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1. 发明申请

WO2008129625A1 リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法审中-公开
标题翻译：泄漏电流检测电路，体位偏置控制电路，半导体器件和半导体器件测试方法
公开(公告)号：WO2008129625A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/JP2007/057919
申请日：2007-04-10
申请人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 藤井磨永 , 小川和樹
发明人：藤井磨永 , 小川和樹
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/30
CPC分类号： G01R31/2621 , G01R31/2884 , G01R31/3008 , G01R31/3012
摘要：　回路規模の増大を抑制しつつも、ＭＯＳトランジスタにおけるリーク電流の検出精度を向上させることのできるリーク電流検出回路（１０）。リーク電流検出回路（１０）は、高電位電源に接続され、常時オフされて第１リーク電流（Ｉｒｐ）を生成する少なくとも１つのＰチャネルＭＯＳトランジスタ（ＱＰ）と、低電位電源と前記少なくとも１つのＰチャネルＭＯＳトランジスタとの間に接続され、常時オフされて第２リーク電流（Ｉｒｎ）を生成する少なくとも１つのＮチャネルＭＯＳトランジスタ（ＱＮ）と、第１及び第２リーク電流に応じて前記少なくとも１つのＰチャネルＭＯＳトランジスタと前記少なくとも１つのＮチャネルＭＯＳトランジスタとの間の接続点（Ｘ）に生成された電位（Ｖｘ）を検出する検出器（２０）と、を備える。
摘要翻译：一种泄漏电流检测器电路（10），其中可以提高在MOS晶体管中检测任何漏电流的精度，同时抑制电路规模的增加。泄漏电流检测器电路（10）包括连接到高电位电源的至少一个P沟道MOS晶体管（QP），并且当关断时总是产生第一漏电流（Irp）; 连接在低电位电源与所述至少一个P沟道MOS晶体管之间的至少一个N沟道MOS晶体管（QN），并且当关断时总是产生第二漏电流（Ir）; 以及检测器（20），其根据所述第一和第二漏电流检测在所述至少一个P沟道MOS晶体管和所述至少一个N沟道MOS晶体管之间的结（X）处产生的电位（Vx）。

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