专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004061935A1 バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、並びに基板処理装置及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：形成BUMP，半导体器件及其制造方法，基板处理装置和半导体制造装置的方法
公开(公告)号：WO2004061935A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2003/005092
申请日：2003-04-22
申请人：富士通株式会社 , 水越正孝 , 石月義克 , 中川香苗 , 岡本圭史郎 , 手代木和雄 , 酒井泰治
发明人：水越正孝 , 石月義克 , 中川香苗 , 岡本圭史郎 , 手代木和雄 , 酒井泰治
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
摘要：　半導体基板（１）を基板支持台（１１）の支持面（１１ａ）に裏面（１ｂ）を吸着させ固定する。このとき、裏面（１ｂ）への平坦化処理により半導体基板（１）の厚みが一定の状態とされており、更に裏面（１ｂ）が支持面（１１ａ）への吸着により強制的にうねり等もない状態となり、これにより裏面（１ｂ）が表面（１ａ）の平坦化の基準面となる。この状態で、表面（１ａ）における各Ａｕ突起（２）及びレジストマスク（１２）の表層をバイト（１０）を用いて切削加工し、各Ａｕ突起（２）及びレジストマスク（１２）の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する。これにより、ＣＭＰに替わり、基板上に形成された微細なバンプの表面を安価に高速で平坦化することができる。
摘要翻译：通过真空夹紧将半导体基板（1）的后部（1b）固定到基板支撑基座（11）的支撑面（11a）上。通过使后部（1b）平坦化，半导体基板（1）的厚度是均匀的，并且后部（1b）被强制地没有由真空夹紧到支撑面（11a）而引起的波纹，使得后部（1b）用作前面（1a）的平面化的参考面。在这种状态下，用单点工具（10）切割前面（1a）上的Au突起（2）和抗蚀剂掩模（12）的表面层，以使Au突起（2）的表面平坦化抗蚀剂掩模（12），以便连续地平坦。因此，代替CMP，形成在基板上的微小凸起的表面以低成本低成本且快速地平坦化。

2. 发明专利

JP6520101B2 電子装置及び電子装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6520101B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2014253136
申请日：2014-12-15
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 赤松俊也
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/60

4. 发明专利

JP5720245B2 積層ウエハ、樹脂封止方法、及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：层压晶片，树脂密封的方法，和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP5720245B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2010294285
申请日：2010-12-28
申请人：富士通株式会社
发明人：酒井泰治 , 今泉延弘 , 岡本圭史郎
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/10253

5. 发明专利

JP6287310B2 電子部品、電子部品の製造方法及び電子装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6287310B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2014028601
申请日：2014-02-18
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00

6. 发明专利

JP5857721B2 電子装置およびその製造方法有权
标题翻译：电子器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5857721B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2011277734
申请日：2011-12-19
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 作山誠樹
IPC分类号： B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/34 , C22C12/00 , C22C13/02 , H01L21/60 , B23K1/00 , B23K101/42 , H05K3/34
CPC分类号： H01L2224/16225

8. 发明专利

JP2015153997A 電子部品、電子部品の製造方法及び電子装置の製造方法有权
标题翻译：电子元件，制造电子元件的方法和制造电子元件的方法
公开(公告)号：JP2015153997A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014028601
申请日：2014-02-18
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 作山誠樹
IPC分类号： H05K3/34 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204
摘要：【課題】バンプの接合を、接合温度の上昇を抑えて、高い接合信頼性で実現する。【解決手段】電子部品1は、電極20を有する部品本体10と、電極20上に設けられた接合層30とを含む。接合層30は、共晶組成の第1元素と第2元素とを含有する半田を含む第1層31と、第1層31と積層され、非共晶組成の第1元素と第2元素とを含有する半田を含む第2層32とを有する。接合相手のバンプの接合時には、共晶点かそれに近い温度で第1層31及び第2層32の半田を溶融可能にすると共に、第2層32の半田組成を調整し、所望の機械特性を示す組成の半田接合部を得る。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过抑制接合温度升高来实现具有高接合可靠性的凸块的接合。电子部件1包括具有电极20的部件主体10和设置在电极20上的接合层30。接合层30具有包含含有第一元素和第二共晶组成元素的焊料的第一层31和层叠在第一层31上的第二层32，并且包含含有第一元素和第二元素的第二元素的焊料非共晶组成。当接合要接合的凸块时，第一层和第二层的焊料在共晶点或接近其的温度下变得可溶，并且调节第二层32的焊料组成，从而获得显示期望的机械特点

9. 发明专利

JP5962123B2 部品搭載方法及び部品搭載装置有权
标题翻译：部件安装方法以及部件安装装置
公开(公告)号：JP5962123B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012072125
申请日：2012-03-27
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L21/60 , B23K1/00 , B23K1/008 , B23K31/02 , B23K101/42 , H05K3/34

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式