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1. 发明专利

JP6124373B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6124373B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/812

3. 发明专利

JP2016103651A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：金刚石半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103651A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/337
摘要：【課題】デバイス設計の自由度を大幅に高めるとともに、効率的に製造可能なダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板1と、ダイヤモンド基板1の{001}の結晶面を有する基板面上に略垂直に隆起して配されるダイヤモンド段差部と、n型のリンドープダイヤモンド領域5a、5bと、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bと、を有す。ダイヤモンド段差部は、側面が{110}の結晶面を有する第1段差部3と、側面が{100}の結晶面を有する第2段差部4a、4bとが一体に形成され、リンドープダイヤモンド領域5a,5bは、第1段差部3の段差形状の底角を起点に第1段差部3の側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成され、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bは、第2段差部4a、4bの側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够显着提高器件设计自由度和有效制造的金刚石半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：一种金刚石半导体器件，包括：金刚石衬底1 ; 在金刚石基板1的具有{001}晶面的基板表面上基本上垂直地突出并布置的金刚石阶梯部分; n型磷掺杂金刚石区域5a和5b; 和金刚石绝缘区域6a和6b。在金刚石阶梯部分中，其一侧具有{110}晶面的第一台阶部分3和其侧面具有{100}晶面的第二台阶部分4a和4b一体形成。掺杂荧光体的金刚石区域5a和5b通过使用第一台阶部分3的阶梯状底角作为起始点并使用第一台阶部分3的侧面和钻石的基板表面进行晶体生长而形成底物1作为生长基底表面。金刚石绝缘区域6a和6b通过使用第二台阶部分4a和4b的侧面和金刚石基板1的基板表面作为生长基底表面进行晶体生长而形成。图3

4. 发明专利

JP2021193067A ダイヤモンド基板审中-公开
公开(公告)号：JP2021193067A
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2021162838
申请日：2021-10-01
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04
摘要：【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015106650A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015106650A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013248166
申请日：2013-11-29
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：小山和博 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 南山拓真
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/1602 , H01L29/365 , H01L29/47 , H01L29/66045 , H01L29/7827 , H01L29/7839 , H01L29/872 , H01L29/41766
摘要：【課題】最大電界強度が弱くなるようにしつつ、抵抗を小さくできるダイヤモンド半導体で構成される半導体装置を提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体にて構成されるMISFETについて、p型ドリフト層2をホッピング伝導する第1層2aと第2層2bとが交互に配置されたδドープ構造とし、各第1層2aや各第2層2bの平面方向に対して交差する方向となる縦方向に電流を流す。不純物準位が深いダイヤモンドにおいてもホッピング伝導が発現するとイオン化エネルギーが小さくなり、第1層2aにおけるキャリア密度が大きくなる。その結果、低密度層となる第2層2bにおいてもキャリア密度が高くなり、δドープ構造の抵抗を小さくできる。δドープ構造は、p型ドリフト層2のトータルの不純物量を小さくできるため、ドリフト層2における最大電界強度が抑制できる。したがって、MISFETの耐圧を確保しながら抵抗を小さくできる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种由金刚石半导体组成的半导体器件，该半导体器件可以在降低最大电场强度的同时降低电阻。解决方案：由金刚石半导体构成的MISFET包括δ掺杂结构，其中第一层2a引起跳变导通在p型漂移层2和第二层2b中交替布置，并且电流在与每个第一层2a和每个第二层2b的平面方向垂直的纵向方向上通过。即使在具有深杂质水平的金刚石中，当引起跳跃传导并且第一层2a中的载流子密度增加时，电离能也减小。结果，即使在成为低密度层的第二层2b中，载流子密度也增加，并且δ掺杂结构中的电阻可以降低。由于δ掺杂结构可以降低p型漂移层2的总杂质量，所以可以抑制漂移层2中的最大电场强度。因此，可以在确保对MISFET的耐压性的同时降低电阻。

6. 发明专利

JP6699015B2 ダイヤモンド基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6699015B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04

7. 发明专利

JP2017154909A ダイヤモンド基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017154909A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602
摘要：【課題】転位欠陥が少なく、異常成長粒子の発生を抑制したダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板の製造方法であって、下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、該第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドの壁面に付着した異種付着物を除去する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第三の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017034220A ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产金刚石的电子设备和金刚石的电子设备的方法
公开(公告)号：JP2017034220A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016021008
申请日：2016-02-05
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：野口仁 , 白井省三 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 松本翼 , 川島宏幸
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/02 , C23C16/27 , C23C16/503 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/205
摘要：【課題】大面積、低コスト、高品質なダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド電子素子であって、シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、単結晶MgO層、単結晶SrTiO 3 層、α−Al 2 O 3 層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子。【選択図】図1
摘要翻译：一种用于制造高品质的金刚石电子设备和金刚石的电子装置提供了大面积，低成本的方法。本发明涉及一种钻石的电子装置，和硅衬底，形成在硅衬底，单晶MgO层，单晶的SrTiO 3层，α-AL2 O3层，任何YSZ的（氧化钇稳定氧化锆）层上采取制成的中间层，形成在中间层上包括铱层，铑层，由任意的铂层的基础层，和形成在所述底层的单晶金刚石层，其中金刚石的电子设备，其中所述单晶金刚石层的厚度为300微米或更小的。点域1

9. 发明专利

JP6717470B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6717470B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2016131468
申请日：2016-07-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社デンソー , 国立大学法人金沢大学
发明人：加藤宙光 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 小山和博 , 松本翼 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/283 , H01L21/336

10. 发明专利

JP2018127367A ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018127367A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017019159
申请日：2017-02-06
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 山崎聡 , 徳田規夫
IPC分类号： C30B25/18 , C30B25/02 , C23C14/06 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/20 , C23C16/0281 , C23C16/272 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04 , H01L21/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02634
摘要：【課題】転位欠陥等を含めて各種欠陥の低減に有効なダイヤモンド基板の製造方法及びそれに用いる下地基板の提供。【解決手段】化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、下地基板の表面は、結晶面方位{100}に対して結晶軸方向にオフ角が付けられている、または結晶面方位{111}に対して結晶軸にオフ角が付けられており、ダイヤモンド,イリジウム,ロジウム,パラジウム及び白金のうち、いずれかである下地基板。前記オフ角が2〜15°である、下地基板。前記下地基板の表面がダイヤモンド、イリジウム、ロジウム、パラジウム又は白金であるダイヤモンド製膜用下地基板。【選択図】図3

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