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    • 5. 发明专利
    • 共聚醚醯亞胺 COPOLYETHERIMIDES
    • 共聚醚酰亚胺 COPOLYETHERIMIDES
    • TW200724569A
    • 2007-07-01
    • TW095128897
    • 2006-08-07
    • 奇異電器公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY
    • 葉青 YE, QING大衛 布魯斯 霍爾 HALL, DAVID BRUCE威廉 大衛 理察 RICHARDS, WILLIAM DAVID丹尼爾 喬瑟夫 布魯耐爾 BRUNELLE, DANIEL JOSEPH哈瓦 亞奇 阿卡爾 ACAR, HAVVA YAGCI
    • C08G
    • C08G73/1046C08G73/124
    • 本發明係關具有高玻璃轉化溫度與傑出延性的共聚醚醯亞胺組合物。該共聚醚醯亞胺具有至少為40,000之Mw,且包括在相當窄異構物性質範圍內之異構雙(鄰苯二甲醯亞胺)結構單位的共聚醚醯亞胺顯示出至少240℃之Tg與傑出缺口艾氏衝擊値(Izodvalue)。該共聚醚醯亞胺包括二胺基二苯醚殘基與式(I)、(II)及(III)之結構單位。該共聚醚醯亞胺的特徵係在於衍生自4,4'-雙酚之結構單位的莫耳百分比係在該共聚醚醯亞胺組合物中存在之所有衍生自雙酚之結構單位的約55%至約85%範圍內;衍生自雙酚A的結構單位莫耳百分比係在該共聚醚醯亞胺組合物所存在之所有衍生自雙酚之結構單位的約45%至約15%範圍內;以及衍生自雙酚A或4,4'-雙酚之結構單位的總莫耳百分比係佔該共聚醚醯亞胺組合物存在的所有衍生自雙酚之結構單位的至少95%。
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    • 本发明系关具有高玻璃转化温度与杰出延性的共聚醚酰亚胺组合物。该共聚醚酰亚胺具有至少为40,000之Mw,且包括在相当窄异构物性质范围内之异构双(邻苯二甲酰亚胺)结构单位的共聚醚酰亚胺显示出至少240℃之Tg与杰出缺口艾氏冲击値(Izodvalue)。该共聚醚酰亚胺包括二胺基二苯醚残基与式(I)、(II)及(III)之结构单位。该共聚醚酰亚胺的特征系在于衍生自4,4'-双酚之结构单位的莫耳百分比系在该共聚醚酰亚胺组合物中存在之所有衍生自双酚之结构单位的约55%至约85%范围内;衍生自双酚A的结构单位莫耳百分比系在该共聚醚酰亚胺组合物所存在之所有衍生自双酚之结构单位的约45%至约15%范围内;以及衍生自双酚A或4,4'-双酚之结构单位的总莫耳百分比系占该共聚醚酰亚胺组合物存在的所有衍生自双酚之结构单位的至少95%。 095128897-p01.bmp 095128897-p02.bmp 095128897-p03.bmp