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1. 发明专利

TW200301414A 改良型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：改良型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW200301414A
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091135458
申请日：2002-12-06
申请人：富士金股份有限公司株式會社 , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI
发明人：大見忠弘 TADAHIRO OHMI , 乾秀二郎 , 酒井泰治 , 植山將宜 , 杉山一彥 , 宇野富雄 , 池田信一 , 西野功二 , 中村修 , 土肥亮介 , 松本薦諮
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：本發明之技術課題為開發非臨界領域中確立高精度匹配壓縮性流體的實際流量的實驗流量式，使用此流量式高精度進行流量控制的改良型壓力式流量控制裝置。本發明之解決手段在於提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其以Qc=KP2^m(P1-P2)^n表示非臨界領域(非音速域)中壓縮性流體的實驗流量式，以此Qc=KP2^m(P1-P2)^n(K為比例常數，m及n為常數)計算通過孔口4的流體流量，可正確且高速地將流量控制於指定流量。又提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其經常將上游側壓力P1及下游側壓力P2所得壓力比P2/P1=r與臨界值rc比較，在臨界條件(r≦rc)下以 Qc=KP1，在非臨界條件(r>rc)下以Qc=KP2^m(P1-P2)^n運算流量，可一面對應流體的所有條件，一面正確且高速地將流量控制於指定流量。
简体摘要：本发明之技术课题为开发非临界领域中确立高精度匹配压缩性流体的实际流量的实验流量式，使用此流量式高精度进行流量控制的改良型压力式流量控制设备。本发明之解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制设备，其以Qc=KP2^m(P1-P2)^n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc=KP2^m(P1-P2)^n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制设备，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1=r与临界值rc比较，在临界条件(r≦rc)下以 Qc=KP1，在非临界条件(r>rc)下以Qc=KP2^m(P1-P2)^n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。

2. 发明专利

TW200301350A 壓力感測器、壓力控制裝置及壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置有权
简体标题：压力传感器、压力控制设备及压力式流量控制设备之温度偏移修正设备
公开(公告)号：TW200301350A
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091135190
申请日：2002-12-04
申请人：富士金股份有限公司株式會社 , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI
发明人：大見忠弘 TADAHIRO OHMI , 杉山一彥 , 西野功二 , 宇野富雄 , 中村修 , 松本篤諮 , 土肥亮介 , 池田信一
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G05D7/0635 , G01D3/022 , G01F1/50 , G01F15/046 , G01L9/025
摘要：本發明之技術課題在於開發自動修正壓力感測器的溫度偏移，不管溫度變動如何，均可正確檢測壓力的壓力感測器、壓力控制裝置及流量控制裝置。本發明之解決手段在於，本發明壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置在孔板4與控制閥22之間設置檢測上游側壓力P1的上游側壓力感測器10，一面以上游側壓力P1運算孔板通過流量，一面藉由控制閥22的啟開控制孔板通過流量的壓方式流量控制裝置中，包括溫度感測器14，其測定流體溫度；記憶手段64，其儲存流體溫度T與上游側壓力感測器10的輸出偏移的關係；以及溫度偏移修正手段，其在流體溫度T變化情形下，根據記憶手段64的資料，運算上游側壓力感測器10的輸出偏移量，以此運算輸出偏移量消去並修正上游側壓力感測器10的輸出偏移。藉此構造，自動修正壓力感測器的溫度偏移，可作正確的流量控制。
简体摘要：本发明之技术课题在于开发自动修正压力传感器的温度偏移，不管温度变动如何，均可正确检测压力的压力传感器、压力控制设备及流量控制设备。本发明之解决手段在于，本发明压力式流量控制设备之温度偏移修正设备在孔板4与控制阀22之间设置检测上游侧压力P1的上游侧压力传感器10，一面以上游侧压力P1运算孔板通过流量，一面借由控制阀22的启开控制孔板通过流量的压方式流量控制设备中，包括温度传感器14，其测定流体温度；记忆手段64，其存储流体温度T与上游侧压力传感器10的输出偏移的关系；以及温度偏移修正手段，其在流体温度T变化情形下，根据记忆手段64的数据，运算上游侧压力传感器10的输出偏移量，以此运算输出偏移量消去并修正上游侧压力传感器10的输出偏移。借此构造，自动修正压力传感器的温度偏移，可作正确的流量控制。

3. 发明专利

TW554164B 壓力感測器、壓力控制裝置及壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置有权
简体标题：压力传感器、压力控制设备及压力式流量控制设备之温度偏移修正设备
公开(公告)号：TW554164B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091135190
申请日：2002-12-04
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 杉山一彥 , 西野功二 , 宇野富雄 , 中村修 , 松本篤諮 , 土肥亮介 , 池田信一
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G05D7/0635 , G01D3/022 , G01F1/50 , G01F15/046 , G01L9/025
摘要：本發明之技術課題在於開發自動修正壓力感測器的溫度偏移，不管溫度變動如何，均可正確檢測壓力的壓力感測器、壓力控制裝置及流量控制裝置。
本發明之解決手段在於，本發明壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置在孔板4與控制閥22之間設置檢測上游側壓力P1的上游側壓力感測器10，一面以上游側壓力P1運算孔板通過流量，一面藉由控制閥22的啟開控制孔板通過流量的壓力式流量控制裝置中，包括溫度感測器14，其測定流體溫度；記憶手段64，其儲存流體溫度T與上游側壓力感測器10的輸出偏移的關係；以及溫度偏移修正手段，其在流體溫度T變化情形下，根據記憶手段64的資料，運算上游側壓力感測器10的輸出偏移量，以此運算輸出偏移量消去並修正上游側壓力感測器10的輸出偏移。藉此構造，自動修正壓力感測器的溫度偏移，可作正確的流量控制。
简体摘要：本发明之技术课题在于开发自动修正压力传感器的温度偏移，不管温度变动如何，均可正确检测压力的压力传感器、压力控制设备及流量控制设备。本发明之解决手段在于，本发明压力式流量控制设备之温度偏移修正设备在孔板4与控制阀22之间设置检测上游侧压力P1的上游侧压力传感器10，一面以上游侧压力P1运算孔板通过流量，一面借由控制阀22的启开控制孔板通过流量的压力式流量控制设备中，包括温度传感器14，其测定流体温度；记忆手段64，其存储流体温度T与上游侧压力传感器10的输出偏移的关系；以及温度偏移修正手段，其在流体温度T变化情形下，根据记忆手段64的数据，运算上游侧压力传感器10的输出偏移量，以此运算输出偏移量消去并修正上游侧压力传感器10的输出偏移。借此构造，自动修正压力传感器的温度偏移，可作正确的流量控制。

4. 发明专利

TW552491B 改良型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：改良型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW552491B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW091135458
申请日：2002-12-06
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 乾秀二郎 , 酒井泰治 , 植山將宜 , 杉山一彥 , 宇野富雄 , 池田信一 , 西野功二 , 中村修 , 土肥亮介 , 松本薦諮
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：本發明之技術課題為開發非臨界領域中確立高精度匹配壓縮性流體的實際流量的實驗流量式，使用此流量式高精度進行流量控制的改良型壓力式流量控制裝置。
本發明之解決手段在於提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其以QC=KP2m(P1-P2)n表示非臨界領域(非音速域)中壓縮性流體的實驗流量式，以此QC=KP2m(P1-P2)n(K為比例常數，m及n為常數)計算通過孔口4的流體流量，同正確且高速地將流量控制於指定流量。又提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其經常將上游側壓力P1及下游側壓力P2所得壓力比P2/P1=r與臨界值rc比較，在臨界條件(r≦rc)下以QC=KP1，在非臨界條件(r>rc)下以 Qc=KP2m(P1-P2)n運算流量，可一面對應流體的所有條件，一面正確且高速地將流量控制於指定流量。
简体摘要：本发明之技术课题为开发非临界领域中确立高精度匹配压缩性流体的实际流量的实验流量式，使用此流量式高精度进行流量控制的改良型压力式流量控制设备。本发明之解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制设备，其以QC=KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此QC=KP2m(P1-P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，同正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制设备，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1=r与临界值rc比较，在临界条件(r≦rc)下以QC=KP1，在非临界条件(r>rc)下以 Qc=KP2m(P1-P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。

5. 发明专利

TW553900B 產生供給水分裝置及產生水分用反應爐有权
简体标题：产生供给水分设备及产生水分用反应炉
公开(公告)号：TW553900B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW089115809
申请日：2000-08-05
申请人：富士金股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 米華克典 , 本井傳晃央 , 平井暢 , 森本明弘 , 成相敏郎 , 平尾圭志 , 田口將暖 , 中村修 , 瑪儂哈魯拉魯休雷司他
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B01J3/006 , B01J7/00 , B01J12/007 , C01B5/00
摘要：本發明之目的在於提供一種減壓型產生供給水分裝置，藉由將水分氣體減壓供給(例如數Torr)將水分產生用反應爐之內壓保持於較高，而可防止氫之自然引燃，具有安全性；本發明之目的又在提供一種產生水分用反應爐，藉由將產生水分反應爐高效率地冷卻，同在不增大反應爐之尺寸下，大幅增大產生水分量。
為此，本發明之減壓型產生供給水分裝置，係由：自氫及氧以觸媒反應產生水分氣體之產生水分用反應爐，以及設於該產生水分用反應爐的下游側之減壓機構所構成；其特徵在於：藉由該減壓機構將水分氣體減壓供給至下游側，並將反應爐內之內壓保持於較高。
又本發明之散熱式產生水分用反應爐，係由：組合入口側爐本體部件及出口側爐本體部件而形成內部空間之反應爐本體，密接於上述爐本體部件外壁面之散熱片基板，以及立設於該散熱片基板之多數個散熱用散熱片所構成，藉由上述散熱用散熱片，將產生之熱強制放射而令反應爐低溫化。又，將散熱用散熱片作防蝕鋁加工而增大熱放射率，使放射效率更為增大。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种减压型产生供给水分设备，借由将水分气体减压供给(例如数Torr)将水分产生用反应炉之内压保持于较高，而可防止氢之自然引燃，具有安全性；本发明之目的又在提供一种产生水分用反应炉，借由将产生水分反应炉高效率地冷却，同在不增大反应炉之尺寸下，大幅增大产生水分量。为此，本发明之减压型产生供给水分设备，系由：自氢及氧以触媒反应产生水分气体之产生水分用反应炉，以及设于该产生水分用反应炉的下游侧之减压机构所构成；其特征在于：借由该减压机构将水分气体减压供给至下游侧，并将反应炉内之内压保持于较高。又本发明之散热式产生水分用反应炉，系由：组合入口侧炉本体部件及出口侧炉本体部件而形成内部空间之反应炉本体，密接于上述炉本体部件外壁面之散热片基板，以及立设于该散热片基板之多数个散热用散热片所构成，借由上述散热用散热片，将产生之热强制放射而令反应炉低温化。又，将散热用散热片作防蚀铝加工而增大热放射率，使放射效率更为增大。

6. 发明专利

TWI367130B 膜塗布裝置及膜塗布方法 FILM COATING APPARATUS AND FILM COATING METHOD 失效
简体标题：膜涂布设备及膜涂布方法 FILM COATING APPARATUS AND FILM COATING METHOD
公开(公告)号：TWI367130B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW096136251
申请日：2007-09-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： B05B , B05C
CPC分类号： G11B7/266 , B05D1/002 , G11B5/842
摘要：本發明係一種膜塗布裝置，包含：塗布容器，用以將被塗布基板導入內部，對此基板進行膜塗布；塗布液容器，用以保存塗布液；及液體輸送系統，將塗布液自該塗布液容器輸送至該塗布容器；其中具有一機構，可抑制經塗布之膜內含有氧及水分其中至少一者。
简体摘要：本发明系一种膜涂布设备，包含：涂布容器，用以将被涂布基板导入内部，对此基板进行膜涂布；涂布液容器，用以保存涂布液；及液体输送系统，将涂布液自该涂布液容器输送至该涂布容器；其中具有一机构，可抑制经涂布之膜内含有氧及水分其中至少一者。

7. 发明专利

TWI408009B 塗布膜之塗布裝置失效
简体标题：涂布膜之涂布设备
公开(公告)号：TWI408009B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW096136600
申请日：2007-09-29
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 大蔵領一 , OHKURA, RYOICHI , 中村修 , NAKAMURA, OSAMU , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI
IPC分类号： B05D1/40 , B05C11/08 , G11B7/26
CPC分类号： G11B5/84 , G03F7/162 , G11B7/261 , H01L21/6715 , H01L21/6838

8. 发明专利

TW536525B 未反應氣體偵知裝置及未反應氣體偵知感應器失效
简体标题：未反应气体侦知设备及未反应气体侦知感应器
公开(公告)号：TW536525B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW090130540
申请日：2001-12-10
申请人：富士金股份有限公司
发明人：米華克典 , 皆見幸男 , 森本明弘 , 川田幸司 , 本井傳晃央 , 中村修 , 平井暢 , 池田信一
IPC分类号： C01B
CPC分类号： G01N25/36 , G01N25/28 , G01N27/16
摘要：本發明提供一種能正確偵知目的氣體中所殘留之可燃性之未反應氣體濃度，以安全供給原料氣體之未反應氣體偵知裝置。詳言之，
有關本發明之未反應氣體偵知裝置，係由在反應室內使可燃性和助燃性之原料氣體反應以生成目的氣體之爐本體、及連接於該爐本體之偵測器本體、及經形成於該偵測器本體內以使前述目的氣體流通之測定用空間、及將具有反應促進用觸媒層之溫度測定部配置於該測定用空間內之未反應氣體偵知感應器、以及於前述偵測器本體或爐本體構件內之流路近旁配設有溫度測定部之目的氣體溫度偵知感應器所構成，而藉由前述反應促進用觸媒層使目的氣體中所殘留之未反應氣體起反應以偵知溫度測定部之溫度上升，同時藉由前述溫度測定部以測定目的氣體溫度T0，從未反應氣體偵知感應器溫度T與目的氣體溫度之間之溫度差△T(＝T－T0)，偵知未反應氣體濃度。
简体摘要：本发明提供一种能正确侦知目的气体中所残留之可燃性之未反应气体浓度，以安全供给原料气体之未反应气体侦知设备。详言之，有关本发明之未反应气体侦知设备，系由在反应室内使可燃性和助燃性之原料气体反应以生成目的气体之炉本体、及连接于该炉本体之侦测器本体、及经形成于该侦测器本体内以使前述目的气体流通之测定用空间、及将具有反应促进用触媒层之温度测定部配置于该测定用空间内之未反应气体侦知感应器、以及于前述侦测器本体或炉本体构件内之流路近旁配设有温度测定部之目的气体温度侦知感应器所构成，而借由前述反应促进用触媒层使目的气体中所残留之未反应气体起反应以侦知温度测定部之温度上升，同时借由前述温度测定部以测定目的气体温度T0，从未反应气体侦知感应器温度T与目的气体温度之间之温度差△T(＝T－T0)，侦知未反应气体浓度。

9. 发明专利

TW520346B 水分產生用反應爐失效
简体标题：水分产生用反应炉
公开(公告)号：TW520346B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090128934
申请日：2001-11-22
申请人：富士金股份有限公司
发明人：米華克典 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 森本明弘 , 池田信一 , 中村修 , 本井傳晃央 , 平井暢
IPC分类号： C01B , B01J , H01L
CPC分类号： C01B5/00 , B01J12/007
摘要：本發明之技術課題為：達到使原料氣體強制地亂流化且有效率地產生水分產生反應之水分產生用反應爐。
用以解決此技術課題之手段為：關於本發明之水分產生用反應爐2，其特徵為：供給原料氣體之入口側爐本體構件4；從水分氣體供給路28供給水分氣體之出口側爐本體構件20；與在兩爐本體構件之間挾持固定成密封狀態並且連通於前述入口側空間部8般地在其重要部分形成複數個吹入孔16之反射體12；與在此反射體12與前述出口側爐本體構件20之間形成具有微小間隙d之反應室18；與連通此反應室18與出口側爐本體構件20的水分氣體供給路28般地在出口側爐本體構件上形成噴嘴孔24；與在與前述反射體12相對之反應室壁面20a上形成塗裝觸媒層21所構成，氫與氧係從反射體12的吹入孔16流入到反應室18內時，利用前述塗裝觸媒層21的活性化作用，氫與氧在非燃燒狀態下反應而產生水分氣體。
简体摘要：本发明之技术课题为：达到使原料气体强制地乱流化且有效率地产生水分产生反应之水分产生用反应炉。用以解决此技术课题之手段为：关于本发明之水分产生用反应炉2，其特征为：供给原料气体之入口侧炉本体构件4；从水分气体供给路28供给水分气体之出口侧炉本体构件20；与在两炉本体构件之间挟持固定成密封状态并且连通于前述入口侧空间部8般地在其重要部分形成复数个吹入孔16之反射体12；与在此反射体12与前述出口侧炉本体构件20之间形成具有微小间隙d之反应室18；与连通此反应室18与出口侧炉本体构件20的水分气体供给路28般地在出口侧炉本体构件上形成喷嘴孔24；与在与前述反射体12相对之反应室壁面20a上形成涂装触媒层21所构成，氢与氧系从反射体12的吹入孔16流入到反应室18内时，利用前述涂装触媒层21的活性化作用，氢与氧在非燃烧状态下反应而产生水分气体。

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