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    • 6. 发明专利
    • 晶圓永久結合之方法及裝置
    • 晶圆永久结合之方法及设备
    • TW201411738A
    • 2014-03-16
    • TW102126540
    • 2013-07-24
    • EV集團E塔那有限公司EV GROUP E. THALLNER GMBH
    • 威普林格 馬克斯WIMPLINGER, MARKUS亨格爾 克特HINGERL, KURT普拉格 湯瑪斯PLACH, THOMAS伏洛傑恩 克里斯多夫
    • H01L21/50
    • B32B38/10B32B37/0046H01J37/32036H01J37/32082H01J37/32165H01J37/32339H01J37/32532H01J37/32798H01J2237/334H01L21/187H01L21/2007H01L21/67092
    • 本發明係關於一種依以下步驟、尤其以下順序使第一基板(1)之第一接觸面(3)與第二基板(2)之第二接觸面(4)結合之方法,該第二基板(2)具有最少一個反應層(7):將該等基板容納於第一電極(21)與第二電極(22)之間或線圈(26)內,藉由使第一接觸面(3)暴露於藉助於電極(21、22)之電容耦合所產生之電漿而在第一接觸面(3)上之儲集器形成層(6)中形成儲集器(5),在電漿產生或藉助於線圈(26)之電感耦合產生電漿期間向該第一電極(21)施加與該第二電極(22)之第二頻率(f22)不同之第一頻率(f21),在電漿產生期間向第一產生器(23)施加與第二產生器(24)之第二頻率(f22)不同之第一頻率(f21),用第一離析劑或第一組離析劑至少部分填充儲集器(5),使第一接觸面(3)與第二接觸面(4)接觸形成預結合互連,藉由使該第一離析劑與第二基板(2)之反應層(7)中所含之第二離析劑反應來至少部分增強第一接觸面(3)與第二接觸面(4)之間永久結合的形成。此外,本發明係關於一種相應裝置。
    • 本发明系关于一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一基板(1)之第一接触面(3)与第二基板(2)之第二接触面(4)结合之方法,该第二基板(2)具有最少一个反应层(7):将该等基板容纳于第一电极(21)与第二电极(22)之间或线圈(26)内,借由使第一接触面(3)暴露于借助于电极(21、22)之电容耦合所产生之等离子而在第一接触面(3)上之储集器形成层(6)中形成储集器(5),在等离子产生或借助于线圈(26)之电感耦合产生等离子期间向该第一电极(21)施加与该第二电极(22)之第二频率(f22)不同之第一频率(f21),在等离子产生期间向第一产生器(23)施加与第二产生器(24)之第二频率(f22)不同之第一频率(f21),用第一离析剂或第一组离析剂至少部分填充储集器(5),使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触形成预结合互连,借由使该第一离析剂与第二基板(2)之反应层(7)中所含之第二离析剂反应来至少部分增强第一接触面(3)与第二接触面(4)之间永久结合的形成。此外,本发明系关于一种相应设备。