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1. 发明专利

TWI629824B 鋰電池用結合劑、製造電極用組成物及電極有权
简体标题：锂电池用结合剂、制造电极用组成物及电极
公开(公告)号：TWI629824B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW102138639
申请日：2013-10-25
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 學校法人東京理科大學 , TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE FOUNDATION
发明人：駒場慎一 , KOMABA, SHINICHI , 藪內直明 , YABUUCHI, NAOAKI , 韓貞姬 , HAN, ZHEN-JI , 佐佐木健夫 , SASAKI, TAKEO , 橋本翔太 , HASHIMOTO, SHOTA , 岡本訓明 , OKAMOTO, KUNIAKI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/134

2. 发明专利

TW201424103A 鋰電池用結合劑、製造電極用組成物及電極审中-公开
简体标题：锂电池用结合剂、制造电极用组成物及电极
公开(公告)号：TW201424103A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102138639
申请日：2013-10-25
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 學校法人東京理科大學 , TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE FOUNDATION
发明人：駒場慎一 , KOMABA, SHINICHI , 藪內直明 , YABUUCHI, NAOAKI , 韓貞姬 , HAN, ZHEN-JI , 佐佐木健夫 , SASAKI, TAKEO , 橋本翔太 , HASHIMOTO, SHOTA , 岡本訓明 , OKAMOTO, KUNIAKI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/134
CPC分类号： H01M4/622 , C08F122/02 , C08G18/025 , C08G59/40 , C08K5/0025 , C08L33/02 , C08L63/00 , C08L79/00 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , C08F220/06 , C08F222/1006
摘要：本發明的課題係提供一種電極，即使在使用含矽之活性物質時，亦不會破壞電極構造，並可維持優異之電容量保持性的電極。本發明係有關：「藉由選自通式[1]至[13]的化合物及通式[14]的聚合物中之交聯劑所交聯的聚丙烯酸而成的鋰電池用結合劑(其中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者除外)」；含有1)「含矽之活性物質、2)導電助劑、及3)交聯型聚丙烯酸而成的製作鋰電池之電極用組合物(其中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者除外)」；及具有「1)含有矽之活性物質、2)導電助劑、3)交聯型聚丙烯酸、及4)集電體之鋰電池用之電極(其中，具有含官能基之偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)系聚合物者除外)」。
简体摘要：本发明的课题系提供一种电极，即使在使用含硅之活性物质时，亦不会破坏电极构造，并可维持优异之电容量保持性的电极。本发明系有关：“借由选自通式[1]至[13]的化合物及通式[14]的聚合物中之交联剂所交联的聚丙烯酸而成的锂电池用结合剂(其中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者除外)”；含有1)“含硅之活性物质、2)导电助剂、及3)交联型聚丙烯酸而成的制作锂电池之电极用组合物(其中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者除外)”；及具有“1)含有硅之活性物质、2)导电助剂、3)交联型聚丙烯酸、及4)集电体之锂电池用之电极(其中，具有含官能基之偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)系聚合物者除外)”。

3. 发明专利

TW201810782A 鋰電池用結合劑审中-公开
简体标题：锂电池用结合剂
公开(公告)号：TW201810782A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106144183
申请日：2013-10-25
申请人：日商和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 學校法人東京理科大學 , TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE FOUNDATION
发明人：駒場慎一 , KOMABA, SHINICHI , 藪內直明 , YABUUCHI, NAOAKI , 韓貞姬 , HAN, ZHEN-JI , 佐佐木健夫 , SASAKI, TAKEO , 橋本翔太 , HASHIMOTO, SHOTA , 岡本訓明 , OKAMOTO, KUNIAKI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/134
CPC分类号： H01M4/622 , C08F122/02 , C08G18/025 , C08G59/40 , C08K5/0025 , C08L33/02 , C08L63/00 , C08L79/00 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , C08F220/06 , C08F222/1006
摘要：本發明的課題係提供一種鋰電池用結合劑，其係該鋰電池即使在使用含矽之活性物質時，亦不會破壞電極構造，並可維持優異之電容量保持性的鋰電池用結合劑。本發明之鋰電池用結合劑，係包含：經選自下述通式[1]至[11]的化合物中之交聯劑所交聯的聚丙烯酸；惟該鋰電池用結合劑中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者係除外；並且，經交聯之聚丙烯酸之黏度，係以旋轉黏度計60rpm為30至10000mPa．s、或以旋轉黏度計0.6rpm為10000至400000mPa．s，惟該黏度係使經交聯之聚丙烯酸以1重量%之濃度分散於水中之分散液的黏度。
简体摘要：本发明的课题系提供一种锂电池用结合剂，其系该锂电池即使在使用含硅之活性物质时，亦不会破坏电极构造，并可维持优异之电容量保持性的锂电池用结合剂。本发明之锂电池用结合剂，系包含：经选自下述通式[1]至[11]的化合物中之交联剂所交联的聚丙烯酸；惟该锂电池用结合剂中，含有含官能基之偏二氟乙烯系聚合物者系除外；并且，经交联之聚丙烯酸之黏度，系以旋转黏度计60rpm为30至10000mPa．s、或以旋转黏度计0.6rpm为10000至400000mPa．s，惟该黏度系使经交联之聚丙烯酸以1重量%之浓度分散于水中之分散液的黏度。

5. 发明专利

TWI589691B 半導體基板用洗淨劑及半導體基板表面之處理方法有权
简体标题：半导体基板用洗净剂及半导体基板表面之处理方法
公开(公告)号：TWI589691B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102114989
申请日：2013-04-26
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：川田博美 , KAWADA, HIROMI , 水田浩德 , MIZUTA, HIRONORI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/36 , H01L21/302
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684

6. 发明专利

TW201504429A 金屬配線用基板洗淨劑及半導體基板的洗淨方法审中-公开
简体标题：金属配线用基板洗净剂及半导体基板的洗净方法
公开(公告)号：TW201504429A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103113171
申请日：2014-04-10
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：水田浩德 , MIZUTA, HIRONORI , 綿引勉 , WATAHIKI, TSUTOMU , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： C11D7/32 , H01L21/67 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , H01L21/02074
摘要：課題是提供一種在半導體元件之製程中的化學機械研磨(CMP)後洗淨步驟中可獲得下述(1)至(5)的效果且具有金屬配線的基板用洗淨劑，及特徵在使用該洗淨劑之半導體基板的洗淨方法。(1)可充分去除CMP步驟中使用的微粒子(研磨劑)、來自經研磨的金屬之微粒子(金屬粒子)及防蝕劑等的殘留物。(2)可充分去除(剝離)CMP步驟中形成的苯并三唑或2-喹啉甲酸等防蝕劑與金屬配線之表面金屬的錯合物之金屬配線表面被膜(保護膜：抗氧化膜)。(3)在去除(剝離)該被膜後，可形成含有金屬氧化物的氧化膜。(4)即使將CMP後洗淨步驟之基板放置，也可長期穩定的獲得不損及金屬配線表面(含有金屬氧化物之氧化膜表面)之平坦化的半導體基板。(5)即便是長時間使用洗淨劑時，也不容易劣化。本發明是有關特徵在於包含含有(A)具有含氮雜環的羧酸及(B)烷基羥基胺且pH為10以上的水溶液而形成之具有金屬配線的基板用洗淨劑，以及使用該洗淨劑之半導體基板的洗淨方法。
简体摘要：课题是提供一种在半导体组件之制程中的化学机械研磨(CMP)后洗净步骤中可获得下述(1)至(5)的效果且具有金属配线的基板用洗净剂，及特征在使用该洗净剂之半导体基板的洗净方法。(1)可充分去除CMP步骤中使用的微粒子(研磨剂)、来自经研磨的金属之微粒子(金属粒子)及防蚀剂等的残留物。(2)可充分去除(剥离)CMP步骤中形成的苯并三唑或2-喹啉甲酸等防蚀剂与金属配线之表面金属的错合物之金属配线表面被膜(保护膜：抗氧化膜)。(3)在去除(剥离)该被膜后，可形成含有金属氧化物的氧化膜。(4)即使将CMP后洗净步骤之基板放置，也可长期稳定的获得不损及金属配线表面(含有金属氧化物之氧化膜表面)之平坦化的半导体基板。(5)即便是长时间使用洗净剂时，也不容易劣化。本发明是有关特征在于包含含有(A)具有含氮杂环的羧酸及(B)烷基羟基胺且pH为10以上的水溶液而形成之具有金属配线的基板用洗净剂，以及使用该洗净剂之半导体基板的洗净方法。

7. 发明专利

TW201402806A 半導體基板用洗淨劑及半導體基板表面之處理方法审中-公开
简体标题：半导体基板用洗净剂及半导体基板表面之处理方法
公开(公告)号：TW201402806A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102114989
申请日：2013-04-26
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：川田博美 , KAWADA, HIROMI , 水田浩德 , MIZUTA, HIRONORI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/36 , H01L21/302
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要：本發明之目的為提供一種半導體基板用洗淨劑、及半導體基板表面之處理方法，該半導體基板用洗淨劑係對鎢配線或鎢合金配線之抗蝕性優異，對化學機械研磨步驟後殘餘在半導體基板之表面，特別是殘餘在TEOS膜等矽氧化膜之表面的氧化矽及氧化鋁等研磨微粒子(微粒)的去除性優良者；本發明之半導體基板用洗淨劑、及半導體基板表面之處理方法中，半導體基板用洗淨劑係在將含有鎢配線或鎢合金配線、及矽氧化膜的半導體基板在化學機械研磨步驟處理之後的步驟中所使用之洗淨劑，其中含有：(A)膦酸系螯合劑、(B)分子內至少具有1種烷基或羥烷基的1級或2級之單胺、及(C)水，且pH超過6、未達7。
简体摘要：本发明之目的为提供一种半导体基板用洗净剂、及半导体基板表面之处理方法，该半导体基板用洗净剂系对钨配线或钨合金配线之抗蚀性优异，对化学机械研磨步骤后残余在半导体基板之表面，特别是残余在TEOS膜等硅氧化膜之表面的氧化硅及氧化铝等研磨微粒子(微粒)的去除性优良者；本发明之半导体基板用洗净剂、及半导体基板表面之处理方法中，半导体基板用洗净剂系在将含有钨配线或钨合金配线、及硅氧化膜的半导体基板在化学机械研磨步骤处理之后的步骤中所使用之洗净剂，其中含有：(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内至少具有1种烷基或羟烷基的1级或2级之单胺、及(C)水，且pH超过6、未达7。

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