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1. 发明专利

JP2016111038A 小型抵抗加熱炉审中-公开
标题翻译：小尺寸电阻加热炉
公开(公告)号：JP2016111038A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014243797
申请日：2014-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 光洋サーモシステム株式会社
发明人：中戸克彦 , 池田伸一 , クンプアンソマワン , 原史朗 , 服部昌 , 森川清彦 , 中谷淳司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02 , H01L21/31
摘要：【課題】小径の処理基板を用いてデバイスの多品種少量生産を安価に行う小型製造装置の小型抵抗加熱炉を提供する。【解決手段】加熱室110および装置前室120が筐体101の内部に配設され、筐体101に基板搬送容器130を載置する容器載置台121が設けられ、処理基板131の加熱時には処理基板130が容器載置台121から装置前室120を経て加熱室110に搬送され、加熱後、容器載置台121に戻されて搬出される小型抵抗加熱炉100である。また、加熱室110には、挿入された1個の処理基板131を加熱可能なヒータ21を備えた加熱部20と、加熱部20の内部に下側から挿入可能な挿入部30とを備え、挿入部30には処理基板131が保持可能な保持部31を有し、処理基板130が保持部31に保持された状態で挿入部30の上昇で加熱部20の内部に挿入されて加熱される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种小型制造装置的小型电阻加热炉，其通过使用具有小直径的加工晶片以低成本大量生产小容量装置。解决方案：在小型电阻加热炉100，加热室110和装置前室120设置在壳体101内，并且在壳体101中设置有用于将晶片转移容器130放置在其上的容器放置台121.当加热处理晶片131，处理晶片131从容器放置台121通过装置前室120转移到加热室110，并且在加热之后返回到容器放置台121并进行。加热室110包括：加热部20，其包括能够加热一个插入的处理晶片131的加热器21; 以及可以从下侧插入到加热部20中的插入部30.插入部30包括能够保持处理晶片131的保持部31，并且处理晶片130被保持部保持的状态如图31所示，通过使插入部30向上方移动并加热，将处理晶片插入加热部20中。图4

2. 发明专利

JP6445853B2 抵抗加熱炉有权
公开(公告)号：JP6445853B2
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：JP2014243797
申请日：2014-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 光洋サーモシステム株式会社
发明人：中戸克彦 , 池田伸一 , クンプアンソマワン , 原史朗 , 服部昌 , 森川清彦 , 中谷淳司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02 , H01L21/31

3. 发明专利

JP2020076567A ランプ加熱装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020076567A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2019184207
申请日：2019-10-07
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌
IPC分类号： H05B3/00 , F27D11/02
摘要：【課題】複数の線状発光体を被処理物に対して適正に配置することで、発光体の設計の複雑化や交換作業の煩雑化を伴うことなく平板状の被処理物の全面を均一に加熱できるようにする。【解決手段】線状発光体41〜43は、正方形の板状の被処理物Wの上面WAに対して、それぞれ法線方向について高さh1,h2,h3の高さ位置で、それぞれの間に水平方向について距離L2,L3の間隔を設けて配置した。高さh1は高さh2より長く、高さh2は高さh3より長くした。線状発光体44〜46は、線状発光体41〜43と左右対称となる位置に配置した。線状発光体41と線状発光体44との間には距離L2より長い距離L1の間隔が設けた。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6934549B1 亀裂検出装置およびこれを備える熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6934549B1
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：JP2020159488
申请日：2020-09-24
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌 , 松田伸
IPC分类号： G01N25/72
摘要：【課題】簡易な構成で検出対象の亀裂をより正確に検出でき、且つ、高温環境下で用いられる検出対象に対しても検出対象の亀裂をより正確に検出できる亀裂検出装置およびこれを備える熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置1は、トレイ2と、搬送部3と、被処理物設置部4と、加熱炉5と、被処理物取出部6と、トレイ回収部7と、熱処理制御部8と、トレイ2に亀裂が生じた場合にこの亀裂を検出する亀裂検出装置9と、を有している。亀裂検出装置9は、トレイ2の表面2dにこのトレイ2の表面温度と異なる温度の気流Fを供給する気流供給部11と、気流Fに曝されたトレイ2の表面温度分布を検出する検出部12と、を有している。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019071288A ランプ加熱装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019071288A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2019007562
申请日：2019-01-21
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌
IPC分类号： G05B11/36 , H05B3/00
摘要：【課題】制御パラメータの微調整等の作業を必要とすることなく被処理物の温度を目標値に素早く追従させることができるランプ加熱装置を提供する。【解決手段】ランプ加熱装置は、光源と、温度センサと、光量センサと、温度制御部と、光量制御部と、を備える。光源は、被処理物に光を照射して加熱する。温度センサは、被処理物の温度を検出する。光量センサは、光源の光量を検出する。温度制御部は、温度センサの検出温度を温度目標値に一致させるために光源が照射すべき光量を光量目標値として出力する。そして、光量制御部は、温度制御部から出力された光量目標値に光量センサの検出光量が一致するように光源を駆動する。【選択図】図4

6. 发明专利

JP2016170964A ランプ加熱装置有权
标题翻译：灯加热装置
公开(公告)号：JP2016170964A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049687
申请日：2015-03-12
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌
IPC分类号： G05B11/36 , C23C16/46 , H01L31/0224 , H05B3/00
摘要：【課題】制御パラメータの微調整等の作業を必要とすることなく被処理物の温度を目標値に素早く追従させることができるようにする。【解決手段】制御部5は、目標値設定部51、温度制御器52及び光量制御器53を備えている。目標値設定部51は、予め記憶しているシーケンスに従って被処理物Wの目標温度を経時的に設定する。温度制御器52は、被処理物Wの現在の温度と目標温度との差分に基づいて、ハロゲンランプ2が照射すべき光量制御量を出力する。光量制御器53は、ハロゲンランプ2の現在の光量と光量制御量との差分に基づいてハロゲンランプ2に供給すべき電力制御量を決定する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：允许将被处理物体的温度快速跟踪到目标值，而不需要对控制参数进行微调的工作等。解决方案：控制部分5包括：目标值设定部分51，温度控制器52和光控制器53.目标值设置部分51根据预先存储的序列设置待处理对象W的目标温度随时间的变化。温度控制器52基于当前温度与待处理物体W的目标温度之间的差，从卤素灯2向待处理物体W发射出的光控制量。光控制器53确定基于卤素灯2的当前光量与光控制量之间的差异，供给到卤素灯2的功率控制量。图4

7. 发明专利

JP2015204147A マイクロ波加熱に関する被加熱物の負荷推定装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波加熱に関する被加熱物の負荷推定方法有权
标题翻译：与微波加热相关的加热对象的负荷估计装置，微波加热装置和与微波加热有关的加热对象的负荷估算方法
公开(公告)号：JP2015204147A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014081691
申请日：2014-04-11
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌
IPC分类号： H05B6/68
CPC分类号： Y02B40/143
摘要：【課題】より簡易な構成で、マイクロ波加熱に関する被加熱物の負荷を推定することのできる、マイクロ波加熱に関する被加熱物の負荷推定装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波加熱に関する被加熱物の負荷推定方法を提供する。【解決手段】負荷推定装置8は、漏洩マイクロ波検出部31と、負荷推定部32とを有している。漏洩マイクロ波検出部31は、被加熱物50を収容したチャンバ3から漏洩する漏洩マイクロ波を検出する。負荷推定部32は、チャンバ3内に向けて発射されたマイクロ波としての供給マイクロ波と漏洩マイクロ波との関係を示す所定の関係に基づいて、被加熱物50の負荷を推定する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以更简单的结构估计与微波加热有关的加热物体的负荷的负荷估计装置，微波加热装置和与微波加热相关的加热物体的负荷估计方法。解决方案：负载估计装置8包括泄漏微波检测单元31和负载估计单元32.漏电微波检测单元31检测从容纳加热对象50的室3泄漏的微波泄漏。负载估计单元32估计负载基于表示作为朝向室3的内部发射的微波的供给微波与泄漏微波之间的关系的规定关系，加热物体50。

8. 发明专利

JP2015073102A 連続拡散処理装置有权
标题翻译：连续扩散加工设备
公开(公告)号：JP2015073102A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014214818
申请日：2014-10-21
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌 , 森川清彦
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/22
摘要：【課題】エネルギーロスを低減しつつ、生産効率の向上と処理品質の向上とを両立させることができる連続拡散処理装置を提供する。【解決手段】本発明の連続拡散処理装置は、板状の被処理物を搬送する搬送台50と、直線状に延びる筒状の加熱炉1と、搬送台50を一台ずつ加熱炉1内に押し込んで搬入し、先に加熱炉1内に搬入されている搬送台50を列状として加熱炉1内を移動させる搬送装置2と、加熱炉1内の搬入口11から搬出口12までの間を複数の処理ゾーンに区画している複数の第一隔壁部材7とを備えている。搬送装置2は、搬送台50を処理ゾーン単位で間欠的に移動させる。搬送台50は、第一隔壁部材7の開口7cを閉鎖して隣接する処理ゾーン同士の間を仕切る第二隔壁部材54を備えている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够同时降低能量损失的同时提高生产效率和加工质量的连续扩散处理装置。解决方案：本发明的连续扩散处理装置包括：承载台50 带有板状工件; 圆柱形加热炉1，其直线延伸; 携带装置2，其通过将它们一个一个地将它们推入加热炉1中而携带在运载台50中，并且将已经被运送到加热炉1中的承载台50一行地排列，并将其移动到加热炉内 1; 以及多个第一分隔构件7，其将加热炉1中的进料口11的空间与进出口12分隔成多个处理区。承载装置2以处理区为单位间歇地移动搬运台50。承载台50各自包括第二分隔构件54，其闭合第一分隔构件7的开口7c并且分隔相邻的处理区域。

9. 发明专利

JP6670959B2 ランプ加熱装置有权
公开(公告)号：JP6670959B2
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：JP2019007562
申请日：2019-01-21
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌
IPC分类号： G05B11/36 , H05B3/00

10. 发明专利

JP2017212220A マイクロ波監視装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波監視方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017212220A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017152570
申请日：2017-08-07
申请人：光洋サーモシステム株式会社
发明人：服部昌 , 橋本健一郎
IPC分类号： H05B6/68
CPC分类号： Y02B40/143
摘要：【課題】チャンバからマイクロ波発生源に反射される反射マイクロ波を監視することのできる、マイクロ波監視装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波監視方法を提供する。【解決手段】マイクロ波加熱装置1は、被処理物50を収容するためのチャンバ3と、マグネトロン4と、マイクロ波監視装置8と、制御部9とを有している。マイクロ波監視装置8は、漏洩マイクロ波検出部31と、判定部32とを有している。漏洩マイクロ波検出部31は、チャンバ3から漏洩するマイクロ波としての漏洩マイクロ波を検出する。判定部32は、漏洩マイクロ波の強さがしきい値th1を超えているか否かを判定する。制御部9は、漏洩マイクロ波の強さがしきい値th1を超えていると判定された場合に、漏洩マイクロ波の強さに基づいて、マグネトロン4から発射されるマイクロ波の強さを設定する。【選択図】図2

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