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1. 发明专利

JP2016162983A エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法审中-公开
标题翻译：用于蚀刻和蚀刻方法的组合物
公开(公告)号：JP2016162983A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015043031
申请日：2015-03-04
申请人：ダイキン工業株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：川合健太郎 , 森田瑞穂 , 足達健二 , 永井隆文
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L21/308
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作によりシリコン基板などの被処理物の表面に逆ピラミッド構造のテクスチャを形成することのできるエッチング処理用組成物を提供する。【解決手段】含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够以低成本安全且方便的方法在诸如硅衬底的加工对象的表面上形成反金字塔结构的织构的蚀刻用组合物，对环境。溶解：用于蚀刻的组合物含有含氮芳族杂环化合物和氟化氢。选择图：无

2. 发明专利

JP5850939B2 エッチング方法及び太陽電池用固体材料の表面加工方法有权
标题翻译：的蚀刻方法和太阳能电池的固体材料表面处理方法
公开(公告)号：JP5850939B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2013529011
申请日：2012-08-10
申请人：国立大学法人大阪大学 , ダイキン工業株式会社
发明人：森田瑞穂 , 打越純一 , 塚本健太郎 , 永井隆文 , 足達健二
IPC分类号： H01L51/48 , H01L21/308
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50

3. 发明专利

JP2015165526A シリコン基板审中-公开
标题翻译：硅基板
公开(公告)号：JP2015165526A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2014039957
申请日：2014-02-28
申请人：国立大学法人大阪大学 , ダイキン工業株式会社
发明人：森田瑞穂 , 川合健太郎 , 打越純一 , 足達健二 , 永井隆文
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要：【課題】種々の反射防止機能を有する表面形状を有するシリコン基板を自在に且つ簡便に形成できる方法及びそれにより得られるシリコン基板を提供する。【解決手段】少なくとも片面に、以下の(A)〜(F):(A)上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(B)上下方向に伸びる溝が形成された側面と、三角形状の痕が形成された側面とを有する、略逆ピラミッド形状の凹部、(C)三角形状の痕が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(D)逆ピラミッド形状の孔及び上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(E)底面が5以上の多角形である逆多角錐形状の凹部、(F)平均直径が1〜10μmであり、且つ、大きさがランダムである逆ピラミッド形状の凹部の少なくとも1つが形成された、シリコン基板。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可控地简单地形成具有各种抗反射功能的表面形状的硅衬底的方法; 并提供通过该方法获得的硅衬底。解决方案：硅衬底在至少一个表面上包括硅衬底，形成以下（A） - （F）中的至少一个：（A）倒置的金字塔形凹部具有形成有沿垂直方向延伸的槽的侧面; （B）具有横向面的基本上倒置的金字塔状凹部，其中形成有沿垂直方向延伸的凹槽和形成三角形疤痕的侧面; （C）具有形成三角形疤痕的侧面的倒金字塔形凹部; （D）具有侧面的倒金字塔形凹部，其中形成倒置的金字塔形孔和沿垂直方向延伸的凹槽; （E）具有不少于五个角的多边形底部的倒金字塔状凹部;（F）具有平均直径为1-10μm和随机尺寸的倒金字塔状凹部。

4. 发明专利

JP2015165037A 陽極化成処理による多孔質シリコン基板の製造方法审中-公开
标题翻译：通过阳极生产多孔硅基材的方法
公开(公告)号：JP2015165037A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2014039940
申请日：2014-02-28
申请人：国立大学法人大阪大学 , ダイキン工業株式会社
发明人：川合健太郎 , 森田瑞穂 , 打越純一 , 足達健二 , 永井隆文
IPC分类号： C23F1/10 , C25D11/32
摘要：【課題】安価且つ簡便に、多孔質半導体基板(特に深いトレンチ構造を有する半導体基板)を製造する方法を提供する。【解決手段】多孔質シリコン基板の製造方法であって、化成処理液中で、シリコン基板を陽極として、陰極との間で通電を行い、陽極化成処理を施す工程を備え、且つ、前記シリコン基板は、N−F結合を有する有機化合物を用いて、少なくとも片面に凹部が形成されたシリコン基板である、製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以低成本且容易地制造多孔半导体衬底（特别是具有深沟槽结构的半导体衬底）的方法。解决方案：一种制造多孔硅衬底的方法包括使电流通过的步骤在作为阳极的硅衬底和用于阳极氧化的化学处理溶液中的阴极之间，其中所述硅衬底具有使用具有NF键的有机化合物在至少一个面上形成的凹部。

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