通过有机薄膜结合并固定在微粒上的药剂,其中含有其中的药剂的药代动力学 可以通过使用磁铁来控制; 以及用于制造每种感光材料和敏感药剂的方法。 具体公开了一种磁敏材料(10),其包括:磁性微粒(1); 由覆盖磁性微粒(1)的具有第二官能团的膜状化合物形成的薄膜(4); 具有第一交联基团和第二交联基团的交联剂(5),其中所述第一交联基团可以与所述第二官能团反应形成共价键,所述第二交联基团可以 与功能性物质(6)中的官能团反应形成键,并且交联剂(5)通过由第二官能团(6)之间的反应形成的共价键与薄膜(4)的表面结合, 集团和第一交联集团; 和通过功能性物质(6)中的官能团与第二交联基团反应形成的键与微粒(1)结合的功能性物质(6)。
    • 9. 发明申请
    • 不揮発性メモリー
    • 非易失性存储器
    • WO2003052827A1
    • 2003-06-26
    • PCT/JP2002/013115
    • 2002-12-16
    • 松下電器産業株式会社山本 伸一小川 一文美濃 規央
    • 山本 伸一小川 一文美濃 規央
    • H01L27/10
    • G11C13/0014B82Y10/00G11C13/0016H01L51/0094
    • A non-volatile memory includes on a substrate at least a first electrode (71), a second electrode (72) arranged separately from the first electrode (71), and a conductive organic thin film (73) for electrically connecting the first electrode (71) with the second electrode (72). The conductive organic thin film (73) has a first electric state exhibiting a first resistance value and a second electric state exhibiting a second resistance value. A first threshold voltage for transition from the first electric state to the second electric state differs from a second threshold voltage for transition from the second electric state to the first electric state. In the range of the first threshold voltage and the second threshold voltage, the first electric state or the second electric state is maintained. The conductive organic thin film (73) is covalent-bound with the substrate surface. A diode (74) may be connected to the conductive organic thin film (73). Thus, it is possible to provide a non-volatile memory capable of writing-in and read-out by utilizing a change of electric resistance of the conductive organic thin film and capable of easily integrated.
    • 非易失性存储器包括在至少第一电极(71),与第一电极(71)分开布置的第二电极(72)的基板上的导电有机薄膜(73),用于将第一电极 71)与第二电极(72)连接。 导电有机薄膜(73)具有表现出第一电阻值的第一电状态和呈现第二电阻值的第二电状态。 从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压不同于用于从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压。 在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内,保持第一电状态或第二电状态。 导电性有机薄膜(73)与基板表面共价结合。 二极管(74)可以连接到导电有机薄膜(73)。 因此,可以通过利用导电有机薄膜的电阻变化并且能够容易地集成来提供能够写入和读出的非易失性存储器。