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    • 2. 发明专利
    • 原料之氣化供給裝置及其使用之自動壓力調整裝置
    • 原料之气化供给设备及其使用之自动压力调整设备
    • TW200815703A
    • 2008-04-01
    • TW096120792
    • 2007-06-08
    • 富士金股份有限公司 FUJIKIN INCORPORATED
    • 平田薰 HIRATA, KAORU永瀨正明 NAGASE, MASAAKI日高敦志 HIDAKA, ATSUSHI松本篤諮 MATSUMOTO, ATSUSHI土肥亮介 DOHI, RYOUSUKE西野功二 NISHINO, KOUJI池田信一 IKEDA, NOBUKAZU
    • F17DC23CH01L
    • C23C16/4481C23C16/52G05D16/2013Y10T137/7737
    • [發明課題]實現 MOCVD 法半導體製造所使用的原料氣化供給裝置構造的簡化和小型化的同時,藉由高精度控制原料供給至處理室的供給量,以實現半導體品質的穩定化和提昇品質。[解決手段]原料之氣化供給裝置,其特徵為,其是由:已儲放有原料的原料槽;可從運載氣體供給源對一定流量的運載氣體加以流量控制並供給至上述原料槽的原料中的流量控制裝置;滯留在原料槽上部空間的原料蒸氣 G4 和運載氣體G1之混合氣體 G0 導出用的 1 次配管路;根據上述 1 次配管路的混合氣體 G0 之壓力及溫度的檢測値對設置在 1 次配管路末端的控制閥開度進行調整,藉由對混合氣體 G0 流通的通道剖面積進行調整使原料槽內的混合氣體 G0 壓力保持成一定値的自動壓力調整裝置;及可使上述原料槽及自動壓力調整裝置的運算控制部除外部份加熱成設定溫度的恆溫加熱部所構成,構成可將原料槽內的內壓控制成預期壓力的同時將混合氣體 G0 供給至處理室。
    • [发明课题]实现 MOCVD 法半导体制造所使用的原料气化供给设备构造的简化和小型化的同时,借由高精度控制原料供给至处理室的供给量,以实现半导体品质的稳定化和提升品质。[解决手段]原料之气化供给设备,其特征为,其是由:已储放有原料的原料槽;可从运载气体供给源对一定流量的运载气体加以流量控制并供给至上述原料槽的原料中的流量控制设备;滞留在原料槽上部空间的原料蒸气 G4 和运载气体G1之混合气体 G0 导出用的 1 次配管路;根据上述 1 次配管路的混合气体 G0 之压力及温度的检测値对设置在 1 次配管路末端的控制阀开度进行调整,借由对混合气体 G0 流通的信道剖面积进行调整使原料槽内的混合气体 G0 压力保持成一定値的自动压力调整设备;及可使上述原料槽及自动压力调整设备的运算控制部除外部份加热成设置温度的恒温加热部所构成,构成可将原料槽内的内压控制成预期压力的同时将混合气体 G0 供给至处理室。
    • 7. 发明专利
    • 半導體製造設備用之氣體供給裝置
    • 半导体制造设备用之气体供给设备
    • TW200933704A
    • 2009-08-01
    • TW097130660
    • 2008-08-12
    • 富士金股份有限公司 FUJIKIN INCORPORATED
    • 西野功二 NISHINO, KOUJI土肥亮介 DOHI, RYOUSUKE永瀨正明 NAGASE, MASAAKI平田薰 HIRATA, KAORU杉田勝幸 SUGITA, KATSUYUKI池田信一 IKEDA, NOBUKAZU
    • H01LC23C
    • C23C16/455C23C16/45561C23C16/52
    • 【【課題】】在藉由MOCVD法之半導體製造設備之氣體供給裝置中,於原料氣體之供給切換時迅速使在主氣體供給管線和排氣氣體供給管線間產生之壓力差成為零,依此可以防止半導體之品質下降。【【課題解決之手段】】在具備有對反應爐供給原料氣體之主氣體供給管線和執行上述原料之排氣的排氣氣體供給管線,並在兩氣體管線之中間部配設多數氣體供給機構而所構成之藉由有機金屬氣相生長法的半導體製造設備用之氣體供給裝置中,其構成係在上述主氣體供給管線之入口側設置壓力式流量控制裝置,一邊藉由該壓力式流量控制裝置執行流量控制,一邊將特定流量之載體氣體供給至主氣體供給管線,並且在上述排氣氣體供給管線之入口側設置壓力控制裝置,一邊藉由該壓力控制裝置執行壓力調整,一邊將特定壓力之載體氣體供給至排氣氣體供給管線,使在上述壓力式流量控制裝置之流出口下游側所檢測出之主氣體供給管線之氣體壓力P10和排氣氣體供給管線之氣體壓力P2呈對比,並以使兩者之差成為零之方式,藉由壓力控制裝置調整排氣氣體供給管線之氣體壓力P2。
    • 【【课题】】在借由MOCVD法之半导体制造设备之气体供给设备中,于原料气体之供给切换时迅速使在主气体供给管线和排气气体供给管线间产生之压力差成为零,依此可以防止半导体之品质下降。【【课题解决之手段】】在具备有对反应炉供给原料气体之主气体供给管线和运行上述原料之排气的排气气体供给管线,并在两气体管线之中间部配设多数气体供给机构而所构成之借由有机金属气相生长法的半导体制造设备用之气体供给设备中,其构成系在上述主气体供给管线之入口侧设置压力式流量控制设备,一边借由该压力式流量控制设备运行流量控制,一边将特定流量之载体气体供给至主气体供给管线,并且在上述排气气体供给管线之入口侧设置压力控制设备,一边借由该压力控制设备运行压力调整,一边将特定压力之载体气体供给至排气气体供给管线,使在上述压力式流量控制设备之流出口下游侧所检测出之主气体供给管线之气体压力P10和排气气体供给管线之气体压力P2呈对比,并以使两者之差成为零之方式,借由压力控制设备调整排气气体供给管线之气体压力P2。