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1. 发明专利

TW200308044A 靜電夾持基台以及基板處理裝置(一) ELECTROSTATIC CHUCKING STAGE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：静电夹持基台以及基板处理设备(一) ELECTROSTATIC CHUCKING STAGE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200308044A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092108720
申请日：2003-04-15
申请人：安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION , 日本發條股份有限公司 NHK SPRING CO., LTD.
发明人：佐護康實 YASUMI SAGO , 金子一秋 KAZUAKI KANEKO , 岡田拓士 TAKUJI OKADA , 池田真義 MASAYOSHI IKEDA , 立川俊洋 TOSHIHIRO TACHIKAWA , 井口忠士 TADASHI INOKUCHI , 茅本隆司 TAKASHI KAYAMOTO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B25B11/002 , Y10T279/23
摘要：本發明係揭示一ESC基台的結構，其中一夾持電極被被包夾在一緩和層與一包覆層之間。該緩和層與該包覆層在介電板和夾持電極之間具有熱膨脹係數。本發明也揭示一ESC基台的結構，其中一夾持電極被被包夾在一緩和層與一包覆層之間，其具有與該夾持電極之內部應力相反方向的內部應力。本發明進一步揭示一種當該基板被堆持在一高於室溫的溫度時，用於在該基板上進行一處理的基板處理裝置，包含在該處理期間用於支撐該基板之該靜電夾持基台。
简体摘要：本发明系揭示一ESC基台的结构，其中一夹持电极被被包夹在一缓和层与一包覆层之间。该缓和层与该包覆层在介电板和夹持电极之间具有热膨胀系数。本发明也揭示一ESC基台的结构，其中一夹持电极被被包夹在一缓和层与一包覆层之间，其具有与该夹持电极之内部应力相反方向的内部应力。本发明进一步揭示一种当该基板被堆持在一高于室温的温度时，用于在该基板上进行一处理的基板处理设备，包含在该处理期间用于支撑该基板之该静电夹持基台。

2. 发明专利

TW200303706A 射頻電漿處理方法及射頻電漿處理系統 RF PLASMA PROCESSING METHOD AND RF PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：射频等离子处理方法及射频等离子处理系统 RF PLASMA PROCESSING METHOD AND RF PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200303706A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW092102555
申请日：2003-02-07
申请人：安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION
发明人：土屋信昭 NOBUAKI TSUCHIYA , 佐護康實 YASUMI SAGO , 池田真義 MASAYOSHI IKEDA
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/505 , H01J37/32165
摘要：本案揭示使用兩種具有不同頻率之射頻波進行射頻電漿處理技術，此處電漿被充分穩定地產生與維持。第一頻率係用以經由引燃放電而產生電漿，以及第二頻率係用以於欲處理的基板產生自偏壓電壓。第二頻率波係於第一頻率波之後以時間延遲而施加。本案也揭示於射頻電漿處理之阻抗匹配技術，此處欲提供的阻抗對引燃放電以及穩定電漿皆為最佳化。
简体摘要：本案揭示使用两种具有不同频率之射频波进行射频等离子处理技术，此处等离子被充分稳定地产生与维持。第一频率系用以经由引燃放电而产生等离子，以及第二频率系用以于欲处理的基板产生自偏压电压。第二频率波系于第一频率波之后以时间延迟而施加。本案也揭示于射频等离子处理之阻抗匹配技术，此处欲提供的阻抗对引燃放电以及稳定等离子皆为最优化。

3. 发明专利

TW200303977A 表面處理裝置审中-公开
简体标题：表面处理设备
公开(公告)号：TW200303977A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092103506
申请日：2003-02-20
申请人：安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION
发明人：佐護康實 YASUMI SAGO , 池田真義 MASAYOSHI IKEDA , 金子一秋 KAZUAKI KANEKO , 岡田拓士 TAKUJI OKADA
IPC分类号： F28F , H01L
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：本發明提供一種表面處理裝置，實現可有效地對需要溫度控制的部分進行冷卻或加熱、並在所需時溫度下均勻地進行控制的熱交換器，由此可連續地進行穩定的處理。在具有排氣機構和氣體導入機構的處理室的內部，具備放置基板的基板放置台和氣體排放機構，通過上述氣體排放機構，朝向基板排放的氣體或其反應生成物，對基板進行處理，其特徵在於：基板放置台、氣體排放機構或處理室具備熱交換器，該熱交換器是，在二個板狀體之間設置有分隔壁，形成流路，使流體流過該流路，將上述板狀體或與上述板狀體接觸的部件冷卻或加熱至規定的溫度，即，分別在上述流路的內部的二個板狀體上，與流路平行或具有規定的角度地設置翼片。
简体摘要：本发明提供一种表面处理设备，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需时温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。

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