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1. 发明专利

TW201734645A 圖案形成方法及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201734645A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105142055
申请日：2016-12-19
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 土村智孝 , TSUCHIMURA, TOMOTAKA , 平野修史 , HIRANO, SHUJI , 椿英明 , TSUBAKI, HIDEAKI , 二橋亘 , NIHASHI, WATARU
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32
摘要：本發明提供一種可獲得耐蝕刻性優異且可抑制圖案倒塌的產生的圖案的圖案形成方法及包含所述圖案形成方法的電子元件的製造方法。所述圖案形成方法包括：使用含有樹脂A的感光化射線或感放射線性樹脂組成物而形成膜的步驟，所述樹脂A具有特定的通式（I）所表示的重複單元與特定的通式（BII）所表示的重複單元；對所述膜進行曝光的步驟；以及使用包含有機溶劑的顯影液對所述經曝光的膜進行顯影而形成圖案的步驟。
简体摘要：本发明提供一种可获得耐蚀刻性优异且可抑制图案倒塌的产生的图案的图案形成方法及包含所述图案形成方法的电子组件的制造方法。所述图案形成方法包括：使用含有树脂A的感光化射线或感放射线性树脂组成物而形成膜的步骤，所述树脂A具有特定的通式（I）所表示的重复单元与特定的通式（BII）所表示的重复单元；对所述膜进行曝光的步骤；以及使用包含有机溶剂的显影液对所述经曝光的膜进行显影而形成图案的步骤。

2. 发明专利

TW201531471A 有機電晶體、化合物、非發光性有機半導體元件用有機半導體材料、有機電晶體用材料、非發光性有機半導體元件用塗布溶液、非發光性有機半導體元件用有機半導體膜审中-公开
简体标题：有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体组件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体组件用涂布溶液、非发光性有机半导体组件用有机半导体膜
公开(公告)号：TW201531471A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104101739
申请日：2015-01-20
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：中山貴文 , NAKAYAMA, TAKAFUMI , 金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 益居健介 , MASUI, KENSUKE
IPC分类号： C07D409/14 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3328 , C08G2261/344 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/512 , C08G2261/92 , C09D5/24 , C09D165/00 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要：本發明提供一種載子移動率高的有機薄膜電晶體。一種於半導體活性層中含有具有下述式的任意者所表示的重複單元的化合物的有機電晶體，其載子移動率高；化合物；非發光性有機半導體元件用有機半導體材料；有機電晶體用材料；非發光性有機半導體元件用塗布溶液；非發光性有機半導體元件用有機半導體膜(W為氧原子、硫原子、NR1或C(R2)2；R1為氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基；R2為氰基、醯基、(全)氟烷基或(全)氟芳基；cy為可具有取代基的芳香環或雜芳香環；R3、R4為氫原子或1價取代基)。
简体摘要：本发明提供一种载子移动率高的有机薄膜晶体管。一种于半导体活性层中含有具有下述式的任意者所表示的重复单元的化合物的有机晶体管，其载子移动率高；化合物；非发光性有机半导体组件用有机半导体材料；有机晶体管用材料；非发光性有机半导体组件用涂布溶液；非发光性有机半导体组件用有机半导体膜(W为氧原子、硫原子、NR1或C(R2)2；R1为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基；R2为氰基、酰基、(全)氟烷基或(全)氟芳基；cy为可具有取代基的芳香环或杂芳香环；R3、R4为氢原子或1价取代基)。

3. 发明专利

TW201512299A 有機膜電晶體、有機半導體膜、有機半導體材料及其應用审中-公开
简体标题：有机膜晶体管、有机半导体膜、有机半导体材料及其应用
公开(公告)号：TW201512299A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103124814
申请日：2014-07-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：高久浩二 , TAKAKU, KOJI , 金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 杉浦寛記 , SUGIURA, HIROKI , 益居健介 , MASUI, KENSUKE , 米久田康智 , YONEKUTA, YASUNORI , 平井友樹 , HIRAI, YUKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI
IPC分类号： C08L65/00 , C08G61/12 , C09D165/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0036 , C07C49/697 , C07C2603/10 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/18 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3242 , C08G2261/332 , C08G2261/3325 , C08G2261/342 , C08G2261/344 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0007 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要：本發明係有關於一種有機膜電晶體，該有機膜電晶體是使用了下述化合物的有機膜電晶體，該化合物用於有機膜電晶體的半導體活性層時載流子遷移率高、在有機溶劑中的溶解性高，所述有機膜電晶體在半導體活性層中含有由通式(1-1)、(1-2)或(101)所示的n個重複單元構成的化合物(R1、R2為氫原子或取代基；Ar1、Ar2各自獨立地表示雜亞芳基或亞芳基，V1為2價連接基團；m為0～6的整數；Cy為萘環或蒽環；R3、R4為氫原子或取代基；Ar3、Ar4為雜芳環或芳環；V2為2價連接基團；p為0～6的整數；n為2以上的整數；A為通式(101’)所示的2價連接基團；RA1～RA6表示氫原子、取代基或與通式(101)中的Ar101或Ar102的結合鍵，RA1～RA6中不同的2個為與通式(101)中的Ar101的結合鍵和與Ar102的結合鍵)。通式(1-1)通式(1-2)通式(101)通式(101’)
简体摘要：本发明系有关于一种有机膜晶体管，该有机膜晶体管是使用了下述化合物的有机膜晶体管，该化合物用于有机膜晶体管的半导体活性层时载流子迁移率高、在有机溶剂中的溶解性高，所述有机膜晶体管在半导体活性层中含有由通式(1-1)、(1-2)或(101)所示的n个重复单元构成的化合物(R1、R2为氢原子或取代基；Ar1、Ar2各自独立地表示杂亚芳基或亚芳基，V1为2价连接基团；m为0～6的整数；Cy为萘环或蒽环；R3、R4为氢原子或取代基；Ar3、Ar4为杂芳环或芳环；V2为2价连接基团；p为0～6的整数；n为2以上的整数；A为通式(101’)所示的2价连接基团；RA1～RA6表示氢原子、取代基或与通式(101)中的Ar101或Ar102的结合键，RA1～RA6中不同的2个为与通式(101)中的Ar101的结合键和与Ar102的结合键)。通式(1-1)通式(1-2)通式(101)通式(101’)

4. 发明专利

TW201843525A EUV 光用感光性組成物、圖案形成方法及電子器件的製造方法审中-公开
简体标题： EUV 光用感光性组成物、图案形成方法及电子器件的制造方法
公开(公告)号：TW201843525A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113389
申请日：2018-04-19
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO , 古谷創 , FURUTANI, HAJIME , 藤田光宏 , FUJITA, MITSUHIRO , 土村智孝 , TSUCHIMURA, TOMOTAKA , 川島敬史 , KAWASHIMA, TAKASHI , 小川倫弘 , OGAWA, MICHIHIRO , 金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 岡宏哲 , OKA, HIRONORI , 白石康晴 , SHIRAISHI, YASUHARU
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種Z-因子良好，並且能夠形成圖案崩塌被抑制之圖案之EUV光用感光性組成物、圖案形成方法及電子器件的製造方法。EUV光用感光性組成物含有既定的樹脂及光酸產生劑，或者含有具有含光酸產生基之重複單元的既定的樹脂，且滿足要件1和要件2。要件1：由式（1）求得之A值為0.14以上。式（1）：A=（[H]×0.04+[C]×1.0+[N]×2.1+[O]×3.6+[F]×5.6+[S]×1.5+[I]×39.5）/（[H]×1+[C]×12+[N]×14+[O]×16+[F]×19+[S]×32+[I]×127）。要件2：EUV光用感光性組成物中的固體成分濃度為2.5質量%以下。
简体摘要：本发明提供一种Z-因子良好，并且能够形成图案崩塌被抑制之图案之EUV光用感光性组成物、图案形成方法及电子器件的制造方法。EUV光用感光性组成物含有既定的树脂及光酸产生剂，或者含有具有含光酸产生基之重复单元的既定的树脂，且满足要件1和要件2。要件1：由式（1）求得之A值为0.14以上。式（1）：A=（[H]×0.04+[C]×1.0+[N]×2.1+[O]×3.6+[F]×5.6+[S]×1.5+[I]×39.5）/（[H]×1+[C]×12+[N]×14+[O]×16+[F]×19+[S]×32+[I]×127）。要件2：EUV光用感光性组成物中的固体成分浓度为2.5质量%以下。

5. 发明专利

TWI623582B 有機膜電晶體、有機膜電晶體用化合物及其應用有权
简体标题：有机膜晶体管、有机膜晶体管用化合物及其应用
公开(公告)号：TWI623582B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103124769
申请日：2014-07-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 高久浩二 , TAKAKU, KOJI , 米久田康智 , YONEKUTA, YASUNORI , 平井友樹 , HIRAI, YUKI , 杉浦寛記 , SUGIURA, HIROKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 益居健介 , MASUI, KENSUKE
IPC分类号： C08L65/00 , C08G61/12 , C09D165/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/05

6. 发明专利

TW201512298A 有機膜電晶體、有機膜電晶體用化合物及其應用审中-公开
简体标题：有机膜晶体管、有机膜晶体管用化合物及其应用
公开(公告)号：TW201512298A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103124769
申请日：2014-07-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 高久浩二 , TAKAKU, KOJI , 米久田康智 , YONEKUTA, YASUNORI , 平井友樹 , HIRAI, YUKI , 杉浦寛記 , SUGIURA, HIROKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 益居健介 , MASUI, KENSUKE
IPC分类号： C08L65/00 , C08G61/12 , C09D165/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/18 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , C08L65/00 , H01L51/0003 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要：在半導體活性層中含有通式(1-1)或通式(1-2)、或者通式(101-1)或通式(101-2)所表示的包含n個重複單元的化合物的有機膜電晶體(cy表示苯環、萘環或蒽環。R11~R14、R15~R18分別獨立地表示氫原子或取代基。Ar1~Ar4分別獨立地表示伸雜芳基或伸芳基。V1、V2表示2價連結基。m表示0~6的整數，於m為2以上時，2個以上V1可相同亦可不同。n表示2以上。p表示0~6的整數，於p為2以上時，2個以上V2可相同亦可不同。)是使用載子遷移率高、具有於有機溶劑中高的溶解性的化合物的有機膜電晶體。
简体摘要：在半导体活性层中含有通式(1-1)或通式(1-2)、或者通式(101-1)或通式(101-2)所表示的包含n个重复单元的化合物的有机膜晶体管(cy表示苯环、萘环或蒽环。R11~R14、R15~R18分别独立地表示氢原子或取代基。Ar1~Ar4分别独立地表示伸杂芳基或伸芳基。V1、V2表示2价链接基。m表示0~6的整数，于m为2以上时，2个以上V1可相同亦可不同。n表示2以上。p表示0~6的整数，于p为2以上时，2个以上V2可相同亦可不同。)是使用载子迁移率高、具有于有机溶剂中高的溶解性的化合物的有机膜晶体管。

7. 发明专利

TW201819433A 抗蝕劑組成物、圖案形成方法及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：抗蚀剂组成物、图案形成方法及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201819433A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106132730
申请日：2017-09-25
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：平野修史 , HIRANO, SHUJI , 金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 二橋亘 , NIHASHI, WATARU , 古谷創 , FURUTANI, HAJIME , 椿英明 , TSUBAKI, HIDEAKI
IPC分类号： C08F212/14 , C08F220/26 , C08F220/54 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種含有藉由酸的作用而溶解於鹼顯影液的溶解性增大且溶解於有機溶劑的溶解性減少之樹脂之抗蝕劑組成物。上述樹脂包含：重複單元（a）,具有1個以上在芳香環上取代之*-OY0基；及酚性羥基（b）或由下述通式（X）（式中，R1及R2分別獨立地表示氟取代烷基、氟取代環烷基或氟取代芳基。）表示之部分結構（c）。在此，*-OY0基為藉由酸的作用分解而產生酚性羥基之基團，Y0為特定的保護基。重複單元（a）不含有酚性羥基（b）及部分結構（c）中的任一個時，重複單元（a）為藉由酸的作用使得*-OY0基分解而產生2個以上的酚性羥基之重複單元。
简体摘要：本发明提供一种含有借由酸的作用而溶解于碱显影液的溶解性增大且溶解于有机溶剂的溶解性减少之树脂之抗蚀剂组成物。上述树脂包含：重复单元（a）,具有1个以上在芳香环上取代之*-OY0基；及酚性羟基（b）或由下述通式（X）（式中，R1及R2分别独立地表示氟取代烷基、氟取代环烷基或氟取代芳基。）表示之部分结构（c）。在此，*-OY0基为借由酸的作用分解而产生酚性羟基之基团，Y0为特定的保护基。重复单元（a）不含有酚性羟基（b）及部分结构（c）中的任一个时，重复单元（a）为借由酸的作用使得*-OY0基分解而产生2个以上的酚性羟基之重复单元。

8. 发明专利

TW201736386A 處理液、圖案形成方法及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：处理液、图案形成方法及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201736386A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105140574
申请日：2016-12-08
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：二橋亘 , NIHASHI, WATARU , 金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO
IPC分类号： C07F7/18 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D11/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種能夠形成耐蝕刻性及蝕刻粗糙度優異之圖案之處理液、圖案形成方法及電子元件的製造方法。本發明提供處理液、使用上述處理液之圖案形成方法、包含上述圖案形成方法之電子元件的製造方法，所述處理液是使用於從感光化射線性或感放射線性組成物獲得之抗蝕劑膜及從抗蝕劑膜獲得之抗蝕劑圖案中的至少一方、或者為了形成抗蝕劑圖案而使用，所述處理液包含：（1）具有矽原子和與極性基形成相互作用之基團之化合物；及（2）溶劑。
简体摘要：本发明提供一种能够形成耐蚀刻性及蚀刻粗糙度优异之图案之处理液、图案形成方法及电子组件的制造方法。本发明提供处理液、使用上述处理液之图案形成方法、包含上述图案形成方法之电子组件的制造方法，所述处理液是使用于从感光化射线性或感放射线性组成物获得之抗蚀剂膜及从抗蚀剂膜获得之抗蚀剂图案中的至少一方、或者为了形成抗蚀剂图案而使用，所述处理液包含：（1）具有硅原子和与极性基形成相互作用之基团之化合物；及（2）溶剂。

9. 发明专利

TW201708271A 圖案形成方法、電子器件的製造方法及抗蝕劑組成物审中-公开
简体标题：图案形成方法、电子器件的制造方法及抗蚀剂组成物
公开(公告)号：TW201708271A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105121834
申请日：2016-07-12
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 土村智孝 , TSUCHIMURA, TOMOTAKA , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： C08F22/40 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32
摘要：本發明提供一種形成極微細的圖案時靈敏度較高且解析力較高的圖案形成方法、電子器件的製造方法及抗蝕劑組成物。圖案形成方法具有如下製程：製程（1），使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物形成膜，前述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物含有：（A）含有說明書中的通式（1）所表示且ClogP值為2.2以下的重複單元，並且藉由酸的作用而對含有有機溶劑之顯影液之溶解度減少之樹脂；（B）藉由光化射線或放射線的照射產生酸之化合物；及（C）溶劑；製程（2），使用光化射線或放射線對上述膜進行曝光；及製程（3），使用含有有機溶劑之顯影液，對在上述製程（2）中進行了曝光之膜進行顯影而形成負型圖案。
简体摘要：本发明提供一种形成极微细的图案时灵敏度较高且解析力较高的图案形成方法、电子器件的制造方法及抗蚀剂组成物。图案形成方法具有如下制程：制程（1），使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物形成膜，前述感光化射线性或感放射线性树脂组成物含有：（A）含有说明书中的通式（1）所表示且ClogP值为2.2以下的重复单元，并且借由酸的作用而对含有有机溶剂之显影液之溶解度减少之树脂；（B）借由光化射线或放射线的照射产生酸之化合物；及（C）溶剂；制程（2），使用光化射线或放射线对上述膜进行曝光；及制程（3），使用含有有机溶剂之显影液，对在上述制程（2）中进行了曝光之膜进行显影而形成负型图案。

10. 发明专利

TW201636732A 負型感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、負型感光化射線性或感放射線性膜、圖案形成方法以及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：负型感光化射线性或感放射线性树脂组成物、负型感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法以及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201636732A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105106955
申请日：2016-03-08
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 山口修平 , YAMAGUCHI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F12/24 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/56 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種尤其在例如線寬為50nm以下的超微細的圖案形成中能夠形成感度、解析性、PED穩定性、及線邊緣粗糙度亦即LER性能優異之圖案之負型感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、以及使用其之負型感光化射線性或感放射線性膜、具有負型感光化射線性或感放射線性膜之空白遮罩、圖案形成方法、及包括上述圖案形成方法之電子元件的製造方法。空白遮罩具有使用負型感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之負型感光化射線性或感放射線性膜，前述負型感光化射線性或感放射線性樹脂組成物包括：（A）具有由下述通式（1）所表示之重複單元之高分子化合物；（B）藉由照射光化射線或放射線而產生體積為130Å3 以上且2000Å3 以下的酸之化合物。式中，R1 表示氫原子、烷基或鹵素原子，R2 和R3 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳烷基或芳基，R4 表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或醯基，L表示單鍵或2價連結基，Ar表示芳香族基，m和n分別獨立地表示1以上的整數。
简体摘要：本发明提供一种尤其在例如线宽为50nm以下的超微细的图案形成中能够形成感度、解析性、PED稳定性、及线边缘粗糙度亦即LER性能优异之图案之负型感光化射线性或感放射线性树脂组成物、以及使用其之负型感光化射线性或感放射线性膜、具有负型感光化射线性或感放射线性膜之空白遮罩、图案形成方法、及包括上述图案形成方法之电子组件的制造方法。空白遮罩具有使用负型感光化射线性或感放射线性树脂组成物之负型感光化射线性或感放射线性膜，前述负型感光化射线性或感放射线性树脂组成物包括：（A）具有由下述通式（1）所表示之重复单元之高分子化合物；（B）借由照射光化射线或放射线而产生体积为130Å3 以上且2000Å3 以下的酸之化合物。式中，R1 表示氢原子、烷基或卤素原子，R2 和R3 分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳烷基或芳基，R4 表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或酰基，L表示单键或2价链接基，Ar表示芳香族基，m和n分别独立地表示1以上的整数。

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