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1. 发明专利

JP6635675B2 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6635675B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2015098261
申请日：2015-05-13
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：大曲新矢 , 山田英明 , 茶谷原昭義 , 鹿田真一 , 杢野由明
IPC分类号： C30B29/04 , C01B32/25 , C23C16/27 , C23C16/44 , H01L21/205

2. 发明专利

JP2019125639A 単結晶ダイヤモンド基板を含む積層体审中-公开
公开(公告)号：JP2019125639A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018004027
申请日：2018-01-15
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：大曲新矢 , 山田英明 , 梅沢仁 , 坪内信輝 , 茶谷原昭義 , 杢野由明 , 関章憲 , 川井文彰 , 斎藤広明
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/20 , C23C16/27 , C23C16/01 , H01L21/31 , H01L21/265 , H01L21/205 , H01L29/872 , H01L21/20
摘要：【課題】接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板を用いているにも拘わらず、当該接合境界部を有効に利用した、新規な積層体を提供する。【解決手段】接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板の上に、少なくとも半導体ドリフト層が積層された積層体であって、前記単結晶ダイヤモンド基板の前記接合境界部は、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm -1 付近のピークの半値全幅が、前記接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、前記接合境界部の幅が200μm以上であり、少なくとも前記接合境界部の上に、前記半導体ドリフト層が積層されている、積層体。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2019112290A 単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019112290A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2018124605
申请日：2018-06-29
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：大曲新矢 , 山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/167 , C30B29/04
摘要：【課題】転位密度を低減した単結晶ダイヤモンドを提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンド10は、単結晶ダイヤモンド層2,3を備える。単結晶ダイヤモンド層2は、ダイヤモンド基板1上に形成され、点欠陥を含む。単結晶ダイヤモンド層3は、単結晶ダイヤモンド層2上に配置される。単結晶ダイヤモンド層2,3は、ダイヤモンド基板よりも低い転位密度を有する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017193487A 単結晶ダイヤモンドの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017193487A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2017125134
申请日：2017-06-27
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： C30B29/04
摘要：【課題】接合面の結晶学的性質が優れた単結晶ダイヤモンド基板を提供する事。【解決手段】下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法: (1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド子種基板であって、該子種基板のオフ方向と該種子基板の稜線のなす角が17度より大きく、90度未満となるように該子種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種子基板を、支持台上に、互いの整形加工された該種子基板の側面同士が接触し、該種子基板の結晶面のオフ方向を一致させ、且つ該種子基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種子基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。【選択図】なし

6. 发明专利

JP2016152380A 半導体−金属複合材料及びその製造方法有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR-METAL COMPOSITE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：JP2016152380A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015030450
申请日：2015-02-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：大曲新矢 , 梅沢仁 , 山田英明 , 茶谷原昭義 , 鹿田真一
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/10 , H01L21/28
摘要：【課題】不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供する。【解決手段】半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、1×10 19 〜1×10 22 cm -3 であり、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体膳食复合材料，其通过使金属材料与由杂质掺杂的单晶金刚石构成的半导体形成欧姆接触而获得，其中半导体和金属材料之间的接触电阻值为非常小，并且是新开发的。解决方案：公开了一种半导体和金属复合材料，其中半导体和金属材料彼此进行欧姆接触。半导体是通过掺杂金刚石与杂质形成的杂质掺杂单晶金刚石。杂质掺杂的单晶金刚石的杂质浓度为1×10〜1×10cm。杂质掺杂的单晶金刚石含有不同于杂质的金属元素。选择图：无

7. 发明专利

JP6551953B2 単結晶ダイヤモンドの製造方法有权
公开(公告)号：JP6551953B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2018140250
申请日：2018-07-26
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/20 , C01B32/26 , C23C16/27 , C30B29/04

8. 发明专利

JP6274492B2 単結晶ダイヤモンドの製造方法有权
公开(公告)号：JP6274492B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2013205154
申请日：2013-09-30
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： C23C16/27 , C30B29/04

9. 发明专利

JP6858384B2 単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子有权
公开(公告)号：JP6858384B2
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：JP2020058458
申请日：2020-03-27
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：大曲新矢 , 山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： C30B25/20 , C01B32/26 , C23C16/27 , H01L29/872 , H01L29/47 , C30B29/04

10. 发明专利

JP6845497B2 不純物ドープダイヤモンド有权
公开(公告)号：JP6845497B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2016141305
申请日：2016-07-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：大曲新矢 , 梅沢仁 , 山田英明 , 茶谷原昭義 , 杢野由明
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/27 , C01B32/25 , C30B29/04

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