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1. 发明专利

JP2017154909A ダイヤモンド基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017154909A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602
摘要：【課題】転位欠陥が少なく、異常成長粒子の発生を抑制したダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板の製造方法であって、下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、該第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドの壁面に付着した異種付着物を除去する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第三の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6717470B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6717470B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2016131468
申请日：2016-07-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社デンソー , 国立大学法人金沢大学
发明人：加藤宙光 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 小山和博 , 松本翼 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/283 , H01L21/336

3. 发明专利

JP6699015B2 ダイヤモンド基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6699015B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04

4. 发明专利

JP5887742B2 ダイヤモンド基板有权
标题翻译：钻石底
公开(公告)号：JP5887742B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2011159584
申请日：2011-07-21
申请人：国立大学法人金沢大学 , アリオス株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 有屋田修 , 山崎聡
IPC分类号： C30B33/00 , C23C16/27 , C23C16/50 , C23C16/01 , H01L21/205 , C30B29/04

5. 发明专利

JP2021193067A ダイヤモンド基板审中-公开
公开(公告)号：JP2021193067A
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2021162838
申请日：2021-10-01
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04
摘要：【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015106650A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015106650A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013248166
申请日：2013-11-29
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：小山和博 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 南山拓真
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/1602 , H01L29/365 , H01L29/47 , H01L29/66045 , H01L29/7827 , H01L29/7839 , H01L29/872 , H01L29/41766
摘要：【課題】最大電界強度が弱くなるようにしつつ、抵抗を小さくできるダイヤモンド半導体で構成される半導体装置を提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体にて構成されるMISFETについて、p型ドリフト層2をホッピング伝導する第1層2aと第2層2bとが交互に配置されたδドープ構造とし、各第1層2aや各第2層2bの平面方向に対して交差する方向となる縦方向に電流を流す。不純物準位が深いダイヤモンドにおいてもホッピング伝導が発現するとイオン化エネルギーが小さくなり、第1層2aにおけるキャリア密度が大きくなる。その結果、低密度層となる第2層2bにおいてもキャリア密度が高くなり、δドープ構造の抵抗を小さくできる。δドープ構造は、p型ドリフト層2のトータルの不純物量を小さくできるため、ドリフト層2における最大電界強度が抑制できる。したがって、MISFETの耐圧を確保しながら抵抗を小さくできる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种由金刚石半导体组成的半导体器件，该半导体器件可以在降低最大电场强度的同时降低电阻。解决方案：由金刚石半导体构成的MISFET包括δ掺杂结构，其中第一层2a引起跳变导通在p型漂移层2和第二层2b中交替布置，并且电流在与每个第一层2a和每个第二层2b的平面方向垂直的纵向方向上通过。即使在具有深杂质水平的金刚石中，当引起跳跃传导并且第一层2a中的载流子密度增加时，电离能也减小。结果，即使在成为低密度层的第二层2b中，载流子密度也增加，并且δ掺杂结构中的电阻可以降低。由于δ掺杂结构可以降低p型漂移层2的总杂质量，所以可以抑制漂移层2中的最大电场强度。因此，可以在确保对MISFET的耐压性的同时降低电阻。

7. 发明专利

JP2021187700A ダイヤモンドの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021187700A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020093193
申请日：2020-05-28
申请人：国立大学法人金沢大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼 , 莨谷平 , 長井雅嗣 , 中村勇斗 , 坂内和斗 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 山崎聡
IPC分类号： C01B32/28 , C30B29/04
摘要：【課題】加工精度が高く、低コスト化が可能なインプリントによるダイヤモンドの加工方法の提供。【解決手段】表面が所定の構造に形成された炭素固溶性基材をダイヤモンドの表面に接触させた状態で加熱することで、前記ダイヤモンドの表面に前記炭素固溶性基材の表面構造が転写成形されることを特徴とする。炭素固溶性基材としては、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、クロム、銅及びそれらの酸化物又は合金等が例として挙げられる。加熱は、基材の炭化を抑えるために不活性ガス又は真空下において行うのが好ましい。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020073447A ダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020073447A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020007853
申请日：2020-01-21
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
摘要：【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018006572A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006572A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131468
申请日：2016-07-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社デンソー , 国立大学法人金沢大学
发明人：加藤宙光 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 小山和博 , 松本翼 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/283 , H01L21/336
摘要：【課題】動作特性がノーマリーオフの平面型MOSFET動作が可能なダイヤモンド半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明のダイヤモンド半導体装置10は、ダイヤモンド基板1上に配され、{111}面が形成される第1導電型ダイヤモンド半導体層2と、第1導電型ダイヤモンド半導体層2の{111}面が形成される面上に配される導電型が第1導電型ダイヤモンド半導体層2と異なる第2ダイヤモンド半導体層で形成されるソース領域3a及びドレイン領域3bと、全体又は一部が第1導電型ダイヤモンド半導体層2の{111}面上に配され、かつ、上面視で少なくともソース領域3aとドレイン領域3bとの間に配されるゲート絶縁膜4と、ソース領域3a上に配されるソース電極5aと、ドレイン領域3b上に配されるドレイン電極5bと、ゲート絶縁膜4上に配されるゲート電極5cと、を有することを特徴とする。【選択図】図1

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