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1. 发明申请

WO2007072786A1 回路パターンを有するガラス基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有电路图案的玻璃基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2007072786A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/JP2006/325211
申请日：2006-12-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 旭硝子株式会社 , 佐藤了平 , 中川浩司 , 臼井玲大 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 青木由美子
发明人：佐藤了平 , 中川浩司 , 臼井玲大 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 青木由美子
IPC分类号： H05K3/08 , H01J9/02 , H01J11/02 , H05K3/28
CPC分类号： H05K3/28 , H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/34 , H05K1/0306 , H05K3/027 , H05K3/38 , H05K2201/0269 , Y10T428/24868
摘要： This invention provides a process for producing a glass substrate (10) having a circuit pattern (26). The production process comprises a circuit pattern formation step of forming a thin-film layer (12) on a glass substrate and then irradiating the thin-film layer with a laser beam (22) to form a circuit pattern on the glass substrate, a low-melting point glass deposition step of depositing a low-melting point glass (28) having a softening point of 450 to 630ºC onto the glass substrate with the circuit pattern formed thereon, and a sintering step of sintering the low-melting point glass to form a low-melting point glass layer (32) formed of the low-melting point glass sintered on the glass substrate with the circuit pattern formed thereon and forming a compatilization layer (34) between the glass substrate and the low-melting point glass layer.
摘要翻译：本发明提供一种具有电路图案（26）的玻璃基板（10）的制造方法。制造方法包括在玻璃基板上形成薄膜层（12），然后用激光束（22）照射薄膜层的电路图案形成步骤，以在玻璃基板上形成电路图案，低 - 熔点点玻璃沉积步骤，其上形成有电路图案的方法将具有450-630℃软化点的低熔点玻璃（28）沉积到玻璃基板上，以及烧结步骤，烧结低熔点玻璃以形成由在其上形成有电路图案的玻璃基板上烧结的低熔点玻璃形成的低熔点玻璃层（32），并在玻璃基板和低熔点玻璃层之间形成相容层（34）。

2. 发明申请

WO2008016061A1 電子回路装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：电子电路装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008016061A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/065018
申请日：2007-07-31
申请人：旭硝子株式会社 , 佐藤了平 , 中川浩司 , 森永英二 , 臼井玲大 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 坂本寛
发明人：佐藤了平 , 中川浩司 , 森永英二 , 臼井玲大 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 坂本寛
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/26 , H01J9/02 , H01J11/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2022 , H01J9/02 , H01J11/10 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155
摘要：　本発明は、パターン剥がれやレジスト残りがなくパターン精度が良好で、電子回路等の電極として用いたときに断線を生じない回路パターンを有する回路パターン付き透明基板を製造する方法の提供を課題とする。本発明は、基板上に薄膜層からなる所望の回路パターンを形成する回路パターン付き基板の製造方法であって、前記基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する工程と、薄膜層を形成する工程と、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを剥離する工程とを具備し、前記レジスト層の開口部における断面形状が、前記レジスト層と前記基板との境界部に隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記隙間の高さおよび奥行きが決められている、回路パターン付き基板の製造方法に関する。
摘要翻译：当用作电子电路的电极等时，防止了具有通过消除图案剥离和残留抗蚀剂和断开而确保高图案精度的透明基板的方法。制造其上形成有薄膜层的期望电路图形的基板的方法包括在基板上形成抗蚀剂层的步骤，用于形成具有对应于抗蚀剂层中期望的电路图案的轮廓的开口的步骤，用于形成薄膜层的步骤，以及用于剥离形成在抗蚀剂层上的抗蚀剂层和薄膜层的步骤。抗蚀层的开口处的截面具有在抗蚀剂层和基板之间的边界处具有间隙的檐形台阶表面形状。确定间隙的高度和深度，使得当在形成薄膜的步骤中形成薄膜层时，在开口处形成在基底上的薄膜层的端部不会越过抗蚀剂层的底部层。

3. 发明申请

WO2007049653A1 薄膜付き透明基板、及び、その薄膜付き透明基板を用いる回路パターン付き透明基板の製造方法审中-公开
标题翻译：具有薄膜的透明衬底和用于制造透明衬底的方法，其中使用具有薄膜的这种透明衬底的电路图案
公开(公告)号：WO2007049653A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/JP2006/321294
申请日：2006-10-25
申请人：旭硝子株式会社 , 佐藤了平 , 中川浩司 , 森永英二 , 臼井玲大 , 磯野貴充 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 坂本寛
发明人：佐藤了平 , 中川浩司 , 森永英二 , 臼井玲大 , 磯野貴充 , 田中健治 , 高木悟 , 江畑研一 , 坂本寛
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , H01J11/00
CPC分类号： H01J9/02 , C03C17/2453 , C03C23/0025 , C03C23/007 , C03C2217/211 , C03C2217/23 , C03C2217/231 , C03C2217/24 , C03C2218/151 , H05K3/027 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155
摘要：　本発明は、低いエネルギーのレーザ光の照射であってもアブレーション現象が起こり、問題なくパターニングできる酸化錫薄膜が付いた透明基板の製造方法の提供を課題とする。本発明は、透明基板上にキャリア濃度が５×１０１９／ｃｍ３以上である透明導電膜を有する薄膜付き透明基板に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光を照射して前記透明基板上に回路パターンを形成する、回路パターン付き透明基板の製造方法に関する。
摘要翻译：公开了一种具有薄氧化锡薄膜的透明基板的制造方法，即使通过低能量激光的照射也能够容易地图案化，因为其中烧蚀发生。还公开了一种制造具有电路图案的透明基板的方法，其中具有薄膜的透明基板，即具有载流子浓度不小于5×10 19的透明导电膜的透明基板，对于波长为1064nm的激光进行照射，使得在透明基板上形成电路图案。

4. 发明申请

WO2005045911A1 パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器审中-公开
标题翻译：图案形成方法，由其制造的电子电路和使用其的电子设备
公开(公告)号：WO2005045911A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/JP2004/016599
申请日：2004-11-09
申请人：旭硝子株式会社 , 佐藤了平 , 岩田剛治 , 中川浩司 , 臼井玲大
发明人：佐藤了平 , 岩田剛治 , 中川浩司 , 臼井玲大
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/0272
摘要：　低コストおよび低環境負荷で、かつ連続した薄膜回路パターンを精度よく実現できるパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器を提供する。　基板１上にマスク層２を形成する工程と、上記マスク層２に開口パターンを形成する工程と、上記基板１上およびマスク層２上に薄膜３を形成する工程と、上記マスク層２および該マスク層２上に形成された薄膜３を基板１から剥離する工程とを含み、開口パターンを乾式条件下で形成する。
摘要翻译：提供了一种能够精确地实现环境负荷低且成本低的连续薄膜电路图案的图案形成方法，通过该方法制造的电子电路和使用该电子设备的电子设备。该方法包括：在基板（1）上形成掩模层（2）的步骤，在掩模层（2）中形成开口图案的步骤，在基板上形成薄膜（3）的步骤 1）和掩模层（2）的工序，以及从基板（1）剥离形成在掩模层（2）上的薄膜（3）的掩模层（2）的步骤。在干燥状态下形成开口图案。

5. 发明专利

JP2016216266A 薄膜付ガラス板审中-公开
标题翻译：玻璃板用薄膜
公开(公告)号：JP2016216266A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2013220812
申请日：2013-10-24
申请人：旭硝子株式会社
发明人：岩岡啓明 , 中川晃一 , 関淳志 , 長南宏佑 , 臼井玲大
IPC分类号： C03C17/34
CPC分类号： C03C17/3417 , C03C2217/734
摘要：【課題】耐酸性および耐アルカリ性に優れた薄膜付ガラス板の提供。【解決手段】ガラス基板上に、反射防止膜などの機能性薄膜が形成され、該機能性薄膜上にバリア層が形成された薄膜付ガラス板であって、前記バリア層が実質的にケイ素(Si)とチタン(Ti)との混合酸化物で構成され、前記バリア層は、前記混合酸化物におけるケイ素(Si)とチタン(Ti)との合計に対するチタン(Ti)の原子含有率(Ti/(Si+Ti)/Atom%)が、該バリア層の他の部位よりも高いチタン(Ti)リッチ層を備え、前記チタン(Ti)リッチ層におけるX線光電子分析(ESCA)により測定したチタン(Ti)原子含有率(Ti/(Si+Ti)/Atom%)の最大値が80%以上であることを特徴とする薄膜付ガラス板。【選択図】なし
摘要翻译：本发明提供一种耐酸性和耐碱性优异的薄膜涂覆玻璃板。在玻璃基板上，形成功能性薄膜，例如防反射膜，具有形成在上述功能性薄膜的阻挡层的玻璃板的膜，所述阻挡层基本上硅（ Si）和由钛（Ti），阻挡层的混合氧化物的，钛的原子含量（Ti）的总的混合氧化物的硅（Si）和钛（Ti）的（钛/ （Ti）的在富含层X射线光电子能谱法（ESCA）钛（SI + Ti）的/原子％）上设置有高钛（Ti）比所述阻挡层的其他部分富集层，所述通过测量钛（ Ti）的原子含量（TI /（SI + Ti）的/薄膜与玻璃板，其中的原子％的最高值）为80％或更多。系统技术领域

6. 发明专利

JP6003904B2 Cu−In−Ga−Se太陽電池用ガラス基板及びそれを用いた太陽電池有权
公开(公告)号：JP6003904B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013555273
申请日：2013-01-22
申请人：旭硝子株式会社
发明人：黒岩裕 , 中島哲也 , 山本雄一 , 安部朋美 , 岡東健 , 臼井玲大 , 富澤剛
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0392 , C03C3/087
CPC分类号： H01L31/0488 , C03C23/008 , C03C3/087 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/18 , Y02E10/541

7. 发明专利

JP6210136B2 ガラス基板有权
公开(公告)号：JP6210136B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2016132473
申请日：2016-07-04
申请人：旭硝子株式会社
发明人：長嶋達雄 , 黒岩裕 , 臼井玲大 , 富澤剛 , 岡東健
IPC分类号： C03C3/093 , C03C3/087
CPC分类号： C03C3/087 , C03C3/095 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521

8. 发明专利

JP2017036177A 磁気記録媒体用ガラス基板、および磁気記録媒体审中-公开
标题翻译：的磁记录介质用玻璃基板，和磁记录介质
公开(公告)号：JP2017036177A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015158468
申请日：2015-08-10
申请人：旭硝子株式会社
发明人：黒岩裕 , 安間伸一 , 臼井玲大
IPC分类号： C03C3/093 , G11B5/733 , C03C3/087
摘要：【課題】高いガラス転移温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、高いヤング率、高い比弾性率、並びに、基板用ガラス生産時の高い溶解性、良好な成形性及び良好な失透防止性等の特性をバランスよく有し、エネルギーアシスト磁気記録方式にも好適に使用できる磁気記録媒体用ガラス基板及びそれを用いた磁気記録媒体の提供。【解決手段】酸化物基準の質量百分率表示で、SiO 2 を50〜65%、Al 2 O 3 を8〜15%、B 2 O 3 を0〜1%、MgOを0〜10%、CaOを1〜12%、SrOを2〜12%、BaOを0〜5%、ZrO 2 を1〜7%、Na 2 Oを2〜8%、K 2 Oを0〜8%、MgO+CaO+SrO+BaOを10〜30%、含有し、SrO/Na 2 Oが0.4〜2.5である磁気記録媒体用ガラス基板10。【選択図】図1
摘要翻译：高玻璃化转变温度，预定的平均热膨胀系数，高的玻璃化强度，低的玻璃的密度，高的杨氏模量，高比弹性模量，和玻璃基板生产过程中的高溶解性，良好的成型性和良好的具有良好的平衡性能，例如抗失透等，提供了一种使用玻璃基板和其磁记录介质的磁记录介质所用的能量辅助磁记录方法来适当地使用。在质量百分比的所述氧化物的基础上，SiO 2和50-65％的Al2O3微粉和8〜15％B 2 O 3 0〜1％，的CaO，SrO为0的MgO 1％至12％， 2-12％，BaO的，氧化锆NA2 O 2〜8％0到K 2 O 8％的MgO + CaO的+的SrO + BaO为10〜30％，以及含有，SRO 1-7％0-5％ / NA2 O是磁记录介质用玻璃基板10是0.4-2.5。 1点域

9. 发明专利

JP2016210157A ガラス積層体および電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：制造玻璃层叠体及电子装置的方法
公开(公告)号：JP2016210157A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015098383
申请日：2015-05-13
申请人：旭硝子株式会社
发明人：臼井玲大
IPC分类号： B32B17/06 , B32B7/06 , C03C27/10 , G02F1/1333 , G02F1/13 , B32B9/00
摘要：【課題】高温条件下の長時間の処理の後でもガラス基板を容易に剥離できるガラス積層体の提供。【解決手段】支持基板12及び支持基板12上に配置された無機層14を有する無機層14付き支持基板16と、無機層14上に剥離可能に積層されたガラス基板18と、を備え、無機層14のマルテンス硬さが3000N/mm 2 以下であり、好ましくは、上記無機層12中の水分濃度が1.5原子%以上であり、無機層12の厚さが70nm以下である、ガラス積層体10。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种玻璃层叠体即使在高温条件下长期治疗可以容易地剥离玻璃基板。和支撑基板12和与支撑基板16具有设置可释放地层叠无机层14在玻璃基板18上的基板12的无机层14中的支撑无机层14，它包括一个，无机和层14的马氏硬度为3000N /毫米@ 2或更小，优选地，在无机层12中的水浓度为1.5原子％以上，无机层12的厚度为70纳米或更小，玻璃层叠体10。点域1

10. 发明专利

JPWO2017006801A1 キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017006801A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017527403
申请日：2016-06-28
申请人：旭硝子株式会社
发明人：小野和孝 , 八百板隆俊 , 臼井玲大 , 江畑研一 , 秋山順
IPC分类号： C03C3/091 , B32B17/06 , C03C3/085 , C03C3/087 , G02F1/13
CPC分类号： B32B17/10 , C03C3/091 , C03C17/22 , C03C17/23 , C03C17/30 , C03C17/32
摘要：本発明は、複数回再利用して電子デバイスの製造を行った際にも、電子デバイスの製造歩留まりが優れる、キャリア基板を提供する。本発明は、基板の表面に電子デバイス用部材を製造する際に、この基板に貼り合せられて用いられるキャリア基板であって、キャリア基板は、少なくとも第1ガラス基板を含み、この第1ガラス基板は、下記コンパクションが80ppm以下である、キャリア基板に関する。コンパクション:第1ガラス基板を室温より100℃/時間で昇温し600℃で80分間の加熱処理をしてから、100℃/時間で室温まで冷却した場合の収縮率。

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