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    • 9. 发明专利
    • 電漿產生裝置、電漿處理裝置、電漿產生方法及電漿處理方法
    • 等离子产生设备、等离子处理设备、等离子产生方法及等离子处理方法
    • TW201448677A
    • 2014-12-16
    • TW102121284
    • 2013-06-14
    • 國立大學法人東北大學TOHOKU UNIVERSITY
    • 後藤哲也GOTO, TETSUYA平山昌樹HIRAYAMA, MASAKI須川成利SUGAWA, SHIGETOSHI大見忠弘OHMI, TADAHIRO
    • H05H1/30
    • 提供一種電漿產生裝置,能夠實質地消弭電漿激發區域的周邊存在之電極等構件材料因受到加速的電子而被濺鍍之情形。具備:電漿形成用的電極(10),具有主面(10a)及背面(10b);高頻供給部(100,70,60),將頻率200MHz以上的高頻電力供給至電極(10);及磁場形成機構(50),設於電極(10)的背面側,包含N極與前述背面相向配置之第1固定磁鐵(56),和S極與前述背面相向配置之第2固定磁鐵(58),形成迴圈狀的磁場區域(LMR),用以將被激發之電漿閉鎖於主面(10a)附近;磁場形成機構(50)所形成之迴圈狀的磁場區域(LMR),在與主面(10a)平行之方向具有3000高斯以上的強磁場。
    • 提供一种等离子产生设备,能够实质地消弭等离子激发区域的周边存在之电极等构件材料因受到加速的电子而被溅镀之情形。具备:等离子形成用的电极(10),具有主面(10a)及背面(10b);高频供给部(100,70,60),将频率200MHz以上的高频电力供给至电极(10);及磁场形成机构(50),设于电极(10)的背面侧,包含N极与前述背面相向配置之第1固定磁铁(56),和S极与前述背面相向配置之第2固定磁铁(58),形成循环状的磁场区域(LMR),用以将被激发之等离子闭锁于主面(10a)附近;磁场形成机构(50)所形成之循环状的磁场区域(LMR),在与主面(10a)平行之方向具有3000高斯以上的强磁场。